骁龙830再传10nm+8GB RAM，这是要上天的节奏.doc

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1、骁龙830再传10nm+8GBRAM，这是要上天的节奏　　下个月，搭载骁龙820处理器的手机就要集体出动了，比如三星GalaxyS7手机，HTCM10等等。然而，在这些骁龙820手机闪耀登场之前，就已经有骁龙830的消息传出来了。我们一起来看看。　　根据最新爆料，下一代高通移动处理器骁龙830（MSM8998）将采用改进的Kryo架构，最大支持8GB内存，使用三星10nm工艺制造，该处理器预计会在今年下半年发布，然后被搭载在2017年的智能手机上。　　高通骁龙830支持8GB内存，这意味着明年将会有8GB内存的手机诞生，这恐怕是要上天的节奏。今年

2、安卓高端智能手机的内存预计普遍为4GB，比如GalaxyS7手机。事实上，上一年，GalaxyNote5就已经搭载4GBRAM。　　在制造工艺上，骁龙830采用的10nm工艺也是一大亮点，作为对比，骁龙820采用的是三星14nm工艺制造，具体说来是第二代的14nm工艺。14nmLPP可以让芯片在变得更小的同时，进一步提升性能并降低能源消耗。　　据三星自己的说法，通过改善晶体管结构和进程优化，第二代的14nmLPP工艺相比第一代14nmLPE工艺能实现15%的速度提升，和降低15%的功耗。三星未来会逐步放弃14nmLPE。　　今年，高通将骁龙820

3、的代工交给三星负责。对于此次与三星的合作，高通表示，三星电子将成为该公司最新旗舰移动处理器的唯一制造商，这对于和规模更大的对手台积电竞争的三星而言，将是一个重大促进。　　　　如果今年的合作顺利，明年，高通将继续和三星合作，采用三星的10nm工艺制程。10nm工艺与现在14nm工艺相比具有很多优势，包括空间占用减少了40%，并且在保持相同性能的情况下，能耗也会大幅降低。　　此外，三星电子半导体事业部总裁KimKi-nam曾经表示，采用10nmFinFET制程技术的芯片不但更加省电、体积也更小。　　去年7月份，三星电子旗下的制造部门SamsungFo

4、undry的KelvinLow曾经在网络发布了一段视频，确认三星已经将10nmFinFET工艺正式加入路线图。　　紧跟在三星之后，台积电将会在今年第一季度完成10nm制造工艺的流片，并在第四季度进入全面量产阶段，以此来对竞争对手三星进行反击。　　此外，台积电7nm研发一如预期，预计将在2018年上半年量产，而更为恐怖的5nm制程工艺也有可能于2020年正式诞生。　　虽然三星和台积电都在发力10nm工艺，但英特尔的脚步却放慢了些。2016年第二季度，英特尔还将发布14nm处理器，这将是第三代14nm英特尔处理器，也就是KabyLake，它会在Sky

5、lake的基础上做关键的性能增强，并为转换到10nm工艺做好充分的铺垫。英特尔的10nm处理器将要等到2017年才会到来，代号为CannonLake。