化学镀nicop磁性记录薄膜的研究

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1、首都师范大学硕士学位论文摘要摘要本文研究了制备工艺对在纯铝基片上化学镀Ni-Co．P合金磁性薄膜的结构和磁性能的影响，以及热处理工艺对在纯铝基片上化学镀Ni．P／Ni．Co-P合金磁性薄膜的结构和磁性能的影响。对热处理引起薄膜结构和磁性能改变的机制进行了分析和探讨，为提高磁性记录材料的记录密度提供了理论分析和实验数据。取得的结果可归纳如下：(1)制备了缓冲剂浓度分别为0．1mol／L、0．2mol／L、0．3mol／L、0．4mol／L、0．5mol几的一系列Ni-CxpP磁性薄膜。结果表明：随着缓冲剂硫酸铵浓度增大，薄膜的织构发生了由

2、B-Co向a—Co的同素异构转变；当硫酸铵浓度为0．1mol／L时，矫顽力仅1．1X10'h／m；而当硫酸铵浓度达到0．5mol／L时，矫顽力可达5．7×10‘A／m。(2)制备了还原剂浓度分别为0．1mol／L、0．15mol／L、0．2mol／L、0．25m01／L、0．3mol／L的一系列Ni-Co—P磁性薄膜。结果表明：随着还原剂浓度的增加，薄膜的织构发生变化，当还原剂浓度为0．15mol／L时，薄膜中除了a．Co和6-Co的固溶体外，还形成了C02P晶粒，两种晶相共存使得此时的矫顽力达到最大5．1x104A／m；当还原剂浓度为

3、0．3mol／L时，薄膜中d--Co(101)衍射峰消失，薄膜的矫顽力下降。(3)制备了Ni．P／Ni．Co-P磁性薄膜，对样品在真空退火炉中进行100℃、250℃、350℃、400℃、500"C的热处理。结果表明：热处理使薄膜的织构发生了由a-Co向B-Co的同素异构转变；经热处理后晶粒尺寸长大到30rim左右；经350℃热处理后薄膜的矫顽力升高到了5．57X104A／m；经400"C热处理后矩形比达到0．28。关键词：化学镀；热处理；矫顽力；矩形比(sQR)；相变首都师范大学硕士学位论文^bsttactAbstraetThispap

4、erstudiedtheinfluenceofpreparationtechnicsoneleetrolessplatingNi-Co-Pmagneticfilm’3slxudmandmagnetism,alsostudiedtheinfulleneeofheattreatmaatoneleetrolessplatingNi-P／Co-Ni-Pthinfilm'sstructureandmagnetism．Discussedthemechanismoffilmstructureandmagnetismehangementcausedby

5、heatlreatment，providestheoryanalyseandexperimentdatatoimprovetherecordingdensity．Themajorresultsobtainedfilesummarizedasfollows：(1)MagneticNi-Co-PthinfilmsVPOl-Opreparedbyehangiagtheconcentrationofalleviant．Therc8l：dtindicatedthat：Thesll'ucl珊oofthethinfilmschangefrom13-C

6、otod-Cowitllthoalleviantconcentrationincreased．Theeoereivityofthethinfilmisonly1．1x104A／mwhenthealleviantconcentrationisO．1mol／L；theeoereivityofthethinfilmCallachievedto5．7xlO％／mwhenthealleviantconcentrationis0．5moI／L．(2)MagneticNi—Co-Pthinfilmswerepreparedbychangingthec

7、oncentrationofreducer．Theresultindicatedthatthestructureofthethinfilmchangedwiththereducerconcentrationincreased．ThereareQ—Coand13一CosolidsolutionandC02Pgrainwhenthereducer"concentrationisO．15mol／L,thetwocrystalphasecoexistencemaketheeoercivityofthethinfilmincreasedto5．1

8、x104A／m；a-Co(t01)diffractiondisappearwhenthereducerconcentrationis0．3moFL,thiscasedthecoereivityoftheth