《温度对膜的影响》word版

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1、沉底温度对膜的影响一、对膜结构的影响（AZO透明导电薄膜的制备[J],电子元件与材料，山西科技大学，2012,）衬底温度对薄膜结晶性能的影响显著。基本上随衬底温度的升高，膜的结晶质量变好。1.当基底表面温度较低时，粒子的迁移率较低，形成的薄膜密度低、多孔、表面粗糙。2.随着基底温度的升高，沉积粒子可获得足够能量沿表面和体内迁移，与其它粒子相结合形成晶体，晶体生长速率加快，晶粒变大，薄膜洁净度提高。3.但薄膜的结晶程度不会随着基底温度的升高越来越好，温度过高，薄膜的结晶程度反而有所下降趋势，这是因为温度过高时晶核生长过快，刚溅射而成的薄膜还未及稳定形

2、成时新的粒子又沉积下来，影响了其致密性。本实验中，基底温度200℃沉底温度对膜的影响一、对膜结构的影响（AZO透明导电薄膜的制备[J],电子元件与材料，山西科技大学，2012,）衬底温度对薄膜结晶性能的影响显著。基本上随衬底温度的升高，膜的结晶质量变好。1.当基底表面温度较低时，粒子的迁移率较低，形成的薄膜密度低、多孔、表面粗糙。2.随着基底温度的升高，沉积粒子可获得足够能量沿表面和体内迁移，与其它粒子相结合形成晶体，晶体生长速率加快，晶粒变大，薄膜洁净度提高。3.但薄膜的结晶程度不会随着基底温度的升高越来越好，温度过高，薄膜的结晶程度反而有所下降

3、趋势，这是因为温度过高时晶核生长过快，刚溅射而成的薄膜还未及稳定形成时新的粒子又沉积下来，影响了其致密性。本实验中，基底温度200℃沉底温度对膜的影响一、对膜结构的影响（AZO透明导电薄膜的制备[J],电子元件与材料，山西科技大学，2012,）衬底温度对薄膜结晶性能的影响显著。基本上随衬底温度的升高，膜的结晶质量变好。1.当基底表面温度较低时，粒子的迁移率较低，形成的薄膜密度低、多孔、表面粗糙。2.随着基底温度的升高，沉积粒子可获得足够能量沿表面和体内迁移，与其它粒子相结合形成晶体，晶体生长速率加快，晶粒变大，薄膜洁净度提高。3.但薄膜的结晶程度不

4、会随着基底温度的升高越来越好，温度过高，薄膜的结晶程度反而有所下降趋势，这是因为温度过高时晶核生长过快，刚溅射而成的薄膜还未及稳定形成时新的粒子又沉积下来，影响了其致密性。本实验中，基底温度200℃时所形成的AZO薄膜，其内应力就大于基底温度为150℃时的样品，结晶情况稍有下降。对膜表面形貌的影响（AZO透明导电薄膜的制备[J],电子元件与材料，山西科技大学，2012,）随着衬底温度的升高，晶粒尺寸逐渐增大，晶粒趋于均匀，薄膜生长更紧密，1.在室温时薄膜取向性差，为表面多孔且非常粗糙的非晶结构薄膜，2.随着衬底温度的升高，薄膜表面原子团的动能增大，

5、原子团的迁移能力提升，迁移能高的粒子在衬底表面更容易运动，有利于晶核择优生长，产生大而均匀的晶粒，薄膜表面变得致密。3.但衬底温度过高(300℃)时，所沉积的AZO薄膜在各个方向上出现自由生长，晶粒趋向混乱，出现大颗晶粒，薄膜表面也较为粗糙，为多晶甚至非晶状态。1.在温度较低的时候，薄膜的晶粒大小很不均匀，表面粗糙度较大，结构疏松,呈现出絮状结构。2.较高的衬底温度有利于溅射粒子在衬底表面的横向扩散，这将有助于薄膜的成核和生长，有利于薄膜的结晶和择优取向。3.随着衬底温度的升高，薄膜的结晶质量逐渐改善，由絮状结构转变为蜂窝状结构。薄膜表面平整，晶粒

6、大小均匀，晶粒间隙少，结构致密。所以，随着衬底温度的升高，AZO薄膜的表面粗糙度逐渐降低。对透过率的影响（Al掺杂浓度、衬底和退火时间对ZnO薄膜特性的影响[D],2011西北师范大学。）随衬底温度的升高，晶粒尺寸逐渐变大，且薄膜致密性提高，形成AZO薄膜的缺陷减少，对光的散射和吸收少，透过率提高；衬底温度过高时，薄膜会出现大颗晶粒，使其表面变粗糙，结晶度降低，晶界散射增多，形成表面散射光，影响薄膜的透光性能。随着温度的升高，截止吸收边向短波长方向移动，即产生“蓝移”现象。这种现象可以解释为：随着衬底温度的升高，载流子浓度增加，增加的载流子填充于导

7、带中较低的能级，并使价带电子跃迁到导带中较高的能级，使吸收边缘向短波方向移动，即Burstein-Moss效应。对电阻率的影响（Al掺杂浓度、衬底和退火时间对ZnO薄膜特性的影响[D],2011西北师范大学。）方块电阻随衬底温度的升高先降低后升高.n室温下沉积的AZO薄膜结晶情况较差，一般为非晶体或为晶粒尺寸较小的晶体，导致晶界增多，晶界附近堆积着大量的吸附氧，这些吸附氧作为电子陷阱捕获电子从而使载流子浓度降低，薄膜电阻率升高，导电性能变差；n随衬底温度升高，被溅射出来的靶材粒子在衬底吸附后仍有较大的动能，迁移性提高，结晶变得有序，同时晶粒尺寸增大

8、，有利于晶界中吸附氧的脱附，从而使晶界处缺陷数目减小，缺陷密度降低，电子捕获陷阱减少，使载流子浓度增加，AZO薄膜的导电性