电子技术基础试题

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1、模拟电子技术试卷一电子技术测验试卷一一、填空题：将正确的答案填入空格中。（本大题分15小题，每小题2分，共30分）1、在P型半导体中，___kx_______是多数载流子，___zydz_______是少数载流子。2、下图所示电路中，设二极管导通时正向电压为0.7V，则二极管处于__________状态，电流ID=__________。2kΩ10V5V3kΩDID3、振荡器的振幅平衡条件为__________，而起振时，则要求__________。4、两个电流放大系数分别为b1和b2的BJT复合，

2、其复合管的b值约为__________。5、一个由NPN型BJT组成的共射极组态的基本交流放大电路，如果其静态工作点偏低，则随着输入电压的增加，输出将首先出现__________失真；如果静态工作点偏高，则随着输入电压的增加，输出将首先出现__________失真。6、在低频段，当放大电路增益下降到中频增益的__________倍时，所对应的频率称为下限频率。7、放大电路对不同频率的信号具有不同的增益而引起的输出波形失真称为____________________。8、理想运算放大器的差模输入电阻

3、等于__________，开环增益等于__________。9、差动放大电路的共模抑制比定义为______________________________（用文字或数学式子描述均可）；在电路理想对称情况下，双端输出差动放大电路的共模抑制比等于__________。10、单相桥式整流电路，若其输入交流电压有效值为10V，则整流后的输出电压平均值等于__________。11、如下图(a)所示电路的输入vi为正弦交流电压，其输出vo的波形如下图(b)所示，则可知功放管__________工作不正常。1

4、6Ωvovi+VCCRL-VCCT1T2(a)模拟电子技术试卷一0wtp2pvo(b)3、下图所示放大电路中引入的反馈组态是____________________。该反馈能稳定电路的输出电__________。vo＋－RLR1vi＋－io4、根据相位平衡条件判断下图所示电路是否可能振荡，答：__________。C1C2RERB2RB1VCCCL1L25、场效应管是__________控制器件。BJT是__________控制器件。6、下图是N沟道JFET的转移特性曲线，可知其饱和漏极电流IDS

5、S=__________。321-4-2iD(mA)VGS(V)一、单项选择题：将每小题中唯一正确的选项填在括号内。（本大题分10小题，每小题2分，共20分）1、当NPN型BJT的VCE>VBE且VBE>0.5V时，则BJT工作在（）。A、截止区B、放大区C、饱和区D、击穿区模拟电子技术试卷一2、某负反馈放大电路框图如下所示，则电路的增益为（）。A、100B、10C、90D、0.09=100o=0.09i3、电路如下所示，A为理想运放，若要满足振荡的相应条件，其正确的接法是（）。A、1与3相接，2

6、与4相接B、1与4相接，2与3相接C、1与3相接，2与5相接D、2与3相接，1与5相接5－＋R1RCCRR212344、下图所示电路，二个稳压管的正向导通压降均为0.7V，稳定电压均为5.3V。图中A为理想运算放大器，所用电源电压为±12V。若vi=0.5V，则输出电压vo=()。A、-12VB、12VC、6VD、-6Vvo＋－ARvi＋－5、乙类双电源互补对称功率放大电路中，出现交越失真的原因是（）。A、两个BJT不对称B、输入信号过大C、输出信号过大D、两个BJT的发射结偏置为零6、BJT放大

7、电路增益在高频段下降的主要原因是（）。A、耦合电容的影响B、滤波电感的影响C、BJT的结电容的影响D、滤波电容的影响模拟电子技术试卷一7、下图所示电路实现（）运算。A、积分B、对数C、微分D、反对数ViCRVO＋－8、若希望抑制500Hz以下的信号，应采用（）类型的滤波电路。A、低通B、带通C、带阻D、高通9、下列电路中，能实现交流放大的是（）。A、（a）图B、(b)图C、(c)图D、(d)图＋＋－vovi＋＋－＋＋－vovi＋＋－+12V＋＋+12V(b)(a)+12V＋＋－vovi＋＋－＋＋－

8、vovi＋＋－＋+12V(d)(c)10、差动放大电路中所谓共模信号是指两个输入信号电压（）。A．大小相等、极性相反B．大小相等、极性相同C．大小不等、极性相同D．大小不等、极性相反一、电路如图所示，设b=100，rbb’»0,VBE=0.7V,C1、C2足够大，求：1．静态工作点2．画出简化H参数小信号等效电路3．中频电压放大倍数模拟电子技术试卷一1．输入电阻和输出电阻＋＋－＋＋－＋Rb251kΩViVoC1C2CeRe2RCRL24kΩRb1Re12kΩ6kΩ2.2kΩ100Ω