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时间：2019-01-07
《关于杨帆“硼酸钆锂晶体的晶体生长方法”专利的公示.doc》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、关于杨帆“硼酸钆锂晶体的晶体生长方法”专利的公示根据上海有关部门2010年非上海生源毕业生申请进沪材料，“毕业生在本人最高学历学习期间获得或申请专利的，须提交专利证书复印件或专利申请受理证明（验原件），并须提供经校级就业主管部门在本校网站上公示无异议的书面证明材料原件”之规定，现将杨帆同学的专利情况公示如下： 中国科学院上海硅酸盐研究所申请的专利“硼酸钆锂晶体的晶体生长方法”发明人之一为2010级毕业学生杨帆，学号200718004022049。专利材料见附件。 公示时间：2010年4月2日至2010年
2、4月8日 公示期间，如有异议者请与上海硅酸盐研究所研究生部联系。 联系电话：52414818 联系人：赵雪盈二〇一〇年四月二日附件1：发明专利请求书附件2：专利申请受理通知书附件1：附件2：
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