全国大联考四月份理科综合能力测试（主卷）答案.doc

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1、2002年4月全国大联考试题(主卷)理科综合参考答案及评分标准第Ⅰ卷单选题：共20小题，每小题6分，共120分1.A2.A3.C4.C5.D6.D7.B8.A9.C10.B11.B12.D13.D14.B15.B16.C17.D18.B19.C20.C第Ⅱ卷21.(本题共12分)(1)常(1分)隐(1分)(2)aaXBXb或aaXBXB(2分),AAXbY或AaXbY(2分)(3)1/12(2分)(4)1/24(2分)(5)近亲(2分)22.(本题共24分)(1)②③⑥(6分)(2)②(2分)在光合作用中应该供给二氧化碳.在水中含有一定量的二氧化碳的试剂就是碳酸和Na

2、HCO3的溶液.当在水中二氧化碳过多时就会使HCO—3的浓度增大,故二氧化碳就几乎不会外逸到空气中,保证二氧化碳的供给.(4分)(3)升高(4分)(4)降低(4分)(5)③(4分)23.(本题共28分)(1)D(4分)(2)①C11H19NOSCl2(4分)②能(2分)△(3)甲厂：催化剂△①C+H2O(g)CO+H2催化剂△CO+H2O(g)CO2+H2N2+3H22NH3(每式1分)700～900℃②乙厂：催化剂△CH4+H2OCO+3H2催化剂△CO+H2OCO2+H2N2+3H22NH3(每式1分)△③丙厂：催化剂△C5H12+5H2O5CO+11H2催化剂△

3、CO+H2O(g)CO2+H2N2+3H22NH3(每式1分)④由甲厂生产过程化学方程式可得如下关系：C+2H2O(g)2H2+CO2得n(H2)∶n(CO2)=2∶1由乙厂生产过程化学方程式可得如下关系：CH4+2H2O4H2+CO2得n(H2)：n(CO2)=4∶1由丙厂生产过程化学方程式可得如下关系：C5H12+10H2O(g)16H2+5CO2得n(H2)∶n(CO2)=3.3∶1由合成尿素CO(NH2)2反应方程式:2NH3+CO2CO(NH2)2+H2On(H2)∶n(CO2)=3∶1第4页对照三家厂的原料气H2和CO2物质的量之比,只有丙厂接近3:1,故

4、丙厂的原料利用率最高.(5分)24.(本题共15分)(1)铁屑,Fe+2H+Fe2++H2↑(每格2分，共4分)(2)打开,H2(每格2分，共4分)(3)关闭活塞E,使FeSO4溶液压入B瓶中进行反应(4分)(4)4Fe(OH)2+O2+2H2O4Fe(OH)3(3分)25.(1)干冰(固体二氧化碳)、碘化银(AgI)；(2分)(2)对流层、纬度、8km-18km(4分)(3)CH3—N—CH3(1)＋2N2O4(g)2CO2(g)+4H2O(g)+3N2(g)+2550kJ（4分）NH2(4)341.6g(5分)解题提示：(3)n(C)∶ｎ(H)∶n(N)＝1∶4∶

5、1，化学式为C2H8N2；(4)Q＝mgh1＋mv21＝mgh1＋(mgh2＋fmgh2)Q＝1.452×104kJ，偏二甲肼的质量：Q÷2550×60＝341.6g。26.(本题共22分)(1)电源2(2分)右(2分)(2)基因突变(2分)γ射线(2分)紫外线(2分)(3)5.0×1014(6分)(4)①Fe2(CN)－6②M+③MFe2(CN)6(每格2分，3格共6分)27.(本题共24分)(1)根据左手定则，磁力线方向应穿透出纸面，按规则用“·”表示。(4分)．．H(2)(8分)(3)=16，分子式为CH4(4分)b粒子为:[H∶C∶H]＋(CH+3)(4分)(

6、4)C、D(4分)28.(本题共20分)(1)根据题意知小球以O点为圆心在水平桌面上做匀速圆周运动，显见摩擦力与绳子拉力T的合力提供向心力(如图所示).设细线与半径r的夹角为θ,则有:F向=fctgθ=m.而f=μmg,ctgθ=,r=.联立以上四式解得v2=.所以Ek=mv2=(10分)(2)因为手持线运动中做功的功率就等于细线拉力的功率，P=(T·sinθ)·v＝fv=(10分)第4页29.小滑块在竖直平面内内沿半球形碗内来回滑动是变速运动，若碗与小滑块间的摩擦力以及空气阻力不计，则在运动中小滑块只受到两个力：重力mg，方向竖直向下；碗对小滑块的支持力，方向沿半径

7、指向球心，由于它的反作用力等于小滑块对碗的压力，故它的大小F应由题图中的F—t图线给出。根据机械能守恒可知，小滑块运动到平衡位置O(即碗底θ=0°处)时速率最大，运动到偏离平衡位置最大处(即偏角最大处时)，速率为零，再根据牛顿定律可知，在平衡位置处，小滑块对碗底的压力F最大，在偏角最大处，压力最小。由牛顿第二定律，在平衡位置O点可建立方程Ｆ0－mg＝ｍ①其中F0和v0分别是小滑块运动至平衡位置O时，小滑块受到的支持力和速率，R是碗的半径。在最大偏角处A点可建立方程FA－mgsinθA＝0②其中θA为最大偏角，FA为小滑块运动至最大偏角时所受支持压力，