毕业设计唐波

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1、柔性衬底上ZnO纳米棒阵列的制备与研究摘要ZnO纳米材料因其优异的光学、电学特性，近些年成为纳米光电器件领域的研究热点。如果将ZnO薄膜或者ZnO纳米棒阵列与柔性衬底结合起来，制备ZnO薄膜或者ZnO纳米棒阵列的方法很多，其中溶液化学的方法具有工艺过程简单、成本低、易于掺杂、不需要专用设备等优点，将有望开辟ZnO基半导体器件应用的新领域。本文利用低温化学水浴法在预先制备的ZnO/PI薄膜衬底上生长ZnO纳米棒阵列。通过锌浓度测定仪、X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)等仪器考察SDS、SDS浓度以及水浴浓度对ZnO纳米棒阵列生长的影响，得出最佳生长

2、条件。关键词：PI薄膜ZnO纳米棒阵列SDS低温化学水浴23PreparationandStudyofZnOnanorodarraysonflexiblesubstratesABSTRACTZnOnanostructurefilmshavebeenattractingconsiderableattentionsowingtotheirexcellentopticalandelectricalpropertiesaswellaspromisingapplicationsinoptoelectronicdevices.PreparingZnOthinfilmsa

3、ndZnOnanorodarraysonflexiblsubstrate.ZnOthinfilmsorZnOnanorodarrayscouldbepreparedinmanyways,andAqueousChemicalGrowth（ACO)hasaveryattractiveprospectwithadvantagessuchassimpleprocess,lowcost,easy-to-dopingandneedlessofspecialequipment,whichwouldopenanewfieldinZnOdeviceappliesInthisp

4、aper,weuseofpre-preparedlow-temperaturechemicalbathdepositionofZnOnanorodarraysgrownonZnO/PIfilmsubstrate.Bythezincconcentrationdetector,X-raydiffraction(XRD)andscanningelectronmicroscopy(SEM)andotherequipmentinspectionSDS,SDSconcentrationandbathconcentrationonthegrowthofZnOnanorod

5、arrayson,reachzheconclusionofbestgrowthconditionsKeywords:PIfilm;ZnOnanorodarrays;SDS;low-temperatureChemicalbaths23南京工业大学本科生毕业设计（论文）目录摘要IABSTRACTII第一章文献综述11.1ZnO简介11.1.1引言11.1.2ZnO基本性质21.1.3ZnO晶体结构31.2聚酰亚胺的概述41.2.3聚酰亚胺薄膜的表面改性51.3ZnO薄膜概述51.3.1ZnO薄膜的特性和应用51.3.2柔性衬底ZnO薄膜的研究进展61.4ZnO纳

6、米棒阵列概述81.4.1ZnO纳米棒阵列的特性与应用81.4.2柔性衬底ZnO纳米棒阵列的研究进展101.5本文的研究目的与意义10第二章主要的实验过程及仪器122.1实验试剂及仪器设备122.1.1实验试剂122.1.2分析仪器132.2实验步骤132.2.1制备ZnO晶种膜132.2.2ZnO纳米棒阵列的制备13第三章结果与讨论153.1SDS对ZnO纳米棒阵列生长的影响1523南京工业大学本科生毕业设计（论文）3.2SDS与Zn(Ac)2反应的最佳浓度163.3水浴反应Zn离子浓度对ZnO纳米棒阵列生长的影响173.4本章小结19第四章结论与展望20参

7、考文献21致谢2323南京工业大学本科生毕业设计（论文）第一章文献综述1.1ZnO简介1.1.1引言信息、能源和材料是新技术革命的先导，半导体材料是支撑现代信息社会的基石，也是新能源利用和开发的重要基础。从最早的锗（Ge）开始，半导体材料在近几十年历史中，从窄禁带到宽禁带，从红外到紫外，已经经过了三代发展。近年来以ZnO、GaN、AIN、SiC、为代表的第三代半导体材料（宽禁带半导体材料）以其禁带宽度大、抗辐射能力强、击穿电场高、耐高温、热导率高、毒性小等众多优点显示出更加广阔的应用前景。与第一代（Ge、Si）、第二代半导体（GaP、GaAs等）相比，第三代

8、半导体材料在光电子器件等领域拥有更大的发展空间。目前