2018年高考化学三轮冲刺 专题复习练习卷 碳、硅及其化合物

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1、碳、硅及其化合物1．开发新材料是现代科技发展的方向之一。下列有关材料的说法正确的是A．氮化硅陶瓷是新型无机非金属材料B．普通玻璃、有机玻璃都属于硅酸盐C．纤维素乙酸酯属于天然高分子材料D．单晶硅常用于制造光导纤维2．在一定条件下，下列各组物质不能反应的是①CO2+H2O　②H2O+CO　③CO+CO2　④CO2+C　⑤CaCO3+H2CO3　⑥CO+Fe2O3　⑦Mg+CO2⑧CO+Ca(OH)2　⑨CO2+Na2O2A．②③⑤⑥⑨B．①④⑤⑥⑦C．①②③⑧⑨D．仅③⑧3．石棉属于硅酸盐矿物，某种石棉的化学式可表

2、示为Ca2MgxSiyO22(OH)2，该化学式中x、y的值分别是A．5、8B．8、3C．3、8D．8、54．工业上通过反应“SiO2＋2CSi＋2CO↑”制取单质硅，下列说法正确的是A．自然界中硅元素均以SiO2形式存在B．硅的化学性质不活泼，常温下不与任何物质反应C．该反应条件下C的还原性比Si强D．生成4.48LCO时转移电子数为0.4×6.03×10235．氯气用途十分广泛，可用于生产半导体材料硅，其生产的流程如下，下列说法正确的是A．①③是置换反应，②是化合反应B．高温下，焦炭与氢气的还原性均弱于硅的C

3、．任一反应中，每消耗或生成28g硅，均转移2mol电子D．高温下将石英砂、焦炭、氯气、氢气按一定比例混合可得高纯硅6．SiO2是一种化工原料，可以制备一系列物质(如图所示)。下列说法错误的是A．高炉炼铁时，加入石灰石将铁矿石中的脉石(主要成分为SiO2)转化为易熔的炉渣B．纯净的二氧化硅和单晶硅都是信息产业的重要基础材料C．用盐酸可除去石英砂(主要成分为SiO2)中少量的碳酸钙D．图中所含反应都不属于氧化还原反应7．将足量的CO2不断通入KOH、Ba(OH)2、KAlO2的混合溶液中，生成沉淀的物质的量与所通入C

4、O2的体积关系如图所示。下列关于整个反应过程中的叙述不正确的是A．Oa段反应的化学方程式是Ba(OH)2+CO2BaCO3↓+H2OB．ab段与cd段所发生的反应相同C．de段沉淀减少是由于BaCO3固体溶解D．bc段反应的离子方程式是2+3H2O+CO22Al(OH)3↓+8．[2017江苏]下列有关物质性质与用途具有对应关系的是A．Na2O2吸收CO2产生O2，可用作呼吸面具供氧剂B．ClO2具有还原性，可用于自来水的杀菌消毒C．SiO2硬度大，可用于制造光导纤维D．NH3易溶于水，可用作制冷剂9．在给定的条

5、件下，下列选项所示的物质间转化均能实现的是A．SiO2SiCl4SiB．FeS2SO2H2SO4C．N2NH3NH4Cl(aq)D．MgCO3MgCl2(aq)Mg10．常温下，下列各组物质中，Y既能与X反应又能与Z反应的是XYZ①NaOH溶液Al(OH)3稀硫酸②KOH溶液SiO2浓盐酸③O2N2H2④FeCl3溶液Cu浓硝酸A．①③B．①④C．②④D．②③11．硅是重要的化学元素之一，在从传统材料到信息材料的发展过程中，其创造了一个又一个奇迹。请回答下列问题：（1）硅在元素周期表中的位置是__________

6、______。（2）工业上生产粗硅的反应有SiO2＋2CSi(粗硅)＋2CO↑；SiO2＋3CSiC＋2CO↑。若产品中单质硅与碳化硅的物质的量之比为1∶1，则参加反应的C和SiO2的质量之比为________。（3）工业上可以通过如图所示的流程制取纯硅：①若反应Ⅰ的化学方程式为Si(粗硅)＋3HClSiHCl3＋H2，则反应Ⅱ的化学方程式为___________________________________________。②整个制备过程必须严格控制无水、无氧。SiHCl3遇水剧烈反应生成H2SiO3、HCl

7、和另一种物质，写出该反应的化学方程式：______________________________________。③假设每一轮次制备1mol纯硅，且生产过程中硅元素没有损失，反应Ⅰ中HCl的利用率为90%，反应Ⅱ中H2的利用率为93.75%，则在第二轮次的生产中，补充投入HCl和H2的物质的量之比是________。12．单晶硅是信息产业中重要的基础材料。通常用碳在高温下还原二氧化硅制得粗硅(含铁、铝、硼、磷等杂质)，粗硅与氯气反应生成四氯化硅(反应温度450～500℃)，四氯化硅经提纯后用氢气还原可得高纯硅。

8、以下是实验室制备四氯化硅的装置示意图。相关信息如下：a．四氯化硅遇水极易水解；b．硼、铝、铁、磷在高温下均能与氯气直接反应生成相应的氯化物；c．有关物质的物理常数见下表：物质SiCl4BCl3AlCl3FeCl3PCl5沸点/℃57.712.8－315－熔点/℃－70.0－107.2－－－升华温度/℃－－180300162请回答下列问题：（1）写出装置A中发生反应的离子方