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时间:2018-12-08
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1、明年10nm手机芯片高通835/麒麟970/HelioX30谁称雄? 2017年将近,在手机市场不景气的背景下,上游手机厂商也在力拼高端市场。高通下一代骁龙835细节已经泄露,三星Exynos8895的更多消息也流出,加上备受关注的海思麒麟970和联发科HelioX30,明年的高端手机芯片市场会不会有大的变化? 就在近日,有关高通新一代骁龙系列旗舰芯片Snapdragon835(MSM8998)的部分细节悄然被泄露出来,对此很多机友已经开始YY下一部三星旗舰手机GalaxyS8了。毕竟之前很多报
2、道称,明年MWC2017世界移动通信大会上三星所发布的GalaxyS8将会是第一款搭载Snapdragon835处理器的智能手机。需要注意的是,今年三星旗舰GalaxyS7,搭载了高通今年旗舰芯片Snapdragon820,不过也有一部分采用的是自家的Exynos8890处理器。 因此,不出意外的话,三星下一代旗舰GalaxyS8也会延续同样的策略,而且据称三星Exynos8895或全新的9xxx系列芯片已经在开发当中了。那么,高通和三星的两个新的旗舰芯片,进行对比的话情况会如何呢? 我们先
3、来回顾一下Snapdragon835泄露的一些信息,该芯片基于三星的10纳米FinFET工艺制造,将会是一枚八核处理器,因为配置了8个定制的Kryo200CPU内核,还集成有Adreno540GPU和X16调制解调器,届时与之搭配的将是LPDDR4X内存和UFS2.1储存。从这些信息来看,Snapdragon835似乎回归到了与三星Exynos相同big.LITTLE设计。 虽然有关高通和三星旗舰的细节都仍未获得证实,但此前有关传闻称,三星Exynos8895芯片将拥有比Exynos8890更
4、高的频率,大内核的频率达到3GHz,小内核则是2.7GHz,尚不清楚三星是否继续使用定制的M1CPU内核,说不定三星也可能回归到公版的ARMCortex解决方案。不过,几乎可以肯定的是,三星将依靠自己的10纳米FinFET工艺制造芯片。 另外,三星的新旗舰芯片还有望配备了ARM最新的Mali-G71GPU。若是如此,相比今年Exynos8890的Mali-T880GPU将可提供高达80%以上的性能提升,并进一步增强对4K内容和显示屏的支持。当然了,Mali-G71并非三星专利,华为海思麒麟960发
5、布时已首次亮相。 还有一种可能就是,Exynos8895只是三星例行的增强版而已,真正的新旗舰芯片会是Exynos9xxx系列,同样提供了70%左右的图形处理性能提升,目的是服务于双摄像头配置。最近的消息还显示,三星希望能够将Shannon调制解调器集成到芯片内部,与高通形成直接竞争,毕竟高通的长期优势就是集成了X系列调制解调器。 三星可能会对Shannon359调制解调器非常感兴趣,因为同时支持LD-LTE、LTEFDD、TD-SDCMA、WCDMA、CDMA和GSM等网络制式,相当于为全
6、网通。所以,三星只要完成集成,不依赖高通也能够实现所有的Galaxy旗舰标配Exynos处理器。不过,Shannon359在2017年第三季度之前难以出货,GalaxyS8还是无法避开高通芯片。 总之,三星半导体部门正变得越来越强大,而且作用越来越重要,高通芯片也由三星代工,所以三星不会错过任何展示Exynos新旗舰芯片的任何机会,特别是借助GalaxyS8直接与Snapdragon835进行对比。
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