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时间:2018-12-08
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1、详述美国新增出口管制清单 十三所自建所以来的50多年里,在半导体领域先后创造了54项国内第一,如中国第一只锗合金晶体管(1956年)、第一只硅超高频晶体管和第一块硅集成电路(1965年)、第一只砷化镓微波场效应晶体管(1977年)、第一只长波长半导体激光器(1980年)、第一块砷化镓集成电路(1982年)、第一只宽禁带氮化镓功率器件(2004年)等。先后取得了2958项科研成果,其中59项荣获国家级奖励、491项获部(省)级奖励。 产品领域:①射频/微波毫米波半导体器件及集成芯片,包括硅(锗硅)基、砷化镓基、磷化铟基、氮化
2、镓基和碳化硅基的微波器件及微波单片集成电路;②射频/微波毫米波混合集成电路,包括射频/微波通道全系列产品及集成晶体振荡器,超低相噪晶体振荡器、星载高可靠晶体振荡器、集成晶体振荡器等;③射频/微波毫米波小型化模块集成模块、复杂组件和小整机,微波微系统;④详述美国新增出口管制清单 十三所自建所以来的50多年里,在半导体领域先后创造了54项国内第一,如中国第一只锗合金晶体管(1956年)、第一只硅超高频晶体管和第一块硅集成电路(1965年)、第一只砷化镓微波场效应晶体管(1977年)、第一只长波长半导体激光器(1980年)、第一块
3、砷化镓集成电路(1982年)、第一只宽禁带氮化镓功率器件(2004年)等。先后取得了2958项科研成果,其中59项荣获国家级奖励、491项获部(省)级奖励。 产品领域:①射频/微波毫米波半导体器件及集成芯片,包括硅(锗硅)基、砷化镓基、磷化铟基、氮化镓基和碳化硅基的微波器件及微波单片集成电路;②射频/微波毫米波混合集成电路,包括射频/微波通道全系列产品及集成晶体振荡器,超低相噪晶体振荡器、星载高可靠晶体振荡器、集成晶体振荡器等;③射频/微波毫米波小型化模块集成模块、复杂组件和小整机,微波微系统;④详述美国新增出口管制清单
4、十三所自建所以来的50多年里,在半导体领域先后创造了54项国内第一,如中国第一只锗合金晶体管(1956年)、第一只硅超高频晶体管和第一块硅集成电路(1965年)、第一只砷化镓微波场效应晶体管(1977年)、第一只长波长半导体激光器(1980年)、第一块砷化镓集成电路(1982年)、第一只宽禁带氮化镓功率器件(2004年)等。先后取得了2958项科研成果,其中59项荣获国家级奖励、491项获部(省)级奖励。 产品领域:①射频/微波毫米波半导体器件及集成芯片,包括硅(锗硅)基、砷化镓基、磷化铟基、氮化镓基和碳化硅基的微波器件及微
5、波单片集成电路;②射频/微波毫米波混合集成电路,包括射频/微波通道全系列产品及集成晶体振荡器,超低相噪晶体振荡器、星载高可靠晶体振荡器、集成晶体振荡器等;③射频/微波毫米波小型化模块集成模块、复杂组件和小整机,微波微系统;④详述美国新增出口管制清单 十三所自建所以来的50多年里,在半导体领域先后创造了54项国内第一,如中国第一只锗合金晶体管(1956年)、第一只硅超高频晶体管和第一块硅集成电路(1965年)、第一只砷化镓微波场效应晶体管(1977年)、第一只长波长半导体激光器(1980年)、第一块砷化镓集成电路(1982年)
6、、第一只宽禁带氮化镓功率器件(2004年)等。先后取得了2958项科研成果,其中59项荣获国家级奖励、491项获部(省)级奖励。 产品领域:①射频/微波毫米波半导体器件及集成芯片,包括硅(锗硅)基、砷化镓基、磷化铟基、氮化镓基和碳化硅基的微波器件及微波单片集成电路;②射频/微波毫米波混合集成电路,包括射频/微波通道全系列产品及集成晶体振荡器,超低相噪晶体振荡器、星载高可靠晶体振荡器、集成晶体振荡器等;③射频/微波毫米波小型化模块集成模块、复杂组件和小整机,微波微系统;④详述美国新增出口管制清单 十三所自建所以来的50多年里
7、,在半导体领域先后创造了54项国内第一,如中国第一只锗合金晶体管(1956年)、第一只硅超高频晶体管和第一块硅集成电路(1965年)、第一只砷化镓微波场效应晶体管(1977年)、第一只长波长半导体激光器(1980年)、第一块砷化镓集成电路(1982年)、第一只宽禁带氮化镓功率器件(2004年)等。先后取得了2958项科研成果,其中59项荣获国家级奖励、491项获部(省)级奖励。 产品领域:①射频/微波毫米波半导体器件及集成芯片,包括硅(锗硅)基、砷化镓基、磷化铟基、氮化镓基和碳化硅基的微波器件及微波单片集成电路;②射频/微波
8、毫米波混合集成电路,包括射频/微波通道全系列产品及集成晶体振荡器,超低相噪晶体振荡器、星载高可靠晶体振荡器、集成晶体振荡器等;③射频/微波毫米波小型化模块集成模块、复杂组件和小整机,微波微系统;④光电子器件和集成电路,包括各种类型的半导体激光器、光探测器、LED和聚光电池、O
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