与标准cmos工艺兼容的硅基光发射器件研究

与标准cmos工艺兼容的硅基光发射器件研究

ID:31652919

大小:73.13 KB

页数:7页

时间:2019-01-16

与标准cmos工艺兼容的硅基光发射器件研究_第1页
与标准cmos工艺兼容的硅基光发射器件研究_第2页
与标准cmos工艺兼容的硅基光发射器件研究_第3页
与标准cmos工艺兼容的硅基光发射器件研究_第4页
与标准cmos工艺兼容的硅基光发射器件研究_第5页
资源描述:

《与标准cmos工艺兼容的硅基光发射器件研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在工程资料-天天文库

1、天津工业大学硕士学位论文与标准CMOS工艺兼容的硅基光发射器件研究姓名:黄春红中请学位级别:硕士专业:信号与信息处理指导教师:牛萍娟郭维廉20090101摘要随着光纤通信技术和微电子技术的飞速发展,光电集成的研究成为当今世界前沿研究的热点。而其中关键的一环,就是要研制出一种能满足光互联技术要求的实用光源。硅是微电子技术的主要材料,但由于其为一种间接带隙的半导体材料,在发光方面具有先天的不足。目前已经发展了多种硅基光发射技术,如多孔硅、纳米硅、错硅等技术,取得了许多重要的进展。但是,这些技术都采取了复杂的工艺手段,与当前微电子超大规模集成电路(VLSI)的成熟工艺不兼容,限制了芯片内部光互联的实

2、现。由于硅发光器件结构简单、与标准CMOS工艺兼容等特点,得到了许多研究者的注意,在发光机理研究、器件结构设计和制备方面。取得了很大的进展。文在与标准COMS工艺兼容的硅基光发射器件方面进行了广泛而深入的研究,通过测试Chartered公司0・35/zmdg(双栅)标准CMOS工艺进行流片制造的不同结构器件,对实验结果进行总结,分析了结构对器件特性的影响。在此基础上,采用0.35/zm标准CMOSEEPROM工艺进行了器件结构的改进设计,尝试了一批新的结构设计例如圆形器件、尖端注入型器件等并进行流片。并且通过理论和实际测试分析了工艺对器件特性的影响。重点对栅压控制结构、三端器件进行了测试和分析

3、,明确了栅的控制机理,并且发现了三端器件明显的控制效果。关键词:硅基光电集成回路;标准CM0S工艺;硅基发光器件AbstractAsthesurprisingdeve1opmentoffiberte1ecommunicationandmicroe1ectronics••technology,optoelectronicintegratedcircuit(0EIC)becomesthefocusofadvancedresearchintheworldrecent1y.Oneofthekeyworksistorealizeapractical1ightsourcetosatisfytherequi

4、rementofopticalinterconnection.AlthoughSiliconisthemainmaterialofmicroelectronicstechnology,itislightemitterduefundamentalbandaremanymaterialnotthebestchoicefortoitsindirectgap.Atpresent,theresapp1iedtosilicon—based1ightemission,suchasporoussilicon,nanocrystals,SiGeandS0on.However,thistechniquemakes

5、therealizationofoptica1interconnectionhard,forcomp1exmethodsandthatcannotbecompatiblewiththematureverylargescaleintegratedcircuitstechnology.Becausethesi1iconlightemittingdevicehassimplestructureandiscompatiblewiththestandardCMOStechnology,itgetsmuchattentionofresearchers.Therehavemadegreatprogressi

6、ntheresearchof1ightemissionmechanism,devicedesignandmaterialpreparation.Thisarticlemainlydiscussestheresearchonsilicon—based1ightemittingdevicedeeply.Basedonthetestresu1tofthedeviceswithdifferentstructureusingCharteredo.35#mdg(dual—gate)standardCMOStechno1ogy,summarizestheexperimentalresultsandanaly

7、sisestheinfluencethatdifferentstructurehasonthedevicecharacteristics.Thenewdevicesofstruccircularandinjfabricatedwithturesforexampleectiondeviceare0.3511mstandardCMOSEEPROMtechno1ogyforimproveddesign.

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。