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时间:2018-12-08
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1、看了才知道,原来2016年实现了这么多LED技术突破! 2016年即将画上句号,回顾LED行业一整年的发展,在诸多技术难题上获得了喜人的突破。据在线君不完全统计,2016年到目前为止,LED行业获得了十余项突破性LED相关技术。 美研究人员放大招,或可让LED达到零光衰? 伊利诺大学香槟分校研究人员发展出一种新的方法,提升绿光LED亮度并且提高其效率。使用产业内标准的半导体长晶技术,研究人员在硅基板上制造氮化镓(GaN)晶体,这种晶体能够产生高功率的绿光,应用于固态照明。 伊利诺大学的电气与计算机工程系助理教授CanBay
2、ram表示:“这是一个具有突破性的制程,研究人员成功在可调式的CMOS硅制程上生产新的原料,也就是方形氮化镓(cubicGaN),这种原料主要用于绿色波长射极。” 通常GaN形成一至两种晶体结构,六方形或立方体。六方形GaN为热稳定,且是传统半导体的应用。不过,六角形GaN较容易出现偏振现象,内部的电场将负电子与正电子分开,防止他们结合,因此而造成光输出效率下降。 Bayram和Liu相信他们的方形GaN晶体可能可以成功让LED达到零光衰(droop)。对绿色、蓝色或UVLED而言,这些LED的发光效率都会随着通过电流的输入而逐渐
3、衰退,也就是所谓的光衰。 业界首个单晶全彩LED问世 南加州OstendoTechInc.所属磊晶实验室(OstendoEpiLab.)研发出世界第一个全彩LED。他们使用氮化镓材料研发出三种特殊的量子结构,可以发出三种不同颜色的光,可以独立射出也可以混合发射。由于LED有省电和寿命长的特性,采用全彩LED制成的全LED显示器,将可能取代目前使用的液晶技术(LCD),甚至超越有机发光二极体(OLED)。 紫外LED自由曲面配光技术应用取得新进展 在重庆市科技计划项目支持下,中国科学院重庆绿色智能技术研究院集成光电技
4、术研究中心在紫外LED自由曲面配光技术的应用研究中取得重要进展,成功将紫外LED光源用于曝光机领域,产品已在PCB、液晶面板、触摸屏等行业获得应用。相关成果已获得国家专利授权(专利号:用于紫外LED准直的透镜201320875490.0、高均匀度的紫外LED曝光头201420651432.4)。 传统的平行光曝光机采用高压汞灯作为光源,其寿命只有1000小时,耗电高,且有污染。采用UVLED替换汞灯光源,寿命可达汞灯的50倍,耗电量可减少90%,大幅降低企业生产成本,环保无污染。 目前,重庆研究院已突破LED多自由曲面精确配光、适
5、用于紫外波段的无机光学元件加工等关键技术,首次研发出基于紫外LED的平行光曝光头,平行半角可控制在±2°以内,照明不均匀性小于3%,照明强度高达40mW/cm2。 Saphlux研发新技术攻克中村修二未解难题 2014年成立的Saphlux通过多次试验,终于在今年初找到了解决方法(涉及商业机密赞不方便对外透露),打破了原有的半极性氮化镓材料生长模式,不仅可以在标准的大尺寸蓝宝石衬底上直接生长半极性氮化镓,还能直接控制晶体生长的方向和形状。 这一底层技术的突破,意味着有望突破第一代材料量子效率下降和绿光光隙的瓶颈,制成下一代大
6、功率、高光效的LED和激光产品,尤其是对医疗、户外等对照明要求高的领域意义重大。 使用新材料制作白光LED发光率大幅提升 最近,台湾清华大学的研究者在《ACSNano》上发表了一篇文章,其中指出研究者使用稀土元素以外的材料制作出了可以发白光的LED产品。这个LED以碱金属锶为基础,搭建了金属有机框架(MOF),在MOF的上下分别结合了石墨烯等材料,构成了可以直接发出白光的LED。新材料发射出的光线与自然光非常贴近,不会有强烈的蓝色光出现。由于不用遮挡其他颜色光,发光效率得以大大提升。 日本研发出不使用稀有元素的红光LED
7、 据日本共同社报道,日本东京工业大学与京都大学的研究小组21日发布消息称,已研发出不使用高价稀有元素的红色发光半导体。据悉,今后有望利用地球上蕴藏量丰富的氮制成的氮化物,以低廉的成本运用于红色发光二极管(LED)与太阳能电池。 研究发现混合奈米晶体LED设计可抑制效率下降 南京大学(NJU)的研究人员们采用一种混合奈米晶体的途径,在氮化铟镓(InGaN)/氮化镓(GaN)蓝光LED结构的奈米孔洞中填充奈米晶体,据称可大幅提高白光LED的效率。 他们在发布于《应用物理快报》(AppliedPhysicsLetters)的研究
8、中指出,提高色彩转换效率(CCE)的关键取决于有效的非辐射谐振能量转移,而不是在结合蓝光InGaN/GaNLED与向下转换材料(如磷或甚至半导体奈米晶体(NC)等)时经常发生的辐射泵。 南工大科研团队成功研制最高效
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