如何将CMOS IC与MEMS融合到物联网边缘智能器件设计中?.doc

如何将CMOS IC与MEMS融合到物联网边缘智能器件设计中?.doc

ID:27903290

大小:288.50 KB

页数:10页

时间:2018-12-06

如何将CMOS IC与MEMS融合到物联网边缘智能器件设计中?.doc_第1页
如何将CMOS IC与MEMS融合到物联网边缘智能器件设计中?.doc_第2页
如何将CMOS IC与MEMS融合到物联网边缘智能器件设计中?.doc_第3页
如何将CMOS IC与MEMS融合到物联网边缘智能器件设计中?.doc_第4页
如何将CMOS IC与MEMS融合到物联网边缘智能器件设计中?.doc_第5页
资源描述:

《如何将CMOS IC与MEMS融合到物联网边缘智能器件设计中?.doc》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、如何将CMOSIC与MEMS融合到物联网边缘智能器件设计中?  创建基于传感器的物联网(IoT)边缘器件会涉及多个设计领域,因此极具挑战性(图1)。但是,在同一硅片上创建一个既有采用传统CMOSIC流程制作的电子器件,又有MEMS传感器的边缘器件似乎不大现实。实际上,许多IoT边缘器件会在单个封装中集成多个芯片,将电子器件与MEMS设计分开。TannerAMSIC设计流程支持单芯片或多芯片技术,因而有助于成功实现IoT边缘器件的设计和验证。不过,本文将着重介绍在单个芯片上融合CMOSIC与MEMS设计的独特挑战。    图1:一个典型IoT边缘器件,涉及数字、模拟、射频和MEMS

2、领域  了解设计流程  Tanner设计流程(图2)为AMSIC设计提供了一个完整的环境。    图2:TannerAMS设计流程  不过,多年以来,Tanner支持自上而下的MEMSIC流程(图3),能让客户将MEMS设计融入这一流程中。    图3:自上而下的IC/MEMS流程  IoT边缘设计要求结合模拟、数字、射频和MEMS这四个设计领域,特别是在同一芯片的情况下。即使组件针对的是不同芯片之后的结合,在版图布局和验证过程中,它们仍需要协同工作。设计团队需要绘制混合模拟与数字、射频和MEMS设计,进行芯片版图布局,然后执行元器件和顶层仿真。在单个芯片上设计电子器件和MEMS

3、涉及以下几点需要关注(参见图3):  原理图可能包含IC和MEMS器件。IC器件使用SPICE模型进行建模,而MEMS器件则可直接在物理域(如机械、静电、流体和磁)中创建行为模型(图4)。S-Edit内的MEMS符号库支持MEMS绘制。    图4:电子器件和MEMS位于同一电路图上  为了支持初始MEMS/IC仿真,您可以在SystemModelBuilder中利用SPICE或Verilog-A中的解析方程来创建MEMS模型。结合MEMS仿真库,您还可以在初始阶段就对整个设计进行是否符合预期的验证。  利用MEMSPCell库,您可以在L-Edit进行版图设计。此外,Libra

4、ryPalette(图5)提供了许多MEMS器件的基本版图生成器,您可以将其用作设计的初始模型。    图5:用于创建MEMS器件版图的LibraryPalette  然后,您可以生成一个三维(3D)几何模型,以便进行查看、虚拟原型开发,以及导出到有限元分析(FEA)工具。  CompactModelBuilder采用的是降阶建模技术,因此利用该工具,您可以根据FEA结果创建行为模型,并将其用于最终系统级仿真中。  传统上,MEMS的设计部分从创建MEMS器件的3D模型开始,然后在第三方有限元分析(FEA)工具(如OpenEngineering的OOFELIE::Multiphy

5、sics)中分析其物理特性,直到获得满意的结果。但是,您需要2D掩模才能制造MEMS器件。如何从3D模型中衍生出2D掩模呢?您可以遵循图6所示的Tanner流程,即以掩模为导向,然后成功制造出MEMS器件。    图6:以掩模为导向的MEMS设计流程  从L-Edit的2D掩模版图开始创建器件。然后,3DSolidModeler会利用这些版图和一系列的3D制造流程步骤,自动生成器件的3D实体模型。导出该3D模型并使用您喜欢的有限元工具执行3D分析,如发现任何问题,可以进行迭代。对2D掩模版图进行适当的修改,然后重复流程。通过这个以掩模为导向的设计流程,您可以在运行的MEMS器件中

6、进行仿真集成,因为您可以直接创建最终用于制造目的的掩模,而不是从3D模型进行逆向工作。  执行MEMS实体建模  您可以根据晶圆代工厂的流程信息设置制造步骤(图7)。利用此信息,L-Edit可以为MEMS器件建立制造流程每一步的3D实体模型。    图7:制造流程编辑器  您可以与生成的3D模型(图8)进行交互,例如旋转模型,获取横截面视图,另外您还可以诊断制造问题。您可以自动导出流程每个步骤的横截面,以便更好地了解制造流程和您的器件。然后,您可以将模型导出到FEA工具进行分析。    图8:3D模型示例  MEMSIC成功案例  美新半导体有限公司(MEMSIC)开发了一种没有

7、可动部件的MEMS和CMOSIC加速度计。其采用了独特的热技术,通过被加热的气体分子测量加速度(图9)。其芯片应用于需要控制或测量运动的产品中,如汽车报警器、移动电子设备、全球定位系统、电梯控制、患者监测设备和供游戏使用的头戴式显示器。    图9:MEMSIC加速度计基本结构  该传感器大小为1平方毫米,其中心是一个在高于环境温度100度的情况下工作的加热器。加热器周围对称放置着热电堆,可感测不同位置的温度。热电堆由一系列热电偶或温度感应元件组成,串联连接以抬高电压。整个传感器

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。