高考物理二轮复习 专题7 带电粒子在复合场中的运动专题卷(含解析)

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1、专题7带电粒子在复合场中的运动说明:1.本卷主要考查带电粒子在复合场中的运动。2.考试时间60分钟,满分100分。一、选择题:本题共8小题,每小题6分。在每小题给出的四个选项中,第1~5题只有一项符合题目要求,第6~8题有多项符合题目要求。全部选对的得6分,选对但不全的得3分,有选错的得0分。1.(2017·北京东城区模拟)如图所示,一束质量、速度和电荷量不全相等的离子,经过由正交的匀强电场和匀强磁场组成的速度选择器后,进入另一个匀强磁场中并分裂为A、B两束,下列说法中正确的是(  )A.组成A束和B束的离子都带负电B.组成A束和B束的离子质量一定不同C.A束

2、离子的比荷大于B束离子的比荷D.速度选择器中的磁场方向垂直于纸面向外【解析】由左手定则知,A、B离子均带正电,选项A错误;两束离子经过同一速度选择器后的速度相同,在偏转磁场中,由可知,半径大的离子对应的比荷小,但离子的质量不一定相同,选项B错误、C正确;速度选择器中的磁场方向应垂直纸面向里,选项D错误。【答案】C2.(2017·湖南长沙模拟)如图所示,一个理想边界为PQ、MN的匀强磁场区域,磁场宽度为d,方向垂直纸面向里。一电子从O点沿纸面垂直PQ以速度v0进入磁场。若电子在磁场中运动的轨道半径为2d。O′在MN上,且OO′与MN垂直。下列判断正确的是(  )

3、A.电子将向右偏转B.电子打在MN上的点与O′点的距离为dC.电子打在MN上的点与O′点的距离为dD.电子在磁场中运动的时间为【解析】电子带负电,进入磁场后,根据左手定则判断可知,所受的洛伦兹力方向向左,电子将向左偏转,如图所示,选项A错误;设电子打在MN上的点与O′点的距离为x,则由几何知识得x=r-=2d-=(2-)d,选项B、C错误;设轨迹对应的圆心角为θ,由几何知识得sinθ==0.5,得θ=,则电子在磁场中运动的时间为t==,选项D正确。非常感谢上级领导对我的信任,这次安排我向股份公司述职,既是对我履行职责的监督,也是对我个人的关心和爱护,更是对**

4、百联东方商厦有限公司工作的高度重视和支持。【答案】D3.(2017·辽宁三校调考)如图所示,矩形区域PQNM内存在平行于纸面的匀强电场,一质量为m=2.0×10-11kg、电荷量为q=1.0×10-5C的带正电粒子(重力不计)从a点以v1=1×104m/s的初速度垂直于PQ进入电场,最终从MN边界的b点以与水平边界MN成30°角斜向右上方的方向射出,射出电场时的速度v2=2×104m/s,已知MP=20cm、MN=80cm,取a点电势为零,如果以a点为坐标原点O,沿PQ方向建立x轴,则粒子从a点运动到b点的过程中,电场的电场强度E、电势φ、粒子的速度v、电势能

5、Ep随x的变化图象正确的是(  )【解析】因为匀强电场中的电场强度处处相等,故选项A错误;因为粒子离开电场时的速度v2==2v1,则电场的方向水平向右,沿电场线的方向电势降低,故选项B错误;粒子在电场中运动的过程中.由动能定理可知,qEx=mv2-mv,所以v与x不是线性关系,选项C错误;因为规定a点电势为零,粒子进入电场后做类平抛运动,根据电场力做功与电势能的变化的关系,有qEx=ΔEp=0-Ep,故Ep=-qEx,选项D正确.【答案】D4.(2017·河南郑州预测)物理学家霍尔于1879年在实验中发现,当电流垂直于磁场通过导体或半导体材料左右两个端面时,在

6、材料的上下两个端面之间产生电势差.这一现象被称为霍尔效应,产生这种效应的元件叫霍尔元件,在现代技术中被广泛应用.如图为霍尔元件的原理示意图,其霍尔电压U与电流I和磁感应强度B的关系可用公式UH=kH表示,其中kH叫该元件的霍尔系数.根据你所学过的物理知识,判断下列说法正确的是(  )A.霍尔元件上表面电势一定高于下表面电势B.公式中的d指元件上下表面间的距离C.霍尔系数kH是一个没有单位的常数D.霍尔系数kH的单位是m3·s-1·A-1【解析】非常感谢上级领导对我的信任,这次安排我向股份公司述职,既是对我履行职责的监督,也是对我个人的关心和爱护,更是对**百联

7、东方商厦有限公司工作的高度重视和支持。若霍尔元件为电子导体,应用左手定则可知电子向上偏,上表面电势低,选项A错误;电荷匀速通过材料,有q=qvB,其中L为上下两表面间距,又I=neSv=ne(Ld)v,其中d为前后表面间距,联立可得UH==·,其中d为前后表面之间的距离,n为材料单位体积内的电荷数,e为电荷的电荷量,则选项B错误;由以上分析可知kH=,可知kH单位为m3·s-1·A-1,选项C错误,D正确.【答案】D5.(2017·广西南宁模拟)如图所示,水平放置的平行金属板A、B与电源相连,两板间电压为U,距离为d.两板之间有垂直于纸面向里的匀强磁场,磁感应

8、强度大小为B1.圆心为O的圆形区域内存

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