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时间:2019-02-03
《GBT6618-1995-硅片厚度和总厚度变化测试方法.pdf》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、中华人民共和国国家标准GB/T6618一1995硅片厚度和总厚度变化测试方法代替GB6618-86Testmethodforthicknessandtotalthicknessvariationofsiliconslices1主题内容与适用范围本标准规定了硅单晶切割片、研磨片和抛光片(简称硅片)厚度和总厚度变化的分立点式和扫描式测量方法。本标准主要用于符合国标GB12964,GB12965规定的尺寸的硅片的厚度和总厚度变化的测量。在测试仪器允许的情况下,本标准也可用于其他规格硅片的厚度和总厚度变
2、化的测量2引用标准GB12964硅单晶抛光片GB12965硅单晶切割片和研磨片3方法提要3门分立点式测量图1分立点测量方式时的测量点位置国家技术监督局1995一04一18批准1995一12一01实施ce/T6618一1995在硅片巾心点和距硅片边缘6mm圆周上的4个对称位置点测量硅片厚度其中两点位于与硅片主参考面垂直平分线逆时针方向的夹角为300的直径L,另外两点位于与该直径相垂直的另一直径上(见图1)e硅片中心点厚度作为硅片的标称厚度5个厚度测量值中的最大厚度与最小厚度的差值称作硅片的总厚度变
3、化3.2扫描式测量硅片由基准环卜的3个半球状顶端支承,在硅片中心点进行厚度测量,测量值为硅片的标称厚度。然后探头按规定图形扫描硅片表面,进行厚度测量,自动指示仪显示出总厚度变化。扫描路径图见图2.才】描路径图样图2测量的扫描路径图4仪器设备4.1接触式测厚仪测厚仪由带指示仪表的探头及支持硅片的夹具或平台组成。4.1.1测厚仪应能使硅片绕平台中心旋转,并使每次测量定位在规定位置的2mm范围内4.1.2仪表最小指示量值不大于1F+m,4.1.3测量时探头与硅片接触面积不应超过2mm'.4.1.4厚度
4、校正标准样片,厚度值的范围从。.13-1.3mm,每两片间的间隔为。.13士。.025mm4.2非接触式测量仪由一个可移动的基准环,带有指示器的固定探头装置,定位器和平板所组成,各部分如下:4.2.1基准环:由一个封闭的基座和3个半球形支承柱所组成。基准环有数种(见图3),皆由金属制造;其热膨胀系数在室温下不大于6X10-,/0C;环的厚度至少为19mm,研磨底面的平整度在。.25r-之内。外径比被测硅片直径大50mm。此外,还要有下列特征:GB/'r6618一1995硅片参考面取向线t}化物合
5、企球直千T8.18mm相断咫1尼龙定位梢肖径7mm3个相7hJZu允许摄F进入的取片栖贫1P.7mms6i5mm.59士0.127..0.38.m鼓小几28.01}0.06mm图3基准环硅片标称直径Xy之50.844.4563.50101.676269-8588.90127-080.073.6692.71127.090.083.57102.61上52.」100.093.65112.78152.4125.0118.64137.67土77.8嘴.2.1.13个半球形支承柱,用来确定基准环的平面并在圆
6、周上等跟分布.允许偏差在10.13no,范围之内支承柱应由碳化钨或与其类似的、有较大硬度的金属材料制成,标称直径为3.18mru,其高度超过其准环表面1.59士。.13mm.各支承柱的顶端应抛光,表面的最大相糙度为。.25p-基准环放粉于平板上,每个支承柱顶端和平板表面之问的距离应相等,其误差为1.0lim由基准环确定的平而是r-j3个支承林相切的平面4.2.1.23个圆柱形定位Vi对试样进行定位,其在圆周边界上间距大致相等.圆周标称直径等1`i{`1-1`cB/T6618一门995的直径和硅片
7、最大允许直径之和。销子比支承柱至少要高出。.38mm推荐用硬塑料做定位销4.2.1.3探头停放位置:在基准环中硅片标称直径切n部分,为探头停放位段,以便探头装粉离开试样,插入或取出精密平板4.2.2带指示器的探头装置:由一对无接触位移传感的探头,探头支承架和指示单元组成上下探头应与硅片上下表面探测位置相对应固定探头的公共轴应与基准环所决定的平面垂直(在+20之内)指示器应能够显示每个探头各自的输出信号,并能手动复位。该装置应该满足下列要求:4.2.2.1探头传感而直径应在1.57^-5.72--
8、范围.4.2-2.2探测位置的位移分辨率不大于。.25Im4.2.2.3在标称零位置附近,每个探头的位移范围至少为25Iim4.2-2.4在满刻度读数的。.5%之内呈线性变化。4.2-2.5在扫描中,对自动数据采样模式的仪器,采集数据的能力每秒钟至少100个数据点注工:探头传感原理可以是电容的、光学的或任何其他非接触方式的,适干测定探头与硅片表曲之问跟离规定I卜接触是为防止探头使试样发生形变2指示器单元通常可包括n)计算和存贮成对位移测量的和或差值以及识别这些数量最大和最小值的手段,(2)存贮各
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