低功耗小尺寸：电阻式RAM终于来了！.doc

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1、低功耗小尺寸：电阻式RAM终于来了！　　电阻式RAM（（随机存取存储器）的低功耗和小单元面积的特点使其成为非易失性存储器中的佼佼者。　　平面型的DRAM和NAND大概在16nm或10nm以下的尺寸上再也坚持不了几年了，现在人们都在吹捧新类型的存储器，包括相变RAM（PCRAM），铁电RAM（FRAM），磁阻RAM（MRAM），和最近的电阻式RAM（ReRAM和CBRAM（导电桥接EAM））。　　几年以来TechInsights都在对Numonyx和三星的PCRAM，Ramtron的FRAM，以及飞思卡尔及其子公司Ev

2、erspin的MRAM。这些器件都已经出现在市场上了，但从中都还没有出现能取代NAND或DRAM的趋势，因为这些器件的尺寸和功耗水平还和传统结构难以匹敌。而电阻式RAM则能同时满足低功耗和小单元面积的要求，这使得其成为目前最有潜力的非易失性存储器。　　Adesto和松下是两家带来两种不同的电阻式存储器的公司。Adesto提供了32KB到128KB的单独内存芯片导电桥接RAM（CBRAM），主要的目标市场是物联网方面的应用。松下则提供了嵌入了ReRAM的8位MCU，可用于便携式的医疗应用设备、安全设备和传感器设备。目前

3、这些市场都还小众，在短时间内不会给DRAM和NAND带来明显的威胁。　　　　　　AdestoRM24EP128KSCBRAM的结构图像　　　　　　嵌入了ReRAM的PanasonicMN101LR05D8位MCU结构图像　　平面型NAND和DRAM的尺寸收缩确实已经走到了尽头。为了应对这一情况，三星、美光、SK-海力士和东芝都在研究这些器件的3D架构。例如三星就在2014年秋天发布了3DV-NAND存储，主要用在固态硬盘中；而AMD也指望在其即将到来的390XGPU使用上SK-海力士的高带宽内存（HBM）。　　接下来

4、，我们将仔细了解一下Adesto和松下的产品。　　Adesto在其RM24EP128KS中使用了一种导电桥接技术，一晶体管一电阻器（1T1R）CBRAM产品，而这项技术基于银/锗硫化物/钨存储单元（如下图所示）。CBRAM的原理是导电细丝处于固态电解质中（写入）或通过施加的偏置电压使导电细丝破裂（擦除）。如铜和银一样可氧化的电极提供了组成绝缘电解质中导电细丝的金属离子的