微米材料书籍

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1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划微米材料书籍　　微米级T—型制程技术发展　　【摘要】本文系统介绍了超大规模集成电路电路中微米级T-型制程技术的发展趋势以及存在的问题。　　【关键词】微米；T-型制程；发展趋势　　T-型制程技术是从改善制程结构来加强组件特性，特别是在高频运作方面。其中在制程和氧化层接口的制程宽度仍为微米尺，可以维持短信道组件的高驱动力优势；另一方面，在制程的上半部呈延伸的形状，所以截面较宽，可降低制程的寄生电阻。这可计算结果了解，在相同的延伸宽度条件下，L愈小，则改善的

2、效果愈大。目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　当延伸宽度△L分别为0和μm时，计算T-型制程宽度L的关系。其中假设T-型制程由单一材料组成，T1和T2分别为和μm，制程寄生电阻的影响主要反应在电路的特性上。在数字电路方面，会造成逻辑闸传输的延迟。在RF电路方面，则会严重影响到组件的fmax及噪声特性。RFCMOS是近年来相当热门的研究主题，传统的RFIC市场基

3、于高频特性的考虑，多为三五族半导体组件或Si双载子晶体管技术所主宰，CMOS由于受限于材料的性质，所以很少应用于此领域。不过进入微米纪元后，组件驱动能力明显的提升，加上硅晶圆技术低廉的制造成本，使得RFCMOS产品未来的发展深具潜力。　　由这些式子可知fmax，和NFmin与制程电阻很有关系。根据日本东芝公司在今年的VLSI技术会议中所发表的数据可以发现，当L缩小至mm以后，即使采用制程也难以有效地提升fmax，而且noise特性将严重的恶化，所以应用T-型制程是未来不得不然的作法。　　实际上，T-型制程并不是一个新的概念，例如在三五族半导体高速场效晶体管制作中

4、已被广泛地应用。一般的作法是采用光阻剥落法）方式来形成T-型制程。通常采用三层不同感光特性的光阻，经过两次曝光显影的程序，形成上宽下窄的凹槽样式，并在此凹槽的底部露出基板；而后将金属溅射沉积于凹槽内与光阻上，再以超音波振荡法将光阻与其上的金属去除，留下的原凹槽内的金属即成为T-型制程。应用在GaAsMESFET的T-型金属制程的扫瞄式电子显微镜相片，即采用上述lift-off方式完成。不过此种方式对SiMOS晶体管而言并不适用，主要是因为制程控制性的考虑。因此，必须发展lift-off以外的方法来形成T-型制程。目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受

5、到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　利用选择性硅或硅锗磊晶技术，在poly-Si制程及源/汲极上成长硅或硅锗层。此种方式即所谓的升起式源/汲极晶体管结构，因为选择性硅或硅锗磊晶层使源/汲极部份向上延伸。这种结构可使源/汲极在制程氧化层下的接面深度变浅，对于组件的短信道效应控制有很好的效果且不会牺牲驱动能力。此种方式搭配制程使组件的电阻能进一步降低。不过此种方法和上述金属选择性沉积方法一样有制　　中美表面粗糙度

6、对照表中旧标(光洁度)▽4中新标(粗糙度)Ra美标(微米)，Ra美国标准(微英寸)，Ra▽▽▽▽　　250XXXX目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　Ra:轮廓算术平均偏差在取样长度内轮廓偏距绝对值的算术平均值Rz：微观不平度十点高度在取样长度内五个最大的轮廓峰高的平均值与五个最大的轮廓谷深的平均值之和。在设计零件时，表面粗糙度数值的选择，是根据零件在机器中的

7、作用决定的。总的原则是：在保证满足技术要求的前提下，选用较大的表面粗糙度数值。具体选择时，可以参考下述原则：工作表面比非工作表面的粗糙度数值小。摩擦表面比不摩擦表面的粗糙度数值小。摩擦表面的摩擦速度愈高，所受的单位压力愈大，则应愈高；滚动磨擦表面比滑动磨擦表面要求粗糙度数值小。对间隙配合，配合间隙愈小，粗糙度数值应愈小；对过盈配合，为保证连接强度的牢固可靠，载荷愈大，要求粗糙度数值愈小。一般情况间隙配合比过盈酝合粗糙度数值要小。配合表面的粗糙度应与其尺寸精度要求相当。配合性质相同时，零件尺寸愈小，则应粗糙度数值愈小；同一精度等级，小尺寸比大尺寸要粗糙度数值小，轴

8、比孔要粗糙度数值小。受周