台积电7纳米SRAM早打赢三星，预告5纳米制程要来了！.doc

《台积电7纳米SRAM早打赢三星，预告5纳米制程要来了！.doc》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、台积电7纳米SRAM早打赢三星，预告5纳米制程要来了！　　台积电与英特尔、三星的先进製程竞赛依旧打得火热，10奈米以下製程成为半导体三雄间的竞逐场，三星虽于11月中抢先发表10奈米FinFET製程生产的SRAM（静态随机存取记忆体），看似抢先台积电与三星，不过，台积电3日透露，早已成功以7奈米製程产出SRAM，而且预告5奈米也要来了！　　　　台积电于3日举办第十五届供应链管理论坛，台积电总经理暨共同执行长刘德音表示，库存调整已近尾声，2016有望恢复成长，台积明年将比今年更好，与先前自家董事长张忠谋的说法一致，刘德音对台积电先进製程进度也透露更多的讯息。　　在1

2、6奈米製程，台积电先前推出比FinFETPlus更低功耗的FFC製程，主打低阶智慧手机与物联网等领域，刘德音昨3日指出，目前已设计定案（tape-out）的有27个，估计2016年达到100个，16奈米从原本高阶市场主力，进一步拓展到中低阶市场，刘德音预估16奈米市佔的扩展，将成为明年营收优于去年的重要动能。　　对于三星于11月中宣布已运用10奈米FinFET生产出SRAM（静态随机存取记忆体），刘德音透露，台积电已经成功以7奈米製程产出SRAM，10奈米将在2016年初试产、7奈米则有望于2017年第一季试产，与今年9月台积电技术长孙元成，参与美国圣塔克拉拉举

3、行的创新平台论坛所言进度相同。　　据孙元成当时说法，10奈米在2016年底或2017年初将进入量产阶段，若依此转进进度，10奈米阶段台积将有望超车英特尔，英特尔执行长BrianKrzanich在今年第二季法说会上坦承，下世代（10奈米）製程，大约到2017年下半才会推出。三星则在今年6月正式将10奈米FinFET製程纳入开发路图（Roadmap），估计10奈米在2016年底、2017年初全面投产，与台积电时间差不多。　　值得关注的是，刘德音在昨3日的论坛向供应链伙伴预告，该开始准备5奈米了！虽未对相关时程多做说明，但也令外界相当期待，然而在10奈米以下製程微缩已

4、经来到光学微影解析的极限，台积电年初透露在10奈米製程有部分光罩将採用极紫外光（ExtremeUltraviolet，EUV）微影技术进行曝光，大摩3月份发表的报告也指出，EUV将是台积电能否在10奈米以下製程超车的关键。