离子束刻蚀速率与被刻材料的关系

《离子束刻蚀速率与被刻材料的关系》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在应用文档-天天文库。

1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划离子束刻蚀速率与被刻材料的关系　　离子束加工技术　　1离子束溅射技术的发展　　离子束溅射沉积干涉反射膜的进展可总结为［２］:　　*1976年之前，一般干涉反射膜反射率R>99%；　　*1976年离子束溅射干涉膜，反射率R=%；*1979年离子束溅射干涉膜，反射率R=%；*1983年离子束溅射干涉膜损耗降到60ppm,反射率R=%；*1988年离子束溅射干涉膜损耗降到10ppm以下,反射率R=%；*1992年离子束溅射干涉膜损耗降到,反射率R=%；*1997年离子束溅射干涉膜用

2、于ICF三倍频激光反射镜实验，351nm波长激光(脉冲)损伤阈值达20J/cm2；　　*1998年离子束溅射干涉膜用于ICF基频激光反射镜实验，得到了1060nm波长激光损伤阈值　　达50J/cm2，吸收损耗小于6ppm的实验结果。　　在国内，对离子束溅射技术的研究非常少，在很多领域几乎接近于空白，根据国家和时代的需要，这项技　　术的研究在国内变得尤为迫切。　　2离子束溅射技术的原理和特征　　离子束溅射技术目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺

3、利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　在比较低的气压下，从离子源取出的氩离子以一定角度对靶材进行轰击，由于轰击离子的能量大约为　　1keV，对靶材的穿透深度可忽略不计，级联碰撞只发生在靶材几个原子厚度的表面层中，大量的原子逃离　　靶材表面，成为溅射粒子,其具有的能量大约为10eV的数量级。由于真空室内具有比较少的背景气体分子，　　溅射粒子的自由程很大，这些粒子以直线轨迹到达基板并沉积在上面形成薄膜。由于大多数溅射粒子具有　　的能量只能渗入并使薄膜致密，而没有足够的能量使其他粒子移位，造成薄膜的破坏；并且由于低的背景　　气压，薄膜的污染也很低；而且，冷的基板也阻止了

4、由热激发导致晶粒的生长在薄膜内的扩散。因此，在　　基板上可以获得致密的无定形膜层。在成膜的过程中，特别是那些能量高于10eV的溅射粒子，能够渗入　　几个原子量级的膜层从而提高了薄膜的附着力，并且在高低折射率层之间形成了很小梯度的过度层。有的　　轰击离子从靶材获得了电子而成为中性粒子或多或少的被弹性反射，然后，它们以几百电子伏的能量撞击　　薄膜，高能中性粒子的微量喷射可以进一步使薄膜致密而且也增强了薄膜的内应力　　双离子束溅射技术目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车

5、场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　对于大多数光学应用，主离子源和上面描述的单个离子源的功能相同，辅助离子源有下面描述的补充功能：(1)基片的清洗和修整(2)吸收的改善和薄膜的修整　　(3)化学计量比的调整　　3应用前景　　目前，离子束溅射技术的应用领域不断　　地被拓宽，并且应用的光谱波段也早已从可见光拓宽到红外、紫外、χ射线等范围。到1992年，国外已　　运用离子束溅射技术获得了反射率接近六个九的超低损耗高反射激光镜。离子束溅射技术在光纤、计算机、　　通信、纳米技术、新材料、集成光学等领域也即将发挥其强大的作用。尤其信息时代的到来，光纤通

6、讯发　　挥了越来越大的作用，对于光纤通信容量的要求也越来越大，其中关键的器件就是波分复用器，而离子束　　溅射技术正是研制、开发波分复用器的优选技术方案。可见，离子束溅射技术在将来一定有着更加广阔的　　应用前景，引起人们的更加重视。　　4离子束刻蚀工艺　　离子束刻蚀技术的一个很重要的物理参数　　是溅射率。它表征着每一个入射离子打出的原子数。　　刻蚀速率与离子束能量、　　束流大小、离子束轰击表面的入射角以及被加工　　材料的原子结构、晶向等许多因素有关。　　4.1不同材料的刻蚀速率目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个

7、行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　由于离子束刻蚀装置中采用了中和灯丝,可　　中和Ar+离子的正电荷,使正离子束变成中性　　束。以这种高能的中性束轰击被刻蚀基片而实现　　刻蚀加工,所以对材料无选择性,金属非金属均　　可刻蚀。只是不同材料的刻蚀速率不一样。　　表1几种常用材料的刻蚀速率　　材料名称AuPtWSiSiO2　　刻蚀速率/nm·min-166.