英特尔与美光64层3D NAND备受关注，或将激化原厂争夺96层3D NAND技术.doc

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1、英特尔与美光64层3DNAND备受关注，或将激化原厂争夺96层3DNAND技术　　上周，美光系与英特尔推出了64层3DQLCNAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架构相较于TLC（3bits/cell）容量更大，使得单颗Die容量可高达1Tb，备受市场高度关注，同时恐激化各家原厂展开96层3DNAND技术竞争，然而市场更多的是关心NANDFlash价格走向将如何。　　由于QLC高密度优势，再加上各家原厂非常看好SSD市场发展前景，所以会优先用于SSD产品上，所以对SSD市场有一定的影响。　　据中国闪存

2、市场ChinaFlashMarket本周（5月29日）报价，SSD120GB价格下滑至26.5美金，2018年累计下滑17%；240GB价格维持在44美金，2018年已累计下滑27%，且已跌回2016年历史低点；480GB价格则由130美金下滑至84美金，累计下滑35%。　　　　在2016年和2017年NANDFlash涨价之后，经过近一年的价格调整，截止到2018年5底NANDFlash基本已回到2016下半年的价格水平，而在原厂64层3DNAND扩大应用，以及新建Fab工厂等消息的刺激下，NANDFlash价

3、格恐还会进一步下滑。　　在NANDFlash跌价的行情下，拥有成本优势是在市场上竞争的关键，据DIGITIMES消息，传三星除了扩大64层3DNAND生产比重，还将于2018年抢先量产96层3DNAND，并将于韩国华城、平泽厂量产，并投入128层3DNAND研发。但也有相关人士表示，由于96层3DNAND技术难度相对较大，或以92层作为过渡技术。　　东芝与西部数据（WD）曾宣布96层3DNAND已完成研发，并屡次扩大Fab6工厂的投资金额，其制造设备投资就是用于96层3DNAND量产而准备，再加上Fab6二期和F

4、ab7工厂的建设动作，以及三星西安厂二期开始新建，三星与东芝的NANDFlash霸主之争即将拉开序幕。　　英特尔和美光除了推出64层QLC提高技术优势，曾表示第三代3DNAND技术（96层）的开发将于2018年年底或2019年初交付，预计英特尔和美光96层3DNAND可在2019下半年实现量产。　　至于SK海力士目前NANDFlash技术没有明确的消息，但在三星、东芝、美光、英特尔积极投入96层3DNAND技术竞争中，相信SK海力士在2018年也会积极进行96层3DNAND的研发工作，若顺利也有望在2019年投入

5、量产。　　随着各家原厂3DNAND技术的发展，尤其是未来96层3DNAND的面世，预计NANDFlash市场供应量将大幅增加，同时NANDFlash每GB的成本也会降低。不过，高端智能型手机容量需求正在向128GB以上升级，而且数据中心、服务器领域SSD，以及消费类SSD市场需求也正在不断增加，未来NANDFlash市场将呈现健康发展的趋势，市场可期。