nsa5311在磁传感器中应用

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1、市场应用NSA5311在磁传感器中应用磁传感器是传感器中应用最为广泛的门类之一，应用领域非常广泛。与温度、压力或者流量等直接测量物理属性参数变化不同，磁传感器一般不是直接测量相关物理属性，而是检测变化，或者由物体或事件引起的磁场干扰。因此，磁场可能带有与方向、存在状态、选装、角度或电流等属性相关的信息，而这些信息将由磁传感器转换为电压。少数磁传感器是完全测量磁场，例如指南针中测量地磁场。输出信号需经过一些信号处理以转换为所需参数。显然，磁场分布取决于产生或干扰磁场的物体（即磁体、电流等）或事件的距离和形式。因此在应用

2、设计中，应始终考虑传感器和产生磁场的物体这两方面的因素，这一点非常重要。尽管磁传感器的使用难度更大，但却能提供精确、可靠的数据，而且无需使用物理端子。磁阻传感器的主要特性磁传感器广泛用于现代工业和电子产品中以感应磁场强度来测量电流、位置、方向等物理参数。在现有技术中，有许多不同类型的传感器用于测量磁场和其他参数，例如采用霍尔（Hall）元件，各向异性磁电阻（AnisotropicMagnetoresistance,AMR）元件或巨磁电阻（GiantMagnetoresistance,GMR）元件为敏感元件的磁传感器。

3、以霍尔元件为敏感元件的磁传感器通常使用聚磁环结构来放大磁场，提高霍尔输出灵敏度，从而增加了传感器的体积和重量，同时霍尔元件具有功耗大，线性度差的缺陷。AMR元件虽然其灵敏度比霍尔元件高很多，但是其线性范围窄，同时以AMR为敏感元件的磁传感器需要设置Set/Reset线圈对其进行预设/复位操作，造成其制造工苏州纳芯微电子股份有限公司www.novosns.com电话：0512-62601802邮箱：sales@novosns.com市场应用艺的复杂，线圈结构的设置在增加尺寸的同时也增加了功耗。以GMR元件为敏感元件的磁

4、传感器较之霍尔电流传感器有更高的灵敏度，但是其线性范围偏低。TMR（TunnelMagnetoResistance）元件是近年来开始工业应用的新型磁电阻效应传感器，其利用的是磁性多层膜材料的隧道磁电阻效应对磁场进行感应，比之前所发现并实际应用的AMR元件和GMR元件具有更大的电阻变化率。我们通常也用磁隧道结（MagneticTunnelJunction，MTJ）来代指TMR元件，MTJ元件相对于霍尔元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更低的功耗，更好的线性度，不需要额外的聚磁环结构；相对于AMR元件具有更好的温度

5、稳定性，更高的灵敏度，更宽的线性范围，不需要额外的set/reset线圈结构；相对于GMR元件具有更好的温度稳定性，更高的灵敏度，更低的功耗，更宽的线性范围。下图是四代磁传感技术原理图。下表是霍尔元件、AMR元件、GMR元件以及TMR元件的技术参数对比，可以更清楚直观的看到各种技术的优劣。灵敏度工作范围分辨率温度特性技术功耗(mA)尺寸(mm)(mV/V/Oe)(Oe)(mOe）(℃)Hall5～201×10.051～1000500＜150AMR1～101×110.001～100.1＜150GMR1～102×230.

6、1～302＜150TMR0.001～0.010.5×0.5200.001～2000.1＜200TMR主要特性苏州纳芯微电子股份有限公司www.novosns.com电话：0512-62601802邮箱：sales@novosns.com市场应用下图是一个MTJ元件的结构原理图。MTJ元件由钉扎层（PinningLayer）、隧道势垒层（TunnelBarrier）、自由层（FreeLayer）构成。钉扎层由铁磁层（被钉扎层，PinnedLayer）和反铁磁层（AFMLayer）构成，铁磁层和反铁磁层之间的交换耦合作用

7、决定了铁磁层的磁矩方向；隧道势垒层通常由MgO或Al2O3构成，位于铁磁层的上部。铁磁层位于隧道势垒层的上部。如图所示的箭头分别代表被钉扎层和自由层的磁矩方向。被钉扎层的磁矩在一定大小的磁场作用下是相对固定的，自由层的磁矩相对于被钉扎层的磁矩是相对自由且可旋转的，随外场的变化而发生翻转。各薄膜层的典型厚度为0.1nm到100nm之间。底电极层（BottomConductingLayer）和顶电极层（TopConductingLayer）直接与相关的反铁磁层和自由层电接触。电极层通常采用非磁性导电材料，能够携带电流输入

8、欧姆计，欧姆计适用于已知的穿过整个隧道结的电流，并对电流（或电压）进行测量。通常情况下，隧道势垒层提供了器件的大多数电阻，约为1000欧姆，而所有导体的阻值约为10欧姆。底电极层位于绝缘基片（InsulatingLayer）上方，绝缘基片要比底电极层要宽，且位于其他材料构成的底基片（BodySubstrate）的上方。底基片的材料通常是硅、石英