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时间:2018-12-25
《高亮度led发光二极管之封装光通原理技术探析》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在应用文档-天天文库。
1、现在是光的时代,也即将是LED发光二极管的时代,我们都需要生活在一个明亮的环境下,毫無疑問的,這個世界需要高亮度發光二極管(HighBrightnessLight-EmittingDiode;HBLED),不僅是高亮度的白光LED(HBWLED),也包括高亮度的各色LED,且從現在起的未來更是積極努力與需要超高亮度的LED(UltraHighBrightnessLED,簡稱:UHDLED)。 用LED背光取代手持裝置原有的EL背光、CCFL背光,不僅電路設計更簡潔容易,且有較高的外力抗受性。用LED背光取代液晶電視原有的CCF
2、L背光,不僅更環保而且顯示更逼真亮麗。用led照明取代白光燈、鹵素燈等照明,不僅更光亮省電,使用也更長效,且點亮反應更快,用於煞車燈時能減少後車追撞率。 所以,LED從過去只能用在電子裝置的狀態指示燈,進步到成為液晶顯示的背光,再擴展到電子照明及公眾顯示,如車用燈、交通號誌燈、看板訊息跑馬燈、大型影視牆,甚至是投影機內的照明等,其應用仍在持續延伸。 更重要的是,LED的亮度效率就如同摩爾定律(Moore''sLaw)一樣,每24個月提升一倍,過去認為白光LED只能用來取代過於耗電的白熾燈、鹵素燈,即發光效率在10∼30l
3、m/W內的層次,然而在白光LED突破60lm/W甚至達100lm/W後,就連螢光燈、高壓氣體放電燈等也開始感受到威脅。 雖然LED持續增強亮度及發光效率,但除了最核心的螢光質、混光等專利技術外,對封裝來說也將是愈來愈大的挑戰,且是雙重難題的挑戰,一方面封裝必須讓LED有最大的取光率、最高的光通量,使光折損降至最低,同時還要注重光的發散角度、光均性、與導光板的搭配性。 另一方面,封裝必須讓LED有最佳的散熱性,特別是HB(高亮度)幾乎意味著HP(HighPower,高功率、高用電),進出LED的電流值持續在增大,倘若不能良
4、善散熱,則不僅會使LED的亮度減弱,還會縮短LED的使用壽命。 所以,持續追求高亮度的LED,其使用的封裝技術若沒有對應的強化提升,那麼高亮度表現也會因此打折,因此本文將針對HBLED的封裝技術進行更多討論,包括光通方面的討論,也包括熱導方面的討論。 附註:大陸方面稱為「發光二極管」。 附註:一般而言,HBLED多指8lm/W(每瓦8流明)以上的發光效率。 附註:一般而言,HPLED多指用電1W(瓦)以上,功耗瓦數以順向導通電壓乘以順向導通電流(Vf×If,f=forward)求得。 雖然本文主要在談論
5、LED封裝對光通量的強化,但在此也不得不先說明更深層核心的裸晶部分,畢竟裸晶結構的改善也能使光通量大幅提升。 首先是強化光轉效率,這也是最根源之道,現有LED的每瓦用電中,僅有15%∼20%被轉化成光能,其餘都被轉化成熱能並消散掉(廢熱),而提升此一轉換效率的重點就在p-n接面(p-njunction)上,p-n接面是LED主要的發光發熱位置,透過p-n接面的結構設計改變可提升轉化效率。 量子井(QuantumWell;QW)的結構圖。 關於此,目前多是在p-n接面上開鑿量子井(QuantumWell;QW),以此
6、來提升用電轉換成光能的比例,更進一步的也將朝更多的開鑿數來努力,即是多量子井(MultipleQuantumWell;MQW)技術。 裸晶層:「換料改構、光透光折」拉高「出光效率」 如果光轉效率難再要求,進一步的就必須從出光效率的層面下手,此層面的作法相當多,依據不同的化合材料也有不同,目前HBLED較常使用的兩種化合材料是AlGaInP及GaN/InGaN,前者用來產生高亮度的橘紅、橙、黃、綠光,後者GaN用來產生綠、翠綠、藍光,以及用InGaN產生近紫外線、藍綠、藍光。 至於作法有哪些?這包括改變實體幾何結構(
7、橫向轉成垂直)、換用基板(substrate,也稱:襯底)的材料、加入新的材料層、改變材料層的接合方式、不同的材料表面處理等。不過,無論如何變化,大體都不脫兩個要則:一、降低遮蔽、增加光透率。二、強化光折射、反射的利用率。 舉例來說,過去AlGaInP的LED,其基板所用的材料為GaAs,然黑色表面的GaAs使p-n接面散發出的光有一半被遮擋吸收,造成光能的浪費,因此改用透明的GaP材料來做基板。又如日本日亞化學工業(Nichia)在GaN的LED中,將p型電極(ptype)部分做成網紋狀(MeshPattern),以此來增加
8、p極的透明度,減少光阻礙同時提升光透量。 至於增加折反射上,在AlGaInP的結構中增加一層DBR(DistributedBraggReflector)反射層,將另一邊的光源折向同一邊。GaN方面則將基板材料換成藍寶石(Sapp
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