韩国半导体产业的技术跨越研究

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1、2006年第2期科技管理研究2006No.2ScienceandTechnologyManagementResearch文章编号：1000-7695（2006）02-0042-03韩国半导体产业的技术跨越研究陈德智，陈香堂（上海交通大学管理学院，上海200052）摘要：半导体产业是信息产业生态链中关联度最大的产业，是投入大、利润高的产业，也是战略性和市场性同时兼备的产业。而对于后进国家来说，半导体产业的技术跨越路径的选择至关重要。韩国半导体产业正是经历一个从以企业为主的技术引进开发，到政府主导的DRM核心基础

2、技术的合作开发与后续技术的企业自主开发，再到以企业为主的自主开发的过程而成功实现技术跨越的。本文对上述过程予以分析，并指出其对我国半导体产业发展的借鉴意义。关键词：技术跨越；韩国半导体产业；技术创新中图分类号：F124.3文献标识码：A1序言-4G”的轨迹发展。经历了20年的后步封装、OEM及全工序生产实践以后，韩国于1986年开始进入了存储器的自半导体工业是信息产业生态链中关联度最大的产业，主开发阶段，于1992年末与美日等先进国家同期开拓64M是投入大、利润高的产业，也是战略性和市场性同时兼备DRAM，并

3、拥有了世界上第一块64MDRAM芯片［1］，完成的产业，世界各发达国家政府都从国家战略的高度大力支了追赶，到1994年领先美日开拓了256MDRAM，标志其持。韩国从一开始便选择了通用性强的动态随机存储器实现跨越。1996年，它又开发了1GDRAM，2001年4月率（DRAM）作为其半导体产业的发展重点，使其沿着“先开发出了4GDRAM，成为内存方面世界上技术最强的技1K-4K-16K-64K-256K-1M-4M-16M-64M-256M-1G术国家，如表1、2所示。表1半导体DRAM技术差距的变化64K2

4、56K1M4M16M64M256M美、日开发时间1979年1982年1985年1987年末1990年初1992年末1994年中韩国开发时间1983年1984年1986年1988年初1990年中1992年末1994年初技术差距4年2年1年6个月3个月同时领先资料来源：金麟洙著.从模仿到创新，北京：新华出版社，1997：175.表2几代存储器产品投产时间64K256K1M4M16M64M投产时间（年）1984-19851985-19881988-19901990-19921992-19961996-1997资料来

5、源：陈文华.韩国半导体考察报告，半导体技术，1997（1）：1-4.2以引进技术起步DRAM销售以及在半导体最新技术与市场信息的获取等方面发挥了重要的作用。三星的技术导入和吸收覆盖了从最韩国半导体的发展是从作为美日半导体厂商的组装基简单的技术到不断增加的尖端技术，从装配过程、工艺开地开始的，如早期Motorola，Fairchild，Commy，KMI等在发到芯片制造和检验，范围十分广泛。如：它从美国爱达韩国建立了记忆芯片的组装厂2］，之后韩国的半导体生产［荷州的微米技术公司（MicroTechnology）

6、进口了3000个厂商如现代半导体、金星半导体等开始借助美国半导体厂64KDRAM芯片，在韩国进行装配，并购买到64KDRAM商的技术支持独立组装半导体器件。为缩短与先进国在半芯片设计的技术许可，还以210万美元从加利福尼亚的导体技术方面的差距，韩国公司积极导入国外技术，并成Zytrex公司买到高速处理设备的技术许可；而在DRAM的立VLSI小组进行研究开发和设备投资以及在海外设立子公研发过程中引入并行工程思想，这大大缩短了技术的开发司。这种前哨公司在VLSI技术开发、国内技术人员培训、周期。收稿日期：2005

7、-06-07基金项目：国家自然科学基金项目（70472031）陈德智等：韩国半导体产业的技术跨越研究43现代公司与德克萨斯仪器公司签订代工（OEM）协议，中自我发展。为其组装64KDRAM和256KDRAM，从中积累组装经验，从图1可以看出韩国三星集团技术创新能力的增强。又从Vitelic公司购买到了16KDRAM、64KDRAM的设计特别是1997年，近3倍数量于1996年的专利申请。综合申技术以及之后的1MDRAM设计与加工工艺技术，进而于请数目和公告数目，可反映出韩国管产学研通力合作对韩1986年5月开

8、发成功一种1.5微米1MDRAM技术。LG公国的半导体产业技术发展产生了显著的效果。司于1984年从美国高级微米技术公司和齐洛格公司获得了AT&T公司的西部电子公司建立芯片设计技术许可，并与4以企业为主的自主开发合资企业，以生产64KDRAM；1985年，LG公司从日本的16M以后的DRAM源泉技术转为以企业为主开发，政日立公司购买到1MDRAM技术。府研究所转向CDMA、IMT—2000的源泉技术