材料成型基本原理,pdf

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时间:2018-12-29

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1、为了适应公司新战略的发展,保障停车场安保新项目的正常、顺利开展,特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划材料成型基本原理,pdf第一章:液态金属的结构与性质1雷诺数Re:当Re>2300时为紊流,Re球状>杆状>板状。第三章:金属凝固热力学与动力学1溶质平衡分配系数Ko:定义为特定温度T*下固相合金成分浓度Cs*与液相合金成分浓度C*L达到平衡时的比值。Ko=Cs/Cl。假设液相线及固相线为直线,此时Ko=常数,与温度及浓度无关,Ko为定值。对于Ko1,Ko越大,则成分偏析越严重。2Ko的热力学意义:溶质平衡分配系数主要取决于溶质在液固两相中的标准化学位,

2、对于实际合金,还受溶质在液固两相中的活度系数f的影响。Ko的值不仅与温度和压力相关,同时既取决于溶剂,也取决于溶质的种类。3粗糙界面:固液界面固相一侧的点阵位置有一半左右被固相原子所占据,形成坑坑洼洼凸凹不平的界面结构。光滑界面:固液界面固相一侧的点阵位置几乎全部为固相原子所占满,只留下少数空位或台阶,从而整体上平整光滑的界面结构。单个原子逐个地或若干原子同时撞击到已有晶体表面,并且附着于晶体表面的原子按照晶格点阵规律排布起来,成为晶体的新部分。但是晶体表面接纳原子的位置目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解,并感受到安保行业的发展的巨大潜力,可提升其的专业水

3、平,并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展,保障停车场安保新项目的正常、顺利开展,特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划多少与晶体表面的结构有关,晶体表面上有原子空缺位置或存在台阶的位置,容易接纳新的原子,而完全被占满的晶体则难以接纳新原子。Jackson因子α=[ΔHm/]·(η/V),其中ΔHm/Tm为单个原子的熔融熵,k为玻尔滋曼常数。α5的物质凝固时界面为光滑面。第四章:单相及多相合金的结晶1溶质再分配:合金凝固过程,随着温度的不同,液固相平衡成分发生改变;而且由于固相成分与液相原始成分不同,排出的溶质在固液界面前沿富集并形成浓度梯

4、度,所以溶质必然在液固两相重新分布,即所谓的溶质再分配。它不仅仅由Ko决定。证明Ko为常数:设液相线及固相线为直线时的斜率分别为mL及ms,Ko=C*S/C*L=[(Tm-T*)/Ms]/[(Tm-T*)/ML]=ML/Ms=常数2成分过冷判据:①液相只有有限扩散条件下:②液相部分混合:有助于形成成分过冷:①液相中温度梯度小②晶体生长速度快,R大③ML大,即陡的液相线斜率④原始成分浓度高,C0大⑤液相中溶质扩散系数DL低⑥K0<1时,K0小;K0>1目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解,并感受到安保行业的发展的巨大潜力,可提升其的专业水平,并确保其在这个行业

5、的安全感。为了适应公司新战略的发展,保障停车场安保新项目的正常、顺利开展,特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划时,K0大3成分过冷对单相固溶体的影响:①无成分过冷时,界面的微小凸起会立即消失,从而维持平面生长②窄成分过冷区间,界面微小凸起引起溶质在凸起沟槽内密集,进而使熔点下降,抑制凸起横向生长速度并形成一些由低熔点溶质汇集区所构成的网络状沟槽,凸起前端受成分过冷区窄的限制,不能自由生长,最后发展为胞状晶生长③成分过冷区较宽时,胞状晶生长方向垂直于固-液界面,随着GL/R的减小,界面前方的成分过冷区逐渐加宽,胞状晶生成成柱状枝晶④当成分过冷区很大时,固

6、-液界面前方成分过冷的最大值大于熔体中非均质生核大量生核的过冷度,在柱状树枝晶由外向内生长的同时,界面前方这部分熔体将发生大量生核,形成方向各异、生长方向尺寸相近的等轴树枝晶。成分过冷对共晶凝固组织形貌的影响:成分过冷对结晶形貌的影响:当Co一定时,随着GL减小,或R增大时,晶体形貌由平面晶依次发展为胞状树枝晶、柱状树枝晶、等轴树枝晶;而当GL、R一定时,随Co的增加,晶体形貌也同样由平面晶依次发展为胞状树枝晶、柱状树枝晶、等轴树枝晶。4外生生长:晶体自型壁生核,然后由外向内单向延伸的生长方式。内生生长:在液体内部生核自由生长的生长方式。外生生长向内生生长转变时由

7、成分过冷的大小和外来目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解,并感受到安保行业的发展的巨大潜力,可提升其的专业水平,并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展,保障停车场安保新项目的正常、顺利开展,特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划质点非均匀生核的能力两个因素决定。5枝晶间距:枝间晶距是指相邻同次枝晶间的垂直距离,它是树枝晶组织细化程度的表征。枝晶间距越小,组织就越细密,分布于其间的元素偏析范围也就越小,故越容易通过热处理而均匀化。此外这时显微缩松和非金属夹杂物也更加细小分散,与成分偏析相关的各类缺陷也会减轻,因而也就越有利于性能的提高。

8、影响因素:

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