古代信息存储方面所采用的材料,方法和工具等资料.

《古代信息存储方面所采用的材料,方法和工具等资料.》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在应用文档-天天文库。

1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划古代信息存储方面所采用的材料,方法和工具等资料.　　一、微电子芯片技术发展对材料的需求　　在微电子技术发展的过程中，材料科学和技术起着非常重要的作用。材料是基础，微电子技术的进展有赖于材料科学和技术的巨大员献。—方面，集成电路本身是制造在各相关体或薄膜材料之上的；另一方面，制造过程中也涉及到一系列材料问题。每次在材料方面的革新都会使微电子技术出现飞跃。　　·衬底材料。　　·栅结构材料和栅电极两部分）。　　·存储

2、电容材料：目前在利用新型氧化物铁电材料制备半导体随机存储器方面的研究可分为两个方面：其一是利用它们的高介电常数特性，用于替代SiO2作为DRAM的存储电容绝缘介质层材料；其一是利用铁电材料的电极化强度随电压变化的电滞效应、制备具有非挥发性的铁电随机存储器(NVFRAM)。目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划古代信息存储方面

3、所采用的材料,方法和工具等资料.　　一、微电子芯片技术发展对材料的需求　　在微电子技术发展的过程中，材料科学和技术起着非常重要的作用。材料是基础，微电子技术的进展有赖于材料科学和技术的巨大员献。—方面，集成电路本身是制造在各相关体或薄膜材料之上的；另一方面，制造过程中也涉及到一系列材料问题。每次在材料方面的革新都会使微电子技术出现飞跃。　　·衬底材料。　　·栅结构材料和栅电极两部分）。　　·存储电容材料：目前在利用新型氧化物铁电材料制备半导体随机存储器方面的研究可分为两个方面：其一是利用它们的高介电常数特性，用于替代Si

4、O2作为DRAM的存储电容绝缘介质层材料；其一是利用铁电材料的电极化强度随电压变化的电滞效应、制备具有非挥发性的铁电随机存储器(NVFRAM)。目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　·局域互连材料：随着集成电路技术的发展，局域互连多晶硅线条的纵向和横向尺寸都越来越小。由于多晶硅的电阻率较高，接触和局域互连成了影响集成电路

5、速度的重要因素之一。利用金属作为栅和局域互连材料可以有很低的电阻率。难熔金属硅化物。采用多晶硅/硅化物复合结构。　　·互连材料：互连材料包括金属导电材料和相配套的绝缘介质材料。传统的导电材料是铝和铝合金，绝缘介质材料是二氧化硅。　　·钝化层材料：半导体表面对外界气氛和杂质沾污十分敏感，即使非常少量的有害杂质沾污和潮湿等都有可能引起集成电路性能的严重迟化。钝化就是通过在不影响已经完成的集成电路性能前提下在芯片表面覆盖一层绝缘介质薄膜，以尽可能地减少外界环境对电路的彤响，使电路封装后可以长期稳定可靠地工作。使用SiOxNy作

6、为钝化层材料越来越多。　　2集成电路关键加工工艺-光刻、刻蚀技术和化学机械抛光技术　　·光刻技术与材料的相关性主要体现在光刻胶、透镜、掩膜板几个方面。·反应离子刻蚀方法是微电子技术中主要的微细加工刻蚀手段。发展对环境无害的环保型RIE技术成为今后刻蚀技术发展的趋势。　　·化学机械抛光技术是一种新型的平坦化工艺技术。由于CMP技术能够很好地满足亚微米以后半导体集成电路技术的要求，日前已成为发展最快、最具发展潜力的平坦化技术，并已经逐渐成为集成电路制造技术中的关键技术，是今后微电子技术中必不可少的工艺技术之一。目的-通过该培

7、训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　二、半导体光电材料　　半导体光电材料是指具有光电功能的半导体材料，它是信息功能材料领域发展最为迅速和有活力的。有源器件的两大重要支撑半导体激光器、半导体探测器材料和器件。　　半导体激光器材料：它在光纤通信系统、波分复用网络、全光网络、光信息处理、存储与显示系统、固体激光器的有效泵浦源、医学以及环境

8、监测等方面有看广泛而重要的作用。CaN、AlCaInP/CaAs红外激光器材料、近红外波段808nmAlCaAs/CaAs和CaInP/CaAs和980nmCaInAs/CaAs和的InP基长波长激光器。　　半导体光电探测器材料：主要是指利用光辐射在半导体中产生的载流子的各种相关效应进行光电转换的一类器件。光伏性探测