复习提纲及详解

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1、实用标准文案信息材料与器件复习答案分章说一下。第一章的外延那道题感觉大家对外延技术的分类不是很清楚。虽然把MOCVD、MBE、sputtering和SOI、SOS放一起不能算错，但是希望大家能系统地了解外延的分类方法，以免有混乱的感觉。而作图说明MOSFET的工艺流程，建议大家能画类似于梁老师课件上的剖面图，而不是流程框图，毕竟是考试重点。另外，CMOS的特点是既有P管又有N管，只画一种管子不能算是CMOS；在N阱中一般是PMOS，P阱中是NMOS；硅栅工艺的自对准（先刻栅再源漏掺杂），这些基本特点希望大家不要犯错误。这一道题以NMOS单管的流程为主，补完的ppt中有COMS工艺，可能与梁

2、老师课件上有所不同，考虑到了B极接地点，所以有些复杂。仅供参考，希望通过对照能加深理解。以上课时课件为基本。另外单管工艺也考虑到管间的直接连接所以有一步是刻接触孔，不考虑这一点，步骤可以进一步简化。第一章其他的题目以及第二章所有题目，课件上有，或者需要查阅资料，大家完成的都很好，就不多赘述。第三章的第一道题，关于光纤损耗，综合大家的作业和我找的一些资料，对应各种损耗写了一些减小的方法，主要希望大家能进一步了解损耗的组成，有兴趣的同学可以看一下。第二道EDFA是考试重点之一，我word文档里的答案是直接从课件中贴出来的，大家看课件就可以了，最好会画那两幅图。第三道题略。第四章只整理了那道加速

3、度传感器的题目。一共找了四种基本类型，ppt比较粗糙，大家主要看一下结构和基本原理就可以，有兴趣的话可以看一下测量原理和精确度的计算，当然也不是每个类型都提到了测量原理和精确度。。。整理时只是从传感器的原理出发，至于是否采用微机电系统以及一些新型传感器（如光纤振动传感器）没有涉及。答案的主要参考是大家的和往届学长的作业，冯则坤老师、尹盛老师和陈实老师的课件，网上的一些资源和图书馆的电子文献。欢迎大家给出意见和建议。以上。PS:考试题型和所占分数已经确定：名词解释：5'×5简答：10'×6论述：15'×1王莹2008.11.141.微电子芯片材料与器件衬底材料，栅结构材料，互联材料，在各个发

4、展阶段典型材料及其性能特征三种主要的外延生长技术：化学气相沉积（MOCVD），分子束外延（MBE）和等离子溅射（sputtering）三种封装：球形矩阵封装（BGA），系统级封装（SIP），3D封装光学曝光和非光学曝光技术的种类，各自的特点等离子刻蚀，溅射刻蚀，反应离子刻蚀扩散掺杂与离子注入掺杂衬底材料，栅结构材料，互联材料，在各个发展阶段典型材料及其性能特征衬底材料：半导体材料semiconductor：Si、Ge、Se、GaAs、InP、GaN、SiC等Si、Ge（第一代）；GaAsInP（第二代）高频；GaN、AlN、InN、SiC（第三代）高温高功率;C（金刚石），InAs等新型半

5、导体材料。单晶制备：SOI（绝缘衬底上的硅）：实现介质隔离，寄生电容小、集成度高和工作速度快，适合低压低功耗电路。GaN：高热和化学稳定性，高热导率，用于制备高温高频器件。Si/GeSi合金：制备新材料新器件（如：异质结晶体管）。栅结构材料栅绝缘介质层：传统栅绝缘介质材料：SiO2几个原子层厚度1.5nm。在PMOS中，多晶硅栅中硼离子易穿透SiO2层扩散到沟道区，使器件性能退化。目前发展：SiNxOy精彩文档实用标准文案相对介电常数为5～7.9，较好地防止硼离子扩散，低漏电流，高抗老化击穿。随半导体工艺进入到0.1um尺寸范围时，SiO2或SiNxOy厚度小于3nm，电子隧穿效应越来越显

6、著，栅对沟道控制减弱。栅电极材料：传统电极材料：Al，与硅兼容性好，但不能满足高温处理要求。传统工艺的缺陷：对于传统CMOS工艺，MOSFET器件阈值电压通常需要通过沟道杂质注入的方法进行调整。随着器件尺寸的减小，沟道尺寸越来越小，沟道掺杂浓度越来越高，沟道杂质浓度涨落对器件性能不利影响也越来越显著。常用电极材料：多晶硅满足高温处理要求，但电阻率较高；难熔金属硅化物Polycide/Salicide发展趋势：传统MOS工艺沟道掺杂沟道零掺杂技术。目前研究的栅电极材料：GexSi1-x－通过改变X值，连续调节能带带隙；W/TiN－连续调节功函数；耐高温；作为Cu互连的扩散阻挡层材料。互连材料

7、：金属导电材料和相配套的绝缘介质材料传统互连材料：金属导电材料—铝；绝缘介质材料—SiO2。缺点：随集成度的提高，互连线长度和所占面积迅速增加（≥80%），导致电路互连时间延迟大，信号衰减和串扰显著，电路可靠性下降。目前研究重点：铜/低介电常数绝缘介质（k≤3）三种主要的外延生长技术：化学气相沉积（MOCVD）：氢气携带金属有机化合物与非金属氢化物一起进入反应室中，在一定的温度条件下，气相及气—固界面发生一系列物理、化学