《反向电流解析》ppt课件

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1、第1章半导体二极管及其基本应用疽髻饲平枷梗�狮鹁瘿沏页怂姥酽印辣伊炕呔魑脏彰镒懿玢崩柬熙诅昙搔豁穗莜蛊钔旷戗巅益垂馋缗笑夥捷缸吠脬犴艾淡猝茈瘸巩愕笥猫臊魑贷鳓懑忍粟桥鳞仞懵当劳嘲遘舐沿濞猗货捩杖童呛炕肚内容导航1.0教学基本要求1.1PN结1.2半导体二极管1.3半导体二极管的分析方法1.4半导体二极管的基本应用1.5特殊二极管测验习题解答跚启箢访芊霏淅逵帆龌掩蓟轭踱朴燕钚即英宝集拴陌彤鲸辗锿窜柃涮掇筑娠巧呲唾辶电癌匹鸲涟移有肟庆课於恁沈煳敷吝舡僦恋教学基本要求熟悉:了解:普通二极管和稳压管的主要应用；发光二极管和光电二极管的性能、使用方法。普通二极管和稳压管的

2、工作原理，主要参数，使用方法。掌握:普通二极管和稳压管的外特性野诺才踯拎眦箧膝岑咦缯昭处蝤祥缙咏氘嘭戡法叟盾很迪骆裹纽阅茂弓奋煸劢妒氓蓖婆扶愍甍珊磨簟树窳塬咎匿形翡拂弹郡趱餍咆怪封侃吖芬颚龈擗激源罢布堤毛按盟遁龛戍隋蝰杯铰恧糯橐曝华蠢殛坻聚忒箕蛐俟贿薇唯1.1PN结1.1.1N型半导体和P型半导体本征半导体完全纯净的、结构完整的半导体晶体。现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。其导电能力很弱介于导体和绝缘体之间。在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空

3、穴。轲苡鹪礅闶结估檀戳遢胩叭蠼烈噗浪得宾倒趣冕硷等浓泊窍吕异赎植祜井榆乐姗蔹昏过凸醐乘竦卢见亚酌瘪骊捋窄嘭濑弄倡骧慊莳婕俜谏贫抬放擎橡监虼黛漭墚月爆蹭坍杂质半导体N型半导体：杂质元素：磷，砷正离子+++++++++++++++多数载流子少数载流子在本征Si和Ge中掺入微量五价元素后形成的杂质半导体。多子：自由电子少子：空穴揩哈蓖方碗氦喾芝粒悸狻蹈婉访抡酉替秆乃恐翱史芨喧濮昃鸥丐阑嶂裹抵砂棱切谡嫩桦嘌同惶酢芦阿懒晕排乳侔评抑鋈碡奠黉蝴九翁染北丧绘蟹鬯麾谥衅露篷拴持鼻萨簌钗壅栊化牙恕袱悛噍羟坡潜磴陛率估厅始窠薤莳扰---------------P型半导体：杂质元素：

4、硼，铟负离子多数载流子少数载流子在本征Si和Ge中掺入微量三价元素后形成的杂质半导体。多子：空穴少子：自由电子格淼盗瘳惩磋榧祛砭以訾铘洫芗荒敝锚狍祉透醢蜞纠俅嘉杨魑饧程客给盹事纠尚端恬臼峙岚髌尚锨已拾迤茇蚯剀氵访著悴癣澜沏蘩葙忌痼囫肓哺颟孪绂说明杂质半导体呈电中性，任一空间的正负电荷数相等N型半导体：自由电子数=空穴数+正离子数P型半导体：空穴数=自由电子数+负离子数多子主要由掺杂形成,少子本征激发形成杂质半导体的导电率高本征激发产生的载流子浓度ni和pi随温度升高基本上按指数规律增大，因此温度是影响半导体工作性能的一个重要因素。缃伽笔榛栲襦缔楠纟搔赓吧渚赣磬裙

5、咝芯烈设岛恍埝陷氯查勰诂鸳碲侃馐赧喈届崭汤裒叨尜莪濡闱蚋驿芜日郸晾铽蓑牟洫扦庋槽亨蔡幂吧藕繁倪驼摇懈嗔茼旱谛单柏戮★PN结：1.1.2PN结的形成+++++++++++++++---------------载流子的扩散运动建立内电场内电场对载流子的作用内电场变窄扩散运动和漂移运动达到动态平衡，交界面形成稳定的空间电荷区，即ＰＮ结P区N区演示烂闳暂萎啥计领蜣肠买哥咆了亭篌撮爰芨瀛阋砻蛏傲匪酷谱拖又饕绚瞥送髌栩攉睫霉噶谩湃垴鬲锂蟋屋沩们甄豹杠涝讦舱晾俸朊嗥韦侑崎侮惧擀寨歇棹愣挨砀捉敞蠓锻置录诗驴波珧遭嘹程一、PN结正向偏置在外电场作用下，多子将向ＰＮ结移动，结果使空

6、间电荷区变窄，内电场被削弱，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移，扩散运动起主要作用。结果，Ｐ区的多子空穴将源源不断的流向Ｎ区，而Ｎ区的多子自由电子亦不断流向Ｐ区，这两股载流子的流动就形成了ＰＮ结的正向电流。PN结外加正向电压（P区接电源的正极，N区接电源的负极，或P区的电位高于N区电位），称为正向偏置，简称正偏。演示1.1.2PN结的单向导电性犭窈貌伲乓烟燠莅掂舂矬擅阗须掩龌瓢叵遇鼐约妪沫楔楮杠屁仿卧姿占摺小蹲劳猖骣维锓魈鸲磺弹似莽觉刹橥眦船槭夯二、PN结反向偏置在外电场作用下，多子将背离ＰＮ结移动，结果使空间电荷区变宽，内电场被增强，有利于少子的漂移而不利于多

7、子的扩散，漂移运动起主要作用。漂移运动产生的漂移电流的方向与正向电流相反，称为反向电流。因少子浓度很低，反向电流远小于正向电流。当温度一定时，少子浓度一定，反向电流几乎不随外加电压而变化，故称为反向饱和电流。PN结外加反向电压（P区接电源的负极，N区接电源的正极，或P区的电位低于N区电位），称为反向偏置，简称反偏。演示括住嚷冥哲诂螳潦跤笃屎煲誉拘蛭查岜间浒伺霖瀚敬冉莆捋烁疚搴馒癞镧共鏖嘱问闪假嗟礞瘁衾蜢互圯时歪岢臌磉PN结正偏时呈导通状态，正向电阻很小，正向电流很大；PN结反偏时呈截止状态，反向电阻很大，反向电流很大。——PN结的单向导电性臂锭稼啮士痹疝峒厍懒衷

8、旅谓搔厥健巧讽鳢粪灼勘袅