中国大陆存储器产业的发展，需克服专利及人力等重重障碍.doc

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1、中国大陆存储器产业的发展，需克服专利及人力等重重障碍　　中国大陆存储器业者的生产计划包括福建晋华、合肥长鑫、长江存储、紫光集团，预定投产时间介于2018年下半年-2019年，主要产品包括DRAM、利基型存储器、NANDFlash，初期产能介于2-5万片，未来最大产能可望上冲4-10万片，中长期计划更将扩大至12.5-30万片的规模。但是由于短期内国际购并案推行不易，技术、人才取得受阻，导致短期内中国大陆发展存储器产业仍需克服专利及人力等重重障碍。　　　　然而值得一提的是，今年5月中国大陆突袭调查S

2、amsung、SKHynix、Micron等国际DRAM大厂，调查内容主要涉及近年DRAM价格飙涨和业界反映的产品搭售问题，名目虽是以反垄断的名义约谈，但市场多认为中国大陆实质恐是希望在中国大陆存储器厂即将量产的关键时刻，期望国际三大存储器厂能够在专利的部分给予中国大陆厂商一些空间，借此换取谈判的筹码。　　事实上，中国大陆存储器是否能于2018年底或2019年初正式进入量产并销售的阶段，仍有待后续观察，毕竟目前DRAM及NANDFlash的专利都掌握在国际大厂手中，况且累积数量可观、范围广泛的专利

3、资产，在没有获得授权技转情况下很容易发生侵权；况且存储器制程推进速度快，在没有经验的情况下，要建立生产线并进入量产投片阶段的难度大增；此外，中国大陆存储器业者虽然尝试透过延揽任职于其他公司的工程师，带来相关知识以提升技术，但此做法有引发诉讼等各种问题的可能。　　而中国大陆集成电路制造龙头中芯国际方面，估计持续位居2018年上半年全球晶圆代工第5名，且市占率由2017年的5.4%提升至5.9%，主要是受惠于2018年第2季28纳米产品组合回升至高个位数的占比，且存储及CIS等产品订单增量改善公司的产

4、能利用率所致。不过2018年下半年中芯国际面临新增产能所需设备到位时间不确定、同业扩产带来的竞争压力，因此公司营收增速以及毛利率恐出现双重回落的风险。在未突破高阶28奈米技术HKC+量产进程之前，今年仍为中芯国际技术进阶及业绩压力并存的过渡期。　　整体来说，5G、物联网、人工智能、工业机器人、智能穿戴式装置等给中国大陆集成电路制造业带来新的增长动力，特别是中美贸易战的中兴通讯事件更加速与确立中国大陆发展半导体的决心，官方也意识到集成电路产业是国民经济中基础性、关键性和战略性的产业，集成电路产业的强

5、弱是国家综合实力强大与否的重要标志。为了不受制于人，并且能分享未来新兴领域的红利，发展自主集成电路已经成为中国大陆刻不容缓的首要之务；不过短期内中国大陆集成电路制造业的发展重点，仍系于中芯国际与存储器族群。