三星高速Z-SSD方案欲与XPoint一较高下.doc

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1、三星高速Z-SSD方案欲与XPoint一较高下　　闪存巨头再度发力：三星公司在本届闪存记忆体峰会上连续公布了32TBSSD、1TBBGA以及一款高速Z-SSD方案。其中32TBSSD利用64层3DNAND构建而成，即三星旗下的V-NAND品牌，同时配合TLC（即三层单元）设计。　　　　64层V-NAND　　64层TLCV-NAND最初公布于今年8月底，其能够提供超越当前256Gbit48层技术的存储容量。目前512Gbit（64GB）芯片已经完成，意味着其能够将SSD存储容量翻倍。三星方面指出，这套方案的IO速度为每秒800Mbit。　

2、　西部数据/东芝也拥有自己的64层3DNAND技术，名为BiCS，目前正处于实验性阶段，芯片容量为256Gbit。　　三星方面可能会利用其64层V-NAND芯片打造一款8TB且尺寸大于M.2的SSD产品。其物理尺寸为22毫米x110毫米。在利用此款产品的情况下，企业级服务器能够在1U空间内实现256TBNAND存储容量。标准的M.2尺寸则可能用于构建搭载同款芯片的三星4TB产品。　　首款采用64层V-NAND芯片的产品预计将在2016年第四季度推出，据猜测其可能是一款采用BGA尺寸设计的平板型设备。　　　　32TBSSD　　三星还将推出

3、一款面向企业数据存储场景的2.5英寸SAS连接SSD产品，其中包含32个1TB组件堆栈，每套堆栈由16个512Gbit芯片堆叠而成。换句话来说，我们将迎来一款对分层式闪存芯片进行分层叠加的存储方案。　　三星公司目前的最高容量SSD产品为2.5英寸15.36TBPM1633a。此款驱动器当中包含32套封装堆栈，每套堆栈容纳有512块256Gbit48层V-NAND芯片。此前的PM1633产品则采用32层128Gbit芯片，总体容量为3.84TB。　　这款32TBSSD将沿用512Gbit芯片所采用的基础双层布局，其最终定名为PM1643，

4、预计将于2017年年内发售。　　　　SSD容量宣传之战已然打响　　三星公司认为，其将能够在2020年推出100TBSSD产品;这可能代表着再进行两轮V-NAND技术升级，即将其2Tbit芯片提升为128层结构--但这纯粹只是我们的猜测。　　希捷公司则公布了一款3.5英寸60TBSSD产品，其可能塞进了1250块384Gbit美光32层TLC芯片。　　东芝公司则在探讨利用QLC（即四层单元）闪存打造100TBSSD的可能性。　　　　1TBBGA　　三星公司还拥有一款1TBBGA（即球栅阵列），其容量达到东芝采用48层BICS技术的TLCN

5、AND512GBBG1BGA封装方案的两倍。　　三星的BGA产品采用TLC闪存、LPDDR4移动DRAM与一款三星控制器。其连续读取/写入性能分别为每秒1.5GB与每秒900MB。其容量仅为1克，而且应该会采用FO-PLP（即无风扇板极封装）并于明年年内推出。其尺寸据信为11.5毫米x13毫米。　　　　Z-SSD　　三星方面将于今年年内推出一款1TBZ-NANDSSD产品，其采用的3DV-NAND芯片拥有“独特的电路设计”，同时搭配经过调整的控制器，能够提供远超其它V-NANDSSD的速度表现。其延迟水平仅相当于其它V-NANDSSD的

6、四分之一--三星公司将其称为“极低”--连续读取性能则为三星PM963NVMeSSD的1.6倍。　　下面来看三星公司对于Z-SSD技术的描述：　　三星的Z-SSD采用V-NAND基础结构并配合一套独特的电路设计及控制器，能够最大程度提升性能水平，其延迟与连续读取性能水平分别达到三星PM863NVMeSSD的四分之一与1.6倍。　　与V-NAND共享基本结构证明其同样属于NAND并采用分层设计，但以上内容由韩语直接翻译而来，所以准确性仍然有待商榷。　　PM963的最高连续读取传输带宽为每秒1.6GB，而新一代Z-SSD的同项参数则可提升至

7、每秒2.56GB。　　不过要弄清其延迟水平则相对困难，因为三星方面压根没有公布过PM963的延迟。美光9100NVMeSSD的写入延迟为30纳秒，同等比较之下这可能意味着Z-SSD的延迟为7.5纳秒--与英特尔的OptaneXPoint7纳秒延迟基本相当。　　三星的Z-SSD方案：对于1TB存储容量来说，这样的体积似乎确实有点太大了，再加上相当夸张的散热片设计。　　三星公司将其性能水平定位在SSD与DRAM之间，这明显代表着其将成为Xpoint的竞争对手。三星方面计划利用其处理各类高密度实时分析处理场景下，同时亦适合作为各类工作负载的高

8、性能处理方案。　　其中“独特的电路设计”可能代表着其采用SLC芯片（即单层单元），这意味着其在基础层面拥有远超MLC（即二层单元）或者TLC（三层单元）产品的读取与写入速度。不过利用SLC闪存实现XPoin