3D NAND良率是NAND Flash市场最大变数.doc

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1、3DNAND良率是NANDFlash市场最大变数　　据海外媒体报道，去年下半年以来NANDFlash市场供不应求，主要关键在于上游原厂全力调拨2DNANDFlash产能转进3DNAND，但3DNAND生产良率不如预期，2DNAND供给量又因产能排挤缩小，NANDFlash市场出现货源不足问题，价格也因此明显上涨。　　不过，随着3DNAND加速量产，下半年产能若顺利开出，将成为NANDFlash市场最大变数。　　　　2DNANDFlash制程持续往1y/1z纳米进行微缩，如三星及SK海力士去年已转进14纳米，东芝及西部数据

2、（WD）进入15纳米，美光导入16纳米等。但因芯片线宽线距已达物理极限，2DNAND技术推进上已出现发展瓶颈，用1y/1z纳米生产的2DNAND并未出现成本效益，因此，NANDFlash厂开始将投资主力放在3DNAND，但也因产能出现排挤，NANDFlash产出量明显减少，导致下半年价格强劲上涨。　　去年NANDFlash价格自第2季开始全面回升，涨势直达年底，主流的SSD价格涨幅超过4成，eMMC价格最高逼近6成，完成出乎市场意料。在此一情况下，原厂为了维持竞争优势，决定加速抢进3DNAND市场，而今年亦成为3DNAN

3、D市场成长爆发的一年，产能军备竞赛可说是一触即发。　　以各原厂的技术进展来看，三星去年进度最快已成功量产3DNAND，去年底出货占比已达35％，最先进的64层芯片将在今年第1季放量投片，3DNAND的出货比重将在本季达到45％。另外，三星不仅西安厂全面量产3DNAND，韩国Fab17/18也将投入3DNAND量产。　　包括东芝及WD、SK海力士、美光等其它业者，去年是3DNAND制程转换不顺的一年，良率直到去年底才见稳定回升，生产比重均不及1成。不过，今年开始3DNAND量产情况已明显好转，东芝及WD已开始小量生产64层

4、芯片，今年生产主力将开始移转至64层3DNAND，除了Fab5开始提高投片外，Fab2将在本季转进生产64层3DNAND，Fab6新厂将动土兴建并预估2018年下半年量产。　　SK海力士去年在36层及48层3DNAND的生产上已渐入佳境，M12厂已量产3DNAND，今年决定提升至72层，将在第1季送样，第2季进入小量投片，而韩国M14厂也将在今年全面进入3DNAND量产阶段。　　美光与英特尔合作的IMFlash已在去年进行3DNAND量产，去年底第二代64层3DNAND已顺利送样，今年将逐步进入量产，F10x厂也会开始全

5、面转向进行3DNAND投片。英特尔大陆大连厂则已量产3DNAND，并将在今年开始量产新一代XPoint存储器。