bisb2审审xse3薄膜的silar法制备及表征

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1、优秀毕业论文摘要BixsbZ一xse。薄膜的S工LAR法制备及表征学科:材料物理与化学研究方向:新型半导体薄膜材料硕士生:价冬金导师:粉即、教授)答辩日期:汉刃了，子.对摘要BiZSe3和SbZSe3以其材料本身所具有的特点，分别在光电子器件、热电冷凝装置和光信息存储等方面己显示出其优越性。本文采用SILAR法行之有效的将BiZse3和sbZse3各自的材料特点有机地结合起来，制备方法制备出BixsbZ-xse3三元固溶体半导体材料。通过多次试验探索出一种独创的膜厚试验简易装置，利用该装置在不同工艺条件和参数下制备出大量Bi

2、xsbZ_xse3薄膜样品，并采用电子探针、xRD、XPS、SEM、AFM、紫外可见分光光度计等测试手段对所得样品的表面形貌、晶体结构、薄膜组成以及禁带宽度等进行了表征分析，得出如下结论:(1)以载波片为衬底，在室温条件下，用slLAR法成功地制备出结构均匀、致密、附着力强且具有金属光泽地BixsbZ_xsc3薄膜样品。初步得到了适合BixsbZ_xse3薄膜生长地优化工艺参数:用Bi(N03)3印H值为6一6.5)和qH4KO7Sb印H值为7.5一8)作为分离的阳离子前驱溶液，NaZso3和se粉合成NaZseso3作阴离

3、子前驱溶液印H值为8一8.5)。阴离子前驱溶液中浸泡时间为50秒，阴离子前驱溶液浸泡时间为40秒，去离子水冲洗时间为30秒。(2)三乙醇胺能够有效的控制反应速度，它为均匀、致密、附着力强的薄膜生长提供了保障;循环周期能够方便的控制薄膜厚度，在0.01mol八的Bi(NO3)3、0.lmol八的q风KO7Sb分别于0.01mol八和0.lmol月的NaZSeSO3进行100一150个循环后，BixsbZ一xse3薄膜的厚度可达到r.5一2.伽m。归)测试结果表明:BixsbZ一xse3薄膜样品的导电类型为n型;电阻率为15~2

4、00.cm，方块电阻约为105见/;在较佳退火条件(230℃下4小时随炉冷)退火处理后，薄膜的结晶性能得到改善，晶粒由退火前50一60nm增大到70一80n斌此外还发现退火处理可使薄膜的禁带宽度减小。(4)结果分析表明:Bi;.ogsbo.91se3和Bil.Zssbo.72Se3薄膜的禁带宽度分别为z.73ev和精品参考文献资料优秀毕业论文西安理工大学硕士学位论文1.58ev，说明当BixsbZ_xse3薄膜中的Bi组分x增加时，薄膜的禁带宽度随之减刁、。关键词:SILAR法;制备;工艺参数;BixsbZ_xse3薄膜;表

5、征精品参考文献资料优秀毕业论文AbStraetPREPARATIONANDCHARACTERIZATIONOFBixsbZ.xse3THINFILMSDEPOSITEDBYSILARMETHODSPecialty:MaterialPhysicsandChemistryResearch:NeWComPoundSemiconductorFllmsPostgraduate:SuPervisor:prof二声瓜、认(教授)oate:办够.子，，了AbstraCtBiZSe3andSbZSe3comP0undshave50manyme

6、ritsthattheyareaPPliedinthefieldsofPhotoelectriedevice，thermioniecondenserandlightinformationmemorizeLIfweeanadoPtanewProcesstoeombiningBiZSe3andSbZSe3intoBixsbZ一xse3，itmayPossesssomenewmaterialProPerties.SuecessiveioniclayeradsorPtionandreaetion(SILAR)methodisanew

7、filmsdePositedteehnologywhichbelongstoliquidgrowingfilmsandholdssomemeritsofchemistrybathdePosited(CBD)methodandatomylayerextension(ALE)method.ThismethodaPPearedadvantagedinPreParingmulti一eomPoundfilms.AkindofsimPlefilmsthieknessdeviee15inventedthroughlotsofexPerim

8、entationsbySILAR.W七PreParedmanysamPlesofBixsbZ一xse3thinfilmsindifferentconditionsandProeessParametersusingthisdeviee.SomeofsamPlesweretestedandeh