中国存储器产业的生产发展的详细概述.doc

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1、中国存储器产业的生产发展的详细概述　　全球存储器市场需求持续不减，国际大厂纷纷投入扩产行动。包括龙头三星在NANDFlash方面，宣布中国西安开始第2期的建设工程，DRAM上也有意在韩国平泽（Pyeongtaek）厂大幅生产。　　而另一家韩国大厂SK海力士，除了生产NANDFlash的M15厂预期在2019年正式营运之外，在DRAM部分也斥资86亿美元，将在中国无锡兴建第2期厂房。　　另外，专注在NANDFlash产品的东芝，除了Fab6厂即将在2019年营运外，还斥资70亿美元用于兴建Fab7厂，完成后将用于96层堆叠的3DNANDFlash生产。　　美光部分，日前除宣布将在新加

2、坡设立NANDFlash的第3座工厂之外，在DRAM产品方面，虽然无新扩建产能的计划，但是预计将在中国台湾地区以提高生产效率来拉高位成长率的方式，提升产能。　　因此，面对各家国际存储器大厂的来势汹汹，中国的存储器厂投资也开始急起直追，预计也将在2019年加入全球扩产战局。　　　　根据TrendForce存储器储存研究(DRAMeXchange)指出，中国存储器产业目前以投入NANDFlash市场的长江存储、专注于移动式存储器的合肥长鑫，以及致力于利基型存储器晋华集成3大阵营为主。　　以目前3家厂商的进度来看，其试产时间预计将在2018年下半年，随着3大阵营的量产的时间可能皆落在20

3、19年上半年，揭示着2019年将成为中国存储器生产元年。　　DRAMeXchange表示，从3大厂目前布局进度来看，合肥长鑫的厂房已于2017年6月封顶完工，并且于第3季开始移入测试用机台。合肥长鑫目前进度与晋华集成大致雷同，试产时程将会落于2018年第3季，量产则暂定在2019年的上半年，时程较预期落后。　　此外，由于合肥长鑫直攻三大DRAM厂最重要产品之一的LPDDR48Gb，尔后面临专利争议的可能性也较高，为了避免此一状况，除了积极累积的专利权外，初期可能将锁定于中国销售。　　反观，专注于利基型存储的晋华集成，在2016年7月宣布于福建省晋江市建12寸厂，投资金额约53亿美元

4、，以目前进度来看，其利基型存储器的试产延后至2018年第3季度，量产时程也将落在2019年上半年。　　此外，从中国厂商NANDFlash的发展进程来看，2016年12月底，由长江存储主导的国家存储器基地正式动土，官方预期分3阶段，共建立3座3D-NANDFlash厂房。　　第一阶段厂房已于2017年9月完成兴建，预定2018年第3季开始移入机台，并于第4季进行试产，初期投片不超过1万片，用于生产32层3D-NANDFlash产品，并预计于自家64层技术成熟后，再视情况拟定第2、3期生产计划。　　DRAMeXchange指出，观察中国存储器厂商的研发与产出计划，2019年将是中国存储

5、器产业的生产元年。但也由于2家DRAM厂预估初期量产规模并不大，短期难撼动全球市场现有格局。　　无论是DRAM或是NANDFlash产品，各家都是初试啼声，相较于耕耘多年的既有存储器大厂所面临的挑战更多，因此亦不排除量产时间点也可能比原先预期延后。　　长期来看，随着中国存储器产品逐步成熟，预计2020年到2021年，2家DRAM厂商现有工厂将逐步满载，在最乐观的预估下，届时2家厂商合计约有每月25万片的投片规模，可能将开始影响全球DRAM市场的供给。　　另一方面，长江存储计划设有的3座厂房总产能可能高达每月30万片，不排除长江存储完成64层产品开发后，可能将进行大规模的投片，进而在

6、未来3到5年对NANDFlash的供给产生重大影响。