制程技术的飞跃 英特尔22纳米制程剖析.doc

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1、制程技术的飞跃英特尔22纳米制程剖析　　用户对于更高性能和更低功耗的需求一直是推动CMOS技术进步的塬动力。由于设备变得越来越小，推动业界持续开发更先进的新材料、提高封装密度，并为整合设计变化的设备增添更多新功能。因此，在追求完美CMOS开关的过程中面对製程上的诸多挑战──这是在进一步剖析英特尔22奈米製程后的心得。　　製程微缩牵涉到缩小MOSFET的每一个方面，值得注意的就是闸控开关；当闸极开启时允许电流在通道中流通，而关断时则中断所有电流流动。　　MOSFET开关一直是微电子技术的发展基础。然而，当製程持续微缩超过30

2、奈米节点后，已经变得越来越难以维持通道闸控了。这种现象即所谓的短通道效应（SCE），它可能会对元件的微型化带来负面影响，如阈值电压取决于通道的长度。多年来，IC製造商採用叁种主要的方法来减轻SCE：源极/汲极、通道以及闸极堆叠技术。　　而针对更先进的技术节点，就必须结合使用这叁种方法。英特尔最先採用22nm製程开发的处理器，目前已经开始量产。UBMTechInsights日前针对这款22nm处理器的结构及其电气特性进行分析。　　英特尔COREi5-3550是一款四核心的处理器，代号为‘IvyBridge’，採用英特尔22奈

3、米製程技术搭配叁闸极（Tri-Gate）电晶体製造。传统的2D平面MOS电晶体已被可在硅基板上垂直升起的3D硅鳍薄片所取代。这种薄形的高k电介质隔离了硅鳍薄片以及硅鳍叁侧上的金属闸极──顶部与每侧边各建置一闸极──而不像2D平面电晶体只在顶端建置一个闸极。因此，位于晶鳍叁侧上的每个闸极均可控制由源极流至汲极的电流。　　　　图一：英特尔22奈米叁闸极元件SEM影像图。　　叁闸极结构：製程技术的飞跃进展　　英特尔的叁闸极製程使用其第五代应变硅技术；在PMOS通道（引起压缩应变）使用浮层源-汲极与嵌入式硅锗（Si-Ge），并为N

4、MOS通道（产生张力应变）使用嵌入式碳化硅（SiC）。同样地，叁闸极电晶体基于英特尔的第叁代高k/金属闸极，即目前建置的FinFET结构。　　虽然从32到22奈米节点的唯一重要改变在于导入了叁闸极FinFET，但这并不是缓慢累积的变化，相反地，它象徵着製程技术的一个跳跃性进展。这种进展不只是平面电晶体50年歷史的重大变化，同时也是前进至完全耗尽型通道领域的一大步。　　叁闸极电晶体具有几项优势。例如，有效的闸极宽度与鳍高度成正比，而且可在完全不增加元件面积的情况下增加闸极宽度。此外，由于闸极环绕硅鳍外围，更能有效控制通道，从

5、而实现更高驱动电流以及低次阈值漏电流。另一项优点是这种叁闸极架构提供了一种不同的结晶平面。当以平行或垂直方向施加应力于叁闸极电晶体时，也会影响到载子迁移率。更高的迁移率可为PMOS电晶体带来好处。　　叁闸极结构也为製程整合带来挑战。SiGe和Si:C外延层必须在窄硅鳍凹处生长，而非在硅基底上生长。硅鳍间距决定了电晶体区域，也限制源极与汲极植入的倾斜角度。由于还必须进行双重图案等步骤，所有的硅鳍间距也必须保持一致；如果要求较大的闸极宽度，那么就必须同样套用在多层硅鳍上。这意味着闸极宽度取决于硅鳍的整数单位。　　在其6电晶体S

6、RAM单元，英特尔决定使‘下拉’（PD）电晶体宽度大于‘存取’（AC）电晶体宽度。因此，为PD电晶体採用两片硅鳍，而为AC电晶体使用单片硅鳍。图中显示6T-SRAM的拓墣影像，其中N1/N2是NMOS_PD；N3/N4是NMOS_AC；而P1/P2是PMOS‘上拉’（PU）电晶体。每个N1和N2都有两片硅鳍，其它的都只有一片硅鳍。　　　　图二：已移除金属闸极的6TSRAM阵列SEM影像图。