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1、ICS77.150.99H62园雪中华人民共和国国家标准GB/T10117—2009代替GB/T1011719882009-10-30发布纯镟l。Jl",UHighpurityantimonium2010-06-01实施宰瞀鳃紫瓣警糌瞥星发布中国国家标准化管理委员会厘111高前言GB/T10117—2009本标准代替GB/T10117—1988《高纯锑》。本标准与GB/T10117—1988相比,主要有如下变动:——增加了“规范性引用文件”;——化学成分增加“杂质总量含量”一栏,并对杂质的含量做了一些调整,主要是金、镉、铅的技术参数;——在“检验规则”中增加“
2、每批产品的重量一般应不大于100kg”;——在“产品交付”中增加“外用塑料薄膜密封”;——将原标准中“产品的化学成分的分析方法按供方现行方法进行;仲裁分析按供需双方认可的方法进行”改为“产品的化学成分分析按YS/T35.1~35.4高纯锑化学分析方法进行”;——对原标准中“在收到产品之日起三个月内向供方提出”中三个月的时间做了修改;——将原标准中“化学成分检验不合格时,应取双倍数量的试样进行复验。如其中有一个试样结果仍不符合本标准的要求,则判定该批产品为不合格品。”改为“化学成分检验不合格时,则判定该批产品为不合格品。”。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术
3、委员会提出。本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。本标准负责起草单位:峨嵋半导体材料厂。本标准主要起草人:王炎、蒋蓉。本标准所代替标准的历次版本发布情况为:——GB/T10117—1988。高纯锑GB/T10117—20091范围本标准规定了高纯锑的要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输、贮存和订货单(或合同)内容等。本标准适用于以工业锑为原料,经氯化、精馏、氢气还原、蒸馏等而制得的纯度不小于99.999%的以及不小于99.9999%的高纯锑。产品用于制备Ⅲ一V族半导体材料、高纯合金、热电致冷元件以及用作硅、锗单晶的掺杂剂等。2
4、规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本标准。YS/T35(所有部分)高纯锑化学分析方法3技术要求3.1产品分类高纯锑按纯度分为Sb一05、Sb-06两个牌号。3.2化学成分各牌号的化学成分的质量分数应符合表1规定:表1牌号Sb_05Sb_06Sb含量/%,不小于99.9999杂质含量总量/(×10_5),不大于101AR0.050.01Au
5、0.10.03Cd0.50.01Cu0.050.01Fe0.50.05Mg0.20.05Ni0.20.05杂质含量/(×10-6),不大于Pb0.30.03Zn0.50.05Mn0.050.01As1.50.3S0.50.1Si1.00.1Bl0.20.02GB/T10I17—20093.3外观质量产品呈银白色,块状,结晶致密,无氧化色斑。3.4其他需方如有特殊要求时,由供需双方协商解决。4试验方法4.1产品的化学成分分析按YS/T35的规定进行。4.2产品外观用目视检查。5检验规则5.1检查和验收5.1.1产品由供方的技术监督部门进行检验,保证产品符合本标准
6、的要求,并填写质量证明书。5.1.2需方可对收到的产品进行检验,如检测结果与本标准规定不符时,在收到产品之日起两个月内向供方提出,双方协商解决。5.2组批产品应成批提交验收。每批由同一生产工艺、同一牌号的产品组成。每批产品的重量一般应不大于100kg。5.3取样仲裁取样方法:在每批产品中任意取1瓶~3瓶,每瓶取5g~10g。所取试样研磨成粉末,混合均匀。5.4检验结果的判定化学成分和外观质量检验不合格时,则判定该批产品为不合格。6标志、包装、运输、贮存6.1包装6.1.1产品用洁净聚乙烯塑料瓶包装,每瓶净重为500g、1000g、2000g三种规格,外用塑料薄
7、膜密封。或按双方认可的包装规格和包装方式封装。6.】.2产品封装后装入木箱,箱内用泡沫塑料等软物塞紧,防止窜动。6.2标识6.2.1每瓶产品应外贴标签,并注明:a)产品名称;b)牌号;c)纯度;d)批号;e)产品净重;D出厂日期fg)方印记。6.2.2包装箱外应有“防潮”、“轻放”等字样或有关运输专用标志,并注明:a)供方名称;b)需方名称;c)产品名称;d)件数;e)出厂日期。2GB/T10117—20096.3贮存本产品应贮存于清洁、干燥,无酸、碱性气氛的环境中。产品有效期为两年。6.4运输本产品在运输过程中应轻拿轻放,不得剧烈碰撞,注意防潮。6.5说明事
8、项本产品为高纯度物质,启封和使用应在洁
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