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时间:2019-02-02
《高压静电场生物效应在果蔬保鲜技术中的研究和的应用》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、莱阳农学院硕:r学位论文摘要高压静电场生物效应在果蔬保鲜技术中的研究和应用摘要虽然对利用高压静电场实现果蔬保鲜的机理尚不完全清楚,但是目前出现了3种值得重视的观点:(1)外加电场能改变生物细胞膜的跨膜电位,影响生理代谢;(2)果蔬内部生物电场对其呼吸系统的电子传递产生影响,减缓了生物体内的氧化还原反应;(3)外加能量场使水产生共鸣现象,引起水结构及水与酶的结合状态发生变化,最终导致酶失活。本论文旨在研究高压静电场的场强对果蔬保鲜的影响,从机理和效果探讨果蔬保鲜的场强效应,为高压静电场果蔬保鲜提供新的理论
2、依据。本课题研究的主要内容是:(1)自行研究制作了高压静电场装置;(2)从果蔬保鲜机理上,研究了高压静电场对水特性、青霉和灰霉的抑菌效果、多酚氧化酶和马铃薯褐变的影响;(3)从保鲜效果上,系统研究了高压静电场对草莓、鲜切豆芽等与保鲜有关的指标影响。结果表明:(1)高压静电场能促进水的蒸发率、结冰速度和电导率;(2)抑制青霉和灰霉的生长,500kV/m的电场强度对抑制灰霉和青霉有较好的作用;(3)延缓草莓的成熟,在15okV/m强度下能有效延长草莓的贮藏期;(4)电场强度越大,多酚氧化酶的活性越低;(5)
3、高压静电场能抑制豆芽和马铃著的褐变;(6)温度、高压静电场等对果蔬保鲜具有叠加性。由所得的试验数据最终可以看出,高压静电场在果蔬保鲜上具有极高的应用价值。关键词:果蔬保鲜高压静电场电场强度莱m农学院硕士学位论文摘要BiologicalEf_fectStudyandApplicationofHigh—VIoltageElectrostaticFieldonFruitandVegetablePreserVationABSTRACTAlthoughthemechanismoffhitandVegetablep
4、reservationa腩ctedbyelectrostatic6eldhasnoIbeenveryclear”l,ithasbeenfoundthattherearethrceValuabIeViewpoints:(1)transmembranepotentialcouldbechangedby【heextraelecI—c缸eldandthusthemetab。lismwillbeafT如Iedbythischange;(2)Iheelectricneldaroundfmitsandvegetabl
5、cshasinnuenceont11eelecrronictransmitterofrespimtorysysIem,herefore,theoxidationandreductioninthe。rgallismw川bcsloweddown;(3)extemalene。gyneldcancausearesonantresponseinwatermolecules,bywhichthem01eculeclusIerandthecombinationstanJsofwaterandenz”nesw川bech
6、a“ged,a11dcanresultalsointheinactlva“onofenzymesThis【hesisaimstosmdythee腩cfof【heHVEF(Hig}lvoltageElectros【aticFie】d)intensityto【hepreservationofhitsandvegefables,djscuss¨1eneldjntensilytse仃ectsoffreshtechnologyandglvenewtheorybasesforthen“tandvegelablepr
7、eservationThemainresearchesareas土’0110ws:(1)TheHVEFexpe—mentapparatusaredesigned;(2)InIhemechanismoffmiIandvegetableprcserva【ion,、vate‘Graymo】da11dBluemoldareresearchedwlththeHVEFexperimentapparatus:(3)StrawberI_yandbeanspmutbr。wnlngaferesearchedsyslemat
8、icallyintheconditionsofHVEFTheresulIsare目venasfolIows:(1)HVEFcanacceleratemeevaporatjonrate,iclngraceandconductancerateofwaIer:(2)HVEFcanrestrain111e斟owthofGraymoldandBIucmo】d,TheneldIntellsItyof500kV/mishclp凡1forrestralll
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