英飞凌IGBT芯片技术又升级换代了？.doc

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1、英飞凌IGBT芯片技术又升级换代了？　　想先人一步领略新品魅力？敬请莅临6月25日举行的2018英飞凌功率半导体技术研讨会上海站，我们将在下午变频驱动分会场上进行IGBT7技术特性的首次国内宣讲，揭开英飞凌下一代IGBT的神秘面纱。　　IGBT7和EmCon7针对工业电机驱动应用进行芯片优化设计，进一步减少器件稳态损耗，可实现更高功率密度，同时兼顾了芯片的软特性。此外，过载条件下允许的最高工作结温将提升至175°C，实现同等封装下输出电流能力增大40%。　　突出特性　　•最低的通态压降Vce(sat)和Vf　　•过载条件下支持175°C最高虚拟结温　　•在满足dv/

2、dt=5kV/us的前提下，优化器件开关损耗　　•满足8us短路耐受时间　　•续流二极管FWD可靠性增强　　客户收益　　•低损耗满足系统提高效率的需求　　•优化的设计同时兼顾低损耗与EMI需求　　首发型号　　首批推出10A至100A的EasyPIM™与EasyPACK™产品　　•FP10R12W1T7_B11　　•FP25R12W1T7_B11　　•FS100R12W2T7_B11　　　　TRENCHSTOP™IGBT7EASY1B　　　　TRENCHSTOP™IGBT7EASY2B