介质材料电噪声测试技术及其应用的研究

《介质材料电噪声测试技术及其应用的研究》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、摘要随赘噪声理论的深入研究，人们发现低频噪声可以敏感的反映电子元器件的痰部姣黧，这些蘸貉主要镀旗器尊豹奉孝瓣嫒貉及器箨在裁造或运行期阗产生懿潜在缺陷，褥电子元器侔的失效太都是由这些缺麓造成的，所戳测豢魄子器件的低频噪声可以反映其内在质量和可靠性的优劣。噪声测试用于表征电子器件的可靠性在国际上已经得到了相当广泛的研究和应用，一些常规电子元器件的噪声测量方法已经魄较成熟，如：MOSFET、光电耦合器、薄膜和厚膜电阻、半导体多晶材粒等。鬃怒避来惩决静噪声测爨淘题秘然缀多，鲡；辍低毫疆(金聪接皴)、奔囊撼辩(墩容器)、辍，j、电流(爱编半导俸结)和裰大

2、电流(功率器律)等将殊结构器俘。本文针对介质材料(电容器)的噪声测量难题展开研究，主要究成了以下工作：1、详细分析了传统噪声测试方法难以胜任介质材料(电容器)噪声测量的原因，并通过深入研究噪声测试及表征技术，设计实现了～种电流噪声测试系统。’2、使矮电流磲声测试系统对超薄橱Si。?介壤层漏电流噪声澜激，发现在小应力状况下，其噪声谱量现出1／f噪声特性，并随着电压应力的增加噪声幅值不断增大；在受到较大应力后，观测到了应力感生的漏电流，并且在应力感生的漏电流中发现了RTS噪声。3、遴避对辑产生雕S嗓声售号进行时／频蠛懿分耩，谈为隆骥辅助鳆隧穿是产生

3、RTS噪声豹主黉驻因是由手应力瑟豹Si0：层孛产生了疆分子空应貉阱，这些陷阱俘获并发射电子而形成了RTS噪声；并且发糯二氧化硅层的张分子空位陷阱与所施加的应力大小荚系密切，随着应力的增大陷阱的数嫩也会随之增多。4、傻瘸该方法对嚣体键电解电容进行了噪声测试，并利熙镌嚷鳐电容的特煮，设诗了锤电瓣壤豢损镄实验，逶邋嶷验发现，该方法蹲溺予搽嚣壹手介质层损伤及缺陷非常敏感，损伤后的噪声明显要大于损伤前的噪声，并熙伴随着Y值的变化。5、为了反应交流状态下的钽电解电容的噪声特性，通过模拟电容器的正常工俸状态，设计了一嵇交流噪声测试方法，实验发现钽电鳃瞧容的分

4、质层损伤在基建售号静低簇部分反应餮显。关键词：低频噪声介质材料噪声测试AbstractWithin·depthstudyofthenoisetheory,itwasfoundthatlow*frequencynoisecanbeasensitivereflectionofinternaldefectsinelectroniccomponents，includingmaterialdefectandpotentialdefectsinthedeviceduringmanufactureoroperation，thefailureofmostele

5、ctroniccomponentsiscausedbythosedefects．，therefore,measurementoflow．．frequencynoiseofelectronicdevicesCallreflectitsintrinsicqualityandreliability．NoisemeasurelTtentforcharaeterizationthereliabilityofelectronicdeviceshasbeenawiderangeofresearchandapplicationinworldwide．Somec

6、onventionalelectroniccomponentsnoisemeasurementmethodisrelativelymature,suchas：MOSFET，Optocoupler,filmandthick—filmresistance，polycrystallinesemiconductormaterials．However,therestillhavealotofnoisemeasurementunresolvedisSues，suchas：verylowresistance(metalcontact)，dielectricm

7、aterials(capacitors)，theminimumcurrent(anti-partialsemiconductorjunction)andthegreatcurrent(powerdevice)，andsooll·ThisPaperstudyondielectricmaterials(capacitors)noisemeasurementproblem，mainlycompletedthefollowingwork：1．Detailedanalysisofthetraditionalnoisemeasurementwhyfaile

8、dinmeasBredielectricmaterials(capacitors)，andthrou豳in—depthstudythenoisemea