微纳混合结构黑硅的制备及其关键工艺技术讨论

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1、微纳混合结构黑硅的制备及其关键工艺技术讨论4—.玉林师范学院物理科学与工程技术学院复杂系统优化与大数据处理广西高校重点实验室摘要:黑硅是一种能大幅提高器件光电转换效率的新型电子材料,微纳混合结构黑硅是一种比普通黑硅材料更高效的新型黑硅材料,如何制备出大面积、形貌特征好、表面洁浄度高的黑硅材料是制备高效的黑硅太阳能电池的前提。首先,利用湿法腐蚀方法,通过设计合适的反应固体装置和良好的工艺控制手段,在金字塔硅表而制备了大而积的微纳混合结构黑硅;然后,对其制备的关键工艺技术进行了研宄讨论。实验结果表明,该方法制备的微纳混合结构黑硅具有形貌特征好、表面洁净度高和低表面反射率等特征

2、。有效去除表面银沉积物后,该黑硅在3001100nm范围内的加权平均反射率低至4.06%。该制备工艺方法适用于大面积高效微纳混合结构黑硅的规模制备,在高效黑硅太阳能电池领域具有重要的应用价值。关键词:金字塔结构;微纳混合结构;黑硅;太阳能电池;作者简介:陈文(1970-),男,广西陆川人,硕士,讲师,2001年于广西师范大学获得硕士学位,主要从事微纳光学与纳米材料方面的研究。E-mail:ylchwe@163.com作者简介:陈乐(1983-),男,广西玉林人,博士,副教授,2017年于上海交通大学获得博士学位,主要从事微纳光学、微纳加工技术与太阳能电池方面的研究。E-m

3、ail:chenlell@126.com收稿日期:2017-04-15基金:玉林师范学院校级科研项目(2015YJYB05)资助PreparationofMicro-nanoStructureBlackSiliconandDiscussionofKeyProcessingTechnologiesCHENWenCHENLeGuangxiCollegesandUniversitiesKeyLabofComplexSystemOptimizationandBigDataProcessing,CollegeofPhysicalScienceandEngineeringTechno

4、logy,YulinNormalUniversity;Abstract:Blacksiliconisanewtypeofelectronicmaterialwhichcansignificantlyimprovetheefficiencyofphotoelectricconversiondevice,andthemicro-nanostructureblacksiliconisamoreefficientnovelblacksiliconmaterialthantheordinaryblacksiliconmaterials.Preparationofalargearea

5、,goodappearancecharacteristicsandhighsurfacecleanlinessblacksiliconmaterialisthepremiseforthepreparationofefficientblacksiliconsolarcells.Firstly,usingthewetetchingmethod,throughthedesignappropriatereactiondeviceandagoodmeansofprocesscontrol,thelargeareamicro-nanostructuresblacksiliconwas

6、preparedbythepyramidsilicon.Then,thekeyprocessingtechnologieswerediscussed.Experimentalresultsshowthatthemicro-nanostructuresblacksiliconpreparedbythisprocessingmethodhasthecharacteristicsofgoodappearancecharacteristics,highsurfacecleanlinessandlowsurfacereflectance.Effectivelyremovingthe

7、surfacesilverdeposits,theweightedaveragereflectivityoftheblacksiliconisaslowas4.06%inthewavelengthrangeof300-l100nm.Thispreparationmethodissuitableforthepreparationoflargeareaefficientmicronanostructureblacksilicon,whichhasimportantapplicationvalueinthefieldofhigh-e

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