机电进口设备技术参数

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1、机电进口设备技术参数1.光学散射光谱测量系统参数1、激光器及相应波长的滤光片1.1532nm激光器，TEM00模，激光器功率：≥100mW，532nm的干涉滤光片和Edge瑞利滤光片，低波数到60cm-12、共焦显微镜硬件配置2.1高稳定性研究级正置显微镜，未经任何改造。2.2落射式科勒明暗场照明，12v，100W卤素灯；2.3配置如下物镜：10x，50x，100x明暗场物镜2.4高精度XY电动样品台，XY方向75x50mm行程，10nm最小步进精度，1um定位精度；2.5显微镜外接CMOS高清彩色摄像头2.6配置激光器接口，光谱仪显微接口。2.7可实现暗场图像采集，可与

2、光谱仪联用做原位暗场光谱采集2.8多路激光器波长电动切换，切换后无需校正3、共焦技术3.1CCD-狭缝式共焦技术，保证最大的系统通光量3.2用100X物镜时，空间分辨率（532nm）：横向小于1m，纵向小于2m。4、光谱仪4.1拉曼频移范围：532nm激发60-9000cm-1；4.2高灵敏度：硅三阶拉曼峰的信噪比好于30:1，并能观察到四阶峰4.3检测条件：532nm激光器，100um狭缝宽度，50um像元尺寸，100x物镜（0.9NA），样品上激光功率10mW，积分时间300s，累积次数1，600刻线光栅4.4光谱仪焦长：328mm4.5光谱仪接口：双入口，双CC

3、D出口。配置电动狭缝，10um-2.5mm软件可调，内部快门。专利TruRes技术,提高20%分辨率.专利自适应聚焦技术,获得最佳的光谱分辨率4.6光谱分辨率（半高宽）4.7可见全谱段≤1.5cm-1,4.8光谱重复性：≤±0.4cm-14.9光谱色散平场输出(与CD芯片平面吻合)，光谱在CCD上的不同位置具有同样的强度和分辨率，没有畸变，使用1英寸优质大尺寸CCD探测器。4.10配置4块光栅,在轴扫描,一块1800g/mm光栅用于可见高分辨，一块1200g/mm光栅和一块600g/mm光栅用于通用测试,一块150g/mm光栅用于宽光谱测试5、光谱CCD探测器5.1具有高

4、像元分辨率的CCD芯片，分辨率2000x2565.2可见近红外拉曼专用CCD，量子效率在700nm-870nm区间处>90%，光谱范围：200~1100nm；5.3最低制冷温度-70C5.4读出噪声<5电子/像元2.纳米粒度与固体表面Zeta电位分析仪（一）粒径测量系统：1．测量范围：0.3nm-10um2．测量理论：采用最新动态光背散射技术，异相多普勒频移分析方法，全量程范围应用米氏理论，必须具有专利的非球形颗粒校正功能选项，并提供常用物质光学参数，提高分析结果的可靠性。3．激光光源：3mW波长780nm半导体固定位置激光器，通过梯度步进光纤直接照射样品。。4.采用内置

5、式非极性终身免更换样品池，易清洗，节约后期使用成本，且无须使用比色皿等类似样品池，以避免由于多种空间位阻对散射光信号的干扰5.必须能够在同一次进样的条件下,同一个样品同时测量纳米粒度、zeta电位和分子量，可完全避免分别进样造成的人为进样误差。6．激光光路：采用先进的“Y”型光纤光路，通过蓝宝石测量窗口直接测量样品。不能使用传统的透镜扩束类装置，最大限度消除环境杂散光对检测系统的影响。7．检测器：高灵敏硅光电感应二极管，应用可控参比方法，分析多普勒频移产生的能谱。不得采用多级增益放大式装置（如雪崩式传输），保证散射光信号的真实性。8．检测角度：180º9．分析时间：30–

6、120秒10．重复性：误差＜1%11．样品浓度范围：0.1ppm-40%（二）Zeta电位测量系统：1.采用先进的膜电极设计，微电场电泳测量，与纳米粒度测量一体化设计无需比色皿或专门的电极样品池），对样品直接测量，保证分析结果的可靠性。2.ξ电位测量范围：-200mV-+200mV3.电导率：0-200ms/cm4.浓度范围：0.1ppm-40%（Wt）（三）分子量的测定：7测量范围：300*10道尔顿（四）操作系统：1必须提供强大的数据处理能力，包括图形，数据输出/输入，个性化输出报告，及各种文字处理功能体积，数量，面积及光强分布，包括积分/微分百分比和其它分析统计数

7、据。（五）配置清单：1.纳米粒度Zeta电位分析仪主机1台2.内置式非极性免更换样品池1套3.中英文分析软件1份4.美国NIST认证纳米粒度标准样品6瓶5.美国NIST认证Zeta电位标准样品6瓶6.清洗工具套装1套7.数据通讯线1份8.电脑:国产名牌，CPU双核,4G内存，至少1TB，22寸液晶显示屏1套9.打印机:国产名牌,激光A4幅面1台3.全自动比表面积与孔隙分析仪1.仪器主机3个工作站和1个站的饱和压力站，独立脱气系统3个脱气站，可以同时进行3个样品分析和3个样品脱气。2.测试范围：比表面：0.01m2/g到无上限，