太阳能级硅片厚度及总厚度变化测试方法

《太阳能级硅片厚度及总厚度变化测试方法》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、ICS29.045H17中华人民共和国国家标准GB/TXXXXX—XXXX太阳能级硅片厚度及总厚度变化测试方法TestMethodforThicknessandTotalThicknessVariationofSolarWaferXXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施GB/TXXXXX—前言本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）归口。本标准由东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司起草。本标准主要起草人：7GB/T

2、XXXXX—太阳能级硅片厚度及总厚度变化测试方法1　范围本检测方法规定太阳能级硅片厚度及总厚度变化分立式和扫描式测量方法，为非接触式测量方法，适用于测量大于等于100mm×100mm的硅方片。本标准规定了硅片的测量装置与环境要求、干扰因素、测量程序以及测量结果的计算和试验报告等。2　规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T6618-2009硅片厚度和总厚度变化测试方法3　方

3、法概述3.1　分立点式测量在硅准方片对角线交点和距边角圆弧边缘6mm圆周上的4个对称位置点测量硅片厚度（见图1），若正方片5个测试点则为对角线交点和距顶角8.5mm圆周上的4个点（见图2）。硅片中心点厚度作为硅片的标称厚度。5个厚度测量值中的最大厚度与最小厚度的差值称作硅方片的总厚度变化。123456mm图1准方片分立点测量方式的测量点位置7GB/TXXXXX—图2正方片分立点测量方式的测量点位置1.1　扫描式测量硅片置于平台上，在硅片中心点进行厚度测量，测量值为硅方片的标称厚度，然后按规定路径扫描硅片表面，进

4、行厚度测量，自动显示仪显示出总厚度变化。扫描路径见图3，方片和准方片扫描路径相同。123456mm67图3测量的扫描路径图2　干扰因素2.1　分立点式测量7GB/TXXXXX—1.1.1　由于分立点式测量总厚度变化只基于5点的测量数据，硅方片上其他部分的无规则几何变化不能被检测出来。1.1.2　硅方片上某一点的局部改变可能产生错误的读数。这种局部的改变可能来源于表面缺陷例如崩边、沾污、小丘、坑、刀痕、波纹等。1.2　扫描式测量1.2.1　扫描期间，测厚仪平台的不平整可能导致测量误差。1.2.2　测厚仪平台与硅片

5、之间的外来颗粒等产生误差。1.2.3　扫描过程中，硅片偏离探头导致错误的计数。1.2.4　测试样片相对于测量探头轴的振动会产生误差。1.2.5　本方法的扫描方式为按规定的路径进行扫描，采样不是硅方片的整个表面，不同的扫描路径可产生不同的测试结果。2　仪器设备2.1　无接触厚度测量仪厚度测量仪由带数字显示的固定探头装置、带有定位标识的测量平台组成，各部分如下：2.1.1　测量平台方形合金测量平台，厚度为15mm以上，经硬质氧化处理，防止晶片背面划伤；外形尺寸可以承载100mm×100mm～210mm×210mm的

6、硅方片在平台上进行扫描检测，平台示意图如下：图4测量平台示意图7GB/TXXXXX—1.1.1　带数字显示的探头装置由一对同轴的无接触传感探头（探头传感原理可以是电容的、光学的或其他非接触方式的）、探头支架和数字显示屏组成。上下探头同轴，与硅方片上下表面探测位置相对应。固定探头的公共轴应与测量平台上的平面垂直（在±2°之内），传感器可感应各探头的输出信号，并能通过显示屏显示当前点的厚度。该装置应该满足以下要求：5.1.2.1探头传感面直径应在1.57mm～5.72mm范围。5.1.2.2探测位置垂直方向的位移分

7、辨率不大于0.25μm。5.1.2.3在标称零位置附近，每个探头的位移范围至少为25μm。5.1.2.4在满刻度读数的0.5%之内呈线性变化。5.1.2.5在扫描中，对自动数据采样模式的仪器，采集数据的能力每秒钟至少100个数据点。5.1.2.6探头传感原理可以是电容的、光学的或任何其他非接触方式的，应选用适当的探头与硅片表面间距。规定非接触是为防止探头使试样发生形变。指示器单元通常可具有：（1）计算和存储成对位移测量的各或差值以及识别这些数量最大和最小值的手段，（2）存储各探头测量值的选择显示开关等。显示可以

8、是数字的或模拟的（刻度盘），推荐用数字读出，来消除操作者引入的读数误差。2　取样原则与试样制备2.1　从一批硅方片中按GB/T2828.1计数抽样方案或双方商定的方案抽取试样。2.2　硅方片表面应清洁、干燥。6.3硅方片背面应做出测量定位标记。3　测量程序3.1　测量环境条件3.1.1　温度：18℃—28℃（可根据测量仪器等规定）。3.1.2　湿度：40%—80%。3.1.3　测试环境