x光阻射材料有哪些

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1、为了适应公司新战略的发展,保障停车场安保新项目的正常、顺利开展,特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划x光阻射材料有哪些  电子光刻工艺基础知识  PHOTO流程?  答:上光阻→曝光→显影→显影后检查→CD量测→Overlay量测何为光阻?其功能为何?其分为哪两种?  答:Photoresist(光阻).是一种感光的物质,其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上传递到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。何为正光阻?  答:正光阻,是光阻的一种,这种光阻的特性是将其曝光之后,感光部分的性质会改变,并在之后的显影过程中被

2、曝光的部分被去除。  何为负光阻?  答:负光阻也是光阻的一种类型,将其曝光之后,感光部分的性质被改变,但是这种光阻的特性与正光阻的特性刚好相反,其感光部分在将来的显影过程中会被留下,而没有被感光的部分则被显影过程去除。  什幺是曝光?什幺是显影?  答:曝光就是通过光照射光阻,使其感光;显影就是将曝光完成后的图形处理,以将图形清晰的显现出来的过程。  何谓Photo?目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解,并感受到安保行业的发展的巨大潜力,可提升其的专业水平,并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展,保障停车场安保新项目的正常、顺

3、利开展,特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划  答:Photo=Photolithgraphy,光刻,将图形从光罩上成象到光阻上的过程。  Photo主要流程为何?  答:Photo的流程分为前处理,上光阻,SoftBake,曝光,PEB,显影,HardBake等。  何谓PHOTO区之前处理?  答:在Wafer上涂布光阻之前,需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作,以使光阻能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括Bake,HDMS等过程。其中通过Bake将Wafer表面吸收的水分去除,然后进行HDMS工作,以使Wa

4、fer表面更容易与光阻结合。  何谓上光阻?  答:上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴被喷涂在高速旋转的Wafer表面,并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。  何谓SoftBake?  答:上完光阻之后,要进行SoftBake,其主要目的是通过SoftBake将光阻中的溶剂蒸发,并控制光阻的敏感度和将来的线宽,同时也将光阻中的残余内应力释放。  何谓曝光?  答:曝光是将涂布在Wafer表面的光阻感光的过程,同时将光罩上的图形传递到Wafer上的过程。  何谓PEB(PostExposureBake)?目

5、的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解,并感受到安保行业的发展的巨大潜力,可提升其的专业水平,并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展,保障停车场安保新项目的正常、顺利开展,特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划  答:PEB是在曝光结束后对光阻进行控制精密的Bake的过程。其目的在于使被曝光的光阻进行充分的化学反应,以使被曝光的图形均匀化。何谓显影?  答:显影类似于洗照片,是将曝光完成的Wafer进行成象的过程,通过这  个过程,成象在光阻上的图形被显现出来。  何谓HardBake?  答:HardBake是通过烘烤使

6、显影完成后残留在Wafer上的显影液蒸发,并且固化显影完成之后的光阻的图形的过程。  何为BARC?何为TARC?它们分别的作用是什幺?  答:BARC=BottomAntiReflectiveCoating,TARC=TopAntiReflectiveCoating.BARC是被涂布在光阻下面的一层减少光的反射的物质,TARC则是被涂布在光阻上表面的一层减少光的反射的物质。他们的作用分别是减少曝光过程中光在光阻的上下表面的反射,以使曝光的大部分能量都被光阻吸收。  何谓I-line?  答:曝光过程中用到的光,由MercuryLamp(汞灯)产生

7、,其波长为365nm,其波长较长,因此曝光完成后图形的分辨率较差,可应用在次重要的层次。何谓DUV?目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解,并感受到安保行业的发展的巨大潜力,可提升其的专业水平,并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展,保障停车场安保新项目的正常、顺利开展,特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划  答:曝光过程中用到的光,其波长为248nm,其波长较短,因此曝光完成后的图形分辨率较好,用于较为重要的制程中。  I-line与DUV主要不同处为何?  答:光源不同,波长不同,因此应用的场合也不同。I-Line

8、主要用在较落后的制程或者较先进制程的Non-Criticallayer。DUV则用在先进制程的Criticallayer上

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