图形开发用户指南

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1、图形开发用户指南文档版本04发布日期2013-06-21版权所有©深圳市海思半导体有限公司2011-2013。保留一切权利。非经本公司书面许可，任何单位和个人不得擅自摘抄、复制本文档内容的部分或全部，并不得以任 何形式传播。商标声明、、海思和其他海思商标均为深圳市海思半导体有限公司的商标。本文档提及的其他所有商标或注册商标，由各自的所有人拥有。注意您购买的产品、服务或特性等应受海思公司商业合同和条款的约束，本文档中描述的全部或部分产 品、服务或特性可能不在您的购买或使用范围之内。除非合同另有约定，海思公司对本文档内容不 做任何明示或默示的声明或保证。由于产品版本升级或其他原因，本文档内容会

2、不定期进行更新。除非另有约定，本文档仅作为使用 指导，本文档中的所有陈述、信息和建议不构成任何明示或暗示的担保。深圳市海思半导体有限公司地址：深圳市龙岗区坂田华为基地华为电气生产中心邮编：518129网址：http://www.hisilicon.com客户服务电话：+86-755-28788858客户服务传真：+86-755-28357515客户服务邮箱：support@hisilicon.com图形开发用户指南前言前言概述本文为图形开发推荐了2个方案，分别从方案介绍、衍生方案、开发流程、应用场景及优点和限制介绍，为用户在进行图形开发时提供参考。产品版本与本文档相对应的产品版本如下。产品

3、名称产品版本Hi3531芯片V100Hi3532芯片V100Hi3521芯片V100Hi3520A芯片V100Hi3520D芯片V100Hi3515A芯片V100Hi3515C芯片V100Hi3518芯片V100读者对象本文档（本指南）主要适用于以下工程师：z技术支持工程师z软件开发工程师文档版本04(2013-06-21)海思专有和保密信息版权所有©深圳市海思半导体有限公司i图形开发用户指南前言符号约定在本文中可能出现下列标志，它们所代表的含义如下。符号说明表示有高度潜在危险，如果不能避免，会导致人员死亡或 严重伤害。表示有中度或低度潜在危险，如果不能避免，可能导致人 员轻微或中等伤害。

4、表示有潜在风险，如果忽视这些文本，可能导致设备损 坏、数据丢失、设备性能降低或不可预知的结果。表示能帮助您解决某个问题或节省您的时间。表示是正文的附加信息，是对正文的强调和补充。修订记录修订记录累积了每次文档更新的说明。最新版本的文档包含以前所有文档版本的更新内容。文档版本04(2013-06-21)增加Hi3515C相关描述。文档版本03(2013-04-03)增加Hi3515A相关描述。文档版本02(2013-02-05)补充Hi3520D相关描述。文档版本01(2012-09-20)更新文档目录。文档版本00B50(2012-08-09)Hi3520A支持标清设备SD1和图形层G2。

5、增加Hi3518的相关描述。文档版本00B40(2012-06-08)新增Hi3520A芯片的相关描述。文档版本04(2013-06-21)海思专有和保密信息版权所有©深圳市海思半导体有限公司ii图形开发用户指南前言文档版本00B30(2012-04-20)新增Hi3521芯片的相关描述。文档版本00B20(2012-02-15)表1-1中补充“G5和G6不能绑定到同一个显示设备上”的说明。文档版本00B10(2012-01-15)2.2.1方案介绍中修改描述。文档版本00B01(2011-11-10)第1次临时版本发布。文档版本04(2013-06-21)海思专有和保密信息版权所有©深圳

6、市海思半导体有限公司iii图形开发用户指南目录目录前言...................................................................................................................................................i1图形层介绍.....................................................................................................................

7、.................11.1概述.................................................................................................................................................................11.2图形层体系结构.................