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1、3•三极管各极对公共端电位如图所示，则处于放大状态的硅三极管是（）电子技术月考试题一、单项选择题1.已知某NPN型晶体管处于放大状态，测得其三个电极的电位分別为6.3V、9V和6V,则三个电极分别为（）A.发射极、基极和集电极B.基极、发射极和集电极C.集电极、基极和发射极D.集电极、发射极和基极2.如图所示电路中，已知VCC=12V,Rc=3kQ,晶体管B=50,且忽略Ube，若要使静态时％二6V,则心应取（）A.200kQB.300kQC.360kQD.600kQ4.在共射极放人电路中，若测得三极管的静态管压降Uce近
2、似等于电源电压％时，则该管工作状态为（）A.饱和C.放大B.截止D.不能确定5.在共射极放大电路屮，当其他参数不变只有负载电阻R「增大时,3•三极管各极对公共端电位如图所示，则处于放大状态的硅三极管是（）电子技术月考试题一、单项选择题1.已知某NPN型晶体管处于放大状态，测得其三个电极的电位分別为6.3V、9V和6V,则三个电极分别为（）A.发射极、基极和集电极B.基极、发射极和集电极C.集电极、基极和发射极D.集电极、发射极和基极2.如图所示电路中，已知VCC=12V,Rc=3kQ,晶体管B=50,且忽略Ube，若要使静
3、态时％二6V,则心应取（）A.200kQB.300kQC.360kQD.600kQ4.在共射极放人电路中，若测得三极管的静态管压降Uce近似等于电源电压％时，则该管工作状态为（）A.饱和C.放大B.截止D.不能确定5.在共射极放大电路屮，当其他参数不变只有负载电阻R「增大时,电压放大倍数将（）A.减少C・保持不变B.增大D.人小不变，符号改变5.在画放大电路的交流通路时常将耦合电容视作短路，直流屯源也视为短路，这种处理方法是（）。A.正确的B.不正确的C.耦合电容视为短路是正确的，直流电源视为短路则不正确。D.耦合电容视为
4、短路是不正确的，直流电源视为短路则止确。6.某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如图所示，欲使静态工作点移至Q'需使（）。A.偏置电阻Rb增加B.集电极电阻K减小C.集电极电阻R「增加D.偏置电阻Rb减小7.若三极管工作在放大区，三个电极的电位分別是6V、12V和6.7V,则此三极管是（）A.PNP型硅管C.NPN型错管9.图示电路中,Va=3V,Vb=OV,则Vf为（）A.-12VB.-9VC.OVD.3VB.PNP型错管D.NPN型硅管若二极管的正向压降忽略不计,-I2V10.某工作在放人状态的三极管，当基极电流h由6
5、0pA降低到40uA时，集电极电流Icl+l2.3mA降低到1.5mA,则此三极管的动态电流放大系数13为（）C.40A.37.5B.3&3D.57.511•图示放大电路屮，电容G断开后电路的电压放大倍数的大小将（）A.减小B.增大C.忽人忽小D.保持不变12.三极管处于放大状态时（）A.发射结反向偏置，集电结正向偏置B.发射结正向偏置，集电结反向偏置C.发射结与集电结均正向偏置D.发射结与集电结均反向偏置13•图示放大电路中三极管的静态管压降弘二7V,则静态电流厶为（）A.5mAB.10mAC.12mAD.24mA14.
6、图示放人电路，输入正弦电压g后，发生了饱和失真，为消除此失真应施是A.增大&B.增大ReC.增大RbD.减小他15.图示放大电路中，三极管的弘:二0.6V,欲得到厶二30uA的静态电流，局的值应取（）A.120kQB.200kQC.380kQD.510kQ16.在P型和N型半导体屮多数载流子分别是（）B.空穴、空穴A.电子、电子C.电了、空穴D.空穴、电了17.固定偏置单管交流放大电路的静态工作点Q如下图所示，当温度升高时，工作点Q将（）。八Jc(mA)A.不改变B.向Q'移动C.向Q"移动D.时而向Q'移动，时而向Q"移
7、动二、填空题1・半导体内的载流子越多，导电能力越o2.三极管的静态工作点过低，将使输出电压岀现失真。2.二极管最重要的特性是o3.半导体二极管导通的条件是加在二极管两端的正向电压比二极管的死区电压。4.若给三极管发射结施加反向电压，可使三极管可靠的o5.半导体的导电能力随着温度的升高而o6.N型半导体中多数载流子是o7.如果放人屯路的静态基极电流太人，会产生失真。8.根据三极管结构的不同，有NPN和两种9.造成固定偏置电压放人电路静态工作点不稳定的主要原因是11・某放大电路在负载开路时，输出4V电压；接入lkQ负载后，其输
8、出电压降为2V,则放大电路的输出电阻为.12•错二极管导通时的正向压降为o12.如果放大电路的静态基极电流太小，将产生失真14•三极管的某一条输出特性曲线是指当为一定值时厶与仏:的关系曲线。14.三极管的发射结止向压降随温度的升高而16•在如图所示电路中，若仅是心增大，则电压放大倍数的绝对值将（增大？减
