武汉新芯投资240亿美元建NAND Flash 厂.doc

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1、武汉新芯投资240亿美元建NANDFlash厂　　中国发展记忆体产业再有新进展！中国武汉新芯将建新记忆体厂，新厂动土仪式就落在本月28日，根据科技新报取得的消息，武汉新芯将建的为NANDFlash厂，而非市场谣传的DRAM厂，据悉，国家集成电路产业发展基金（大基金）与湖北省政府已到位，武汉新芯已磨刀霍霍进军Flash市场。　　中国拟自建半导体供应链，在国安、军事考量下，记忆体一直是中国亟欲自足发展的领域，并属意选定一个省市为重点发展区域，先前在六大地方政府竞逐下，最终由武汉新芯出线，获得大基金挹注，统筹整体记忆体

2、产业发展。　　据悉大基金与湖北地方政府资金已于二月底到位，武汉新芯将于本月28日举行动土仪式，并已发出邀请函，从邀请函内容显示，新的厂区将落户于武汉东潮新技术开发区，投资总金额高达240亿美元，外传武汉新芯将先兴建12寸DRAM厂，然根据科技新报取得的消息，武汉新芯将先行建造Flash厂，同样生产NOR型Flash，并逐步移转至NANDFlash产品，甚至3DNANDFlash，最终目标产能30万片。　　　　从3DNANDFlash弯道超车的野心　　从武汉新芯近期的布局或可看出端倪，2015年5月，武汉新芯才与N

3、OR记忆体厂商飞索半导体（Spansion）签订合作协议与交叉授权发展3DNANDFlash技术。从武汉新芯财务长陈少民、营运长洪沨近期出席上海SEMICONChina与厦门2015集成电路产业促进大会的谈话，主轴同样绕在Flash产业的布局。　　武汉新芯财务长陈少民在15日才开幕的上海SEMICONChina记忆体产业发展论坛上即指出，“日本抓住了DRAM发展机遇，韩国抓住了DRAM和NAND发展机遇，两国都成为了记忆体行业的领头羊。如今3DNAD技术兴起，十三五规划又将半导体作为发展重点，我们正谓正好走到了一

4、个发展的‘风口’势必把握这一机会。”洪沨早前也称，3DNANDFlash将成为中国记忆体晶片产业弯道超车的切入点。武汉新芯、中国的记忆体布局或将从Flash展开。　　　　大厂纷纷押宝，价格战已可预见？　　然而，不只武汉新芯，各大记忆体大厂也争相加大3DNANDFlash的投资，英特尔大连厂转生产3DNANDFlash，于下半年产能开出，SK海力士在三月初则传出投入15.5兆韩圜（约4，500亿新台币）扩充NANDFlash产能，并于2019投产，17日，东芝也宣布三年内要投资3，600亿日圆建厂扩产，同样押宝3D

5、NANDFlash。　　外资RBCCapitalMarkets分析师AmitDaryanani近期的报告即发出忧心，在业者纷纷转进3DNANDFlash下，平均销售价格（ASP）将被拉低，甚至可能出现价格暴跌的情形，使得部分厂商陷入困境。3DNANDFlash未来是否会掀起一场价格血雨同样令人关注。