上海九晶电子材料股份有限公司生产及辅助用房车间总建筑面积

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1、为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划上海九晶电子材料股份有限公司生产及辅助用房车间总建筑面积　　本文由flyqiner贡献　　pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。150MW晶体硅太阳能电池项目　　环境影响报告书　　上海九晶电子材料股份有限公司XX年11月28日　　1　　1总则　　评价工作的由来目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安

2、保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　上海九晶电子材料股份有限公司位于松江工业园区石湖荡分区长塔路399号，是一家以现代企业制度运作、集科研、生产、加工、贸易为一体的高新技术企业，已建成并进行单晶棒、晶圆、硅片的生产。产品主要应用于太阳能电池、半导体分立元件、集成电路、电力半导体元件、探测器件和硅外延片衬底等行业，其生产工艺先进，有较好的经济和社会效益；公司已通过ISO9001和XX质量体系认证；拥有多名掌握国际先进工艺与技术的高级技术人员、管理人员和大批经验丰富的员工。公司拟在上海建设一个包括单晶硅片生产、太阳能电池生产及封装在内的具

3、有完整产业链的国内最大的太阳能电池生产企业。太阳能电池可为人类提供新的清洁能源，是极有发展前途的高技术产品，得到国家、上海市和松江区的大力支持。项目建设将大幅度增强上海市的太阳能电池产业发展能力和规模，对上海市社会经济发展将带来积极的影响。为此，上海九晶电子材料股份有限公司在上海市松江区石湖荡工业园区内，建设晶体硅太阳能电池生产厂房和辅助用房，以及相应的配套设施，和已有生产线配套，完成从拉晶、切片到晶体硅太阳能电池的一整套完整产业链。总投资65602万元，形成150MW晶体硅太阳能电池生产能力。本次扩建严格贯彻环境保护的要求，淘汰落后生产工艺，更新、改造落后老化的工艺、设备，

4、完善生产环节，进一步实施清洁生产，减少建筑面积，增加污染治理设施。项目在生产过程中将产生工艺废气、工艺废水、工艺废渣、设备噪声、员工生活污水、生活垃圾等环境不利因素。根据《中华人民共和国环境保护法》、《中华人民共和国环境影响评价法》及国务院令第253号《建设项目环境保护管理条例》和XX年10月1日施行的《建设项目环境影响评价分类管理名录》中的有关规定，拟建项目属于C41电子制造业，必须在项目建设可行性研究阶段编制环境影响评价报告书。为此，上海九晶电子材料股份有限公司委托上海师范大学和东华大学进行该项目的环境评价工作。本评价课题组在对建设地区环境　　2目的-通过该培训员工可对保

5、安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　现状进行了详细的调查与监测的基础上，对该项目的工程内容、生产工艺、主要原辅材料用量及能源消耗、污染物排放的环节、源强以及现有项目污染物排放情况等进行了认真的分析，分析和预测了本项目对周围环境产生的影响程度和范围，评价污染防治措施的效果，并提出相应环保对策，按照项目环境影响评价技术导则，编制了本项目环境影响报告书。在环评报告书的编制过程中得到了有关方面的支持和帮助，

6、特别是建设方、地方政府、环保局等有关领导、专家给予了大力支持，谨表衷心谢意!　　环境影响识别和评价因子筛选　　环境影响识别　　建设项目主要环境问题可分为施工期和运行期二部分，在本项目中，较为重要和敏感的环境问题是运行期的影响。各时期的影响行为如下：(1)施工期环境影响行为建设项目在施工过程中，人为活动主要有施工现场的清理、地基深层处理、建筑材料的运输、机械施工及基础设施的建造、外墙及内部装修等。这一时期的环境影响行为主要有：①施工平整土地及建筑垃圾；②施工扬尘；③施工机械排放的废气；④泥浆水；⑤施工人员生活污水及生活垃圾；⑥施工机械冲洗水；⑦施工机械及运输车辆的噪声；⑧对道路

7、交通目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解，并感受到安保行业的发展的巨大潜力，可提升其的专业水平，并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展，保障停车场安保新项目的正常、顺利开展，特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划　　的影响。(2)运营期运行期的主要环境影响行为是建设项目排放的废水、废气、噪声及固体废物等，各类污染污染源产生的污染物如下：　　3　　①废水：本工程废水主要包括①清洗产生的酸碱废水；②酸碱废液；③废气处理系统排放的废水；②废气：包括HF、HCl、CF4、Cl2、N