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1、单晶生长棱线+A&`*r%X-g单晶生长棱线的数目与单晶取向有关。!T1A*{5w)Q1
2、6[,
3、9v&Z根据硅单晶柱面上的生长棱线的数目及其对称性，可以判定单晶的取向。.X&n9K"I+C*G单晶体表面的棱线是由倾斜{111}密排面所引起的。2k/C*C%L&X Q)H#c'F!Z对〈100〉取向的硅单晶，由于有四个{111}面和圆柱形晶体倾斜相交，所以在晶体柱面上形成四条对称分布的生长棱线。5C9I){:L5M7T:q!z对〈111〉取向的硅单晶，由于有三个{111}面和圆柱形晶体倾斜相交，所以在晶体柱面上形成三条对称分布的生长棱线。
4、)V9~+D&b/s-M'G4[&H对〈110〉取向的硅单晶，由于有二个{111}面和圆柱形晶体倾斜相交，所以在晶体柱面上形成二条对称分布的生长棱线。[100]晶向的硅单晶有四条对称的棱线，如果断棱就不是单晶了，而[100]晶向无位错硅单晶，不仅要有四条对称的棱线，而且四条棱线还要突出挺直，否则就是有位错硅单晶了。点缺陷：空位(u%x!P7x9O$I:v线缺陷：位错2M4w!R"b9y面缺陷：孪晶+f3p5d&y:E7s.q'j*W体缺陷：旋涡条纹硅中几种晶格缺陷：7E!I#m;[7B$p-c;D硅中的空位和填隙原子；+O,T(e&w'S$
5、~(c;x晶体原生颗粒缺陷(COP)；%k!I$S,W8L激光散射层析缺陷(LSTD)；:O,{5D.I/b-a流动图形缺陷(FPD)；;Z9Y3y-n!W3h"k(p+f体微缺陷——微氧沉淀(BMD)；&V)q4L"r3q4`9~氧化诱生层错(OSF)。太阳电池的转换效率主要依赖于基区的少子寿命。少子寿命越长光照产生的过剩载流子越可能到达PN结，受PN结电场分离后对外产生光电流，同样由于暗电流的降低可增加太阳电池的开路电压，所以大部分生产商都在生产前检验始材料的一些关键性参数，光伏工业生产中最常见的测试就是少子寿命的测试，通过对原始材料的
6、寿命测量预测成品阳电池的效率。Lifetime受bulkmetal與defect的影響.適用單多晶.6~(R8`6})e2}/G多晶的grainboundary多,lifetime一定比單晶低(同以純原料生產相比)&J*_'u%K0%Ldefect有stackingfault,precipitate,dislocation,...etc..Q;+u+o)h/[*yBoron的氧含量高時,經過高溫製程將產生BMD(氧析出物),這是defect的一種,lifetime會下降.2n&F6{1G6s5g K7S&p+B在800degC以上開始
7、凝核,到1050degC時會開始析出,1150以上時變成OISF,1260degC以上時又溶解.8b0R2Q3t-A!k/x2bBoron的氧含量要控制在一定的範圍,不像As,Sb,Ph是愈高愈好.)s)j'j'k2} F3?9c5z!T太陽能cell廠喜歡用lifetime來看(IQC),算有道理也算沒道理..s6@#J6B.p(lbulkmetal高時lifetime會下降,但defect多時也下降,轉換效率也下降,這時會向晶片生產廠客訴,所以純以bulkmetal來找問題會找不到,變成無頭公案,那就換貨了事.9c!P,I$s9^!n
8、;c4m'@(d!f4l4W&L+Q以下相關順序:+B&l9_8b,g6k,i3kbulkmetal與lifetime相關8&N4O8C%t0l$w;^defect與lifetime相關1D&G+l6x4J/ylifetime與bulkmetal+defect相關#[,h)A3关于少子寿命测试若干问题的讨论鉴于目前Semilab少子寿命测试已在中国拥有众多的用户，并得到广大用户的一致认可。现就少子寿命测试中，用户反映的一些问题做出如下说明，供您在工作中参考：1、Semilabμ-PCD微波光电导少子寿命的原理微波光电导衰退法(Microw
9、avephotoconductivitydecay)测试少子寿命，主要包括激光注入产生电子-空穴对和微波探测信号的变化这两个过程。904nm的激光注入（对于硅，注入深度大约为30um）产生电子-空穴对，导致样品电导率的增加，当撤去外界光注入时，电导率随时间指数衰减，这一趋势间接反映少数载流子的衰减趋势，从而通过微波探测电导率随时间变化的趋势就可以得到少数载流子的寿命。少子寿命主要反映的是材料重金属沾污及缺陷的情况。Semilabμ-PCD符合ASTM国际标准F1535–002、少子寿命测试的几种方法通常少数载流子寿命是用实验方法测量的，各种
10、测量方法都包括非平衡载流子的注入和检测两个基本方面。最常用的注入方法是光注入和电注入，而检测非平衡载流子的方法很多，如探测电导率的变化，探测微波反射或透射信号的变化等，这样组合就
