中国会在存储器领域取得成功吗.doc

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1、中国会在存储器领域取得成功吗　　中国国内存储器玩家正在关注两个市场，3DNAND和DRAM。在这两个市场中，本地厂商或是技术落后，或是在努力开发这些产品，亦或两者兼而有之。最近有一家供应商因涉嫌盗窃商业机密被起诉，这再度引发对中国缺乏知识产权保护的担忧。　　然而，中国正在全力推进存储器产业，以及IC设计，逻辑工艺制造和封装。凭借数十亿美元的资金支持，中国希望发展国内半导体产业，因为中国目前从外国供应商进口了绝大部分芯片。这造成了巨大的贸易逆差。在逻辑工艺制造上，中国多年来在贸易逆差方面取得了微小的进展。中国最近宣布了几个重大项目以缩小这一差距

2、。其中包括：　　清华紫光最近宣布了3个大型存储器项目，耗资840亿美元。目标是建造九座晶圆厂，但目前只有一座正在建设中。它专注于3DNAND，目前已试产32层NAND，64层NAND技术正在研发中。　　另外两家中国公司福建晋华集成电路有限公司和睿力集成电路有限公司（Innotron）也将分别在新的300mm晶圆厂增加22nm的DRAM。　　目前尚不清楚中国能否在市场上站稳脚跟。本地供应商拥有一些IP，但基本上都是从零开始。为了推动该领域的发展，中国曾试图收购跨国存储器制造商或组建联盟。但由于国家安全和IP问题，大多数国家对此犹豫不决。　　因此

3、，中国必须独立研发大部分技术。但在竞争激烈的存储器市场，中国很难追赶上英特尔、美光、三星、SK海力士、东芝和WesternDigital等跨国公司。　　这不禁让人质疑中国的存储器制造商能否在长期内取得成功。一些分析师持悲观态度，称中国厂商缺乏核心竞争力技术，另一些人则对中国在存储器领域的发展相对乐观。　　市场研究机构InternationalBusinessStrategies的首席执行官HandelJones表示：“我们对NAND的态度比DRAM更为乐观，但这需要一些时间。中国有能力获得NAND市场的份额，但这仍然需要领先的技术。对于一家新

4、的DRAM公司而言，进入市场并获得技术是非常艰难的。”　　据多位消息人士透露，中国距离开发64层3DNAND器件大约需要6到9个月的时间，这一技术可以让中国名扬世界。消息人士称，大规模量产仍需一到两年，因此中国能否制造出可靠的器件还有待观察。　　有些人对市场有不同的看法。SemicoResearch公司的制造部总经理JoanneItow在最近的博客中表示：“Semico认为，三家中国存储器公司都取得成功概率较低，但其中某一家公司取得成功则很有可能。”　　Semico称，预计到2021年，中国国内存储器供应商的产能将从现在的几乎为零增加到超过3

5、00,000wpm（wafer/每月）。虽然这听起来可能让人印象深刻，但据Semico称，到那时这只占全球存储器容量的不到10%。雄心勃勃的计划　　多年来，中国推出了多项促进国内IC产业发展的举措。尽管由于种种原因，每个计划都没有达到最初的预期，但它已经取得了一些进展。一方面，中国在IC产工业现代化方面起步较晚。其次，多年来，美国和其他国家对中国实施了严格的出口管制条例，阻止跨国设备供应商将最新的设备运进中国。不过，最近许多国家对中国的出口管制放松了。　　尽管如此，中国仍陷入了一种麻烦的失衡——当中国成为全球第一的电子产品制造基地时，只能生产

6、所需芯片中的极少一部分。　　据ICInsights称，2012年，中国的芯片消费为820亿美元，占全球的32%。但是，2012年中国的芯片产值为88亿美元，仅占全球半导体产量的10.8%。也就是说，中国大约90%的芯片来自于进口。　　为了扭转这一趋势，中国政府于2014年公布了一项新计划，称为《国家集成电路产业发展推进纲要》。该计划旨在加速中国在14nmfinFET、高级封装和存储器方面的发展。　　中国还拨出了193亿美元的资金，用于投资国内的IC公司。地方政府和私募也承诺将为中国的IC产业投资1000亿美元。　　然后，2015年，中国发起了

7、另一项名为“中国制造2025”的计划。据ICInsights称，在该计划中，中国希望将其国内集成电路产量从2015年的不足20%提高到2020年的40%，到2025年达到70%。　　　　图1：中国IC市场与IC生产趋势（