《传感器技术》作业

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1、《传感器技术》作业（2）一、填空题1、沿应变片轴向的应变ex必然引起应变片电阻的相对变化，而乘直于应变片轴昀的横应变也会引起其电阻的相对变化，这种现象成为横向效应。这种现象的产生和影响与座查片结构有关。为了减小由此产生的测量误差，现在一般多采用菹蓋应变厂f。2、为了消除应变片的温度误差，可采用的温度补偿措施包括：单丝自补偿法、双丝自补偿法、桥路补偿法。3、应变片的线性（灵敏度系数为常数）特性，只有在一定的应变限度范围内才能保持。当试件输入的真实应变超过某一限值时，应变片的输出特性将出现非线性。在恒温条件下，使非线性达到10%时的真实应变值，称为应变极限Him。它是衡量应变R测量范围

2、和过载能i的指标。4、应变片绝缘电阯是指已粘贴的应变片的引线与被测试件之间的电阻值。5、应变片的选择包括：幾望的选择、的选择、阻值的选择、尺寸的选择。6、应变式测力传感器弹性元件即为力敏元件，它将被测力的变化转换成应查量的变化。弹性元件的形式通常有挂裘、悬臂梁式、环式等。7、利用半导体扩散技术，将P型杂质扩散到一片N型底层上，形成一层极薄的电导P型层，装上引线接点后，即形成扩散型半导体应变片。若在圆形硅膜上扩散出4个P型电阯构成惠斯通电桥的4个桥臂，这样的敏感器件称为固态压阻器件。8、压阻器件本身受到温度影响后，要产生零点温度漂移和灵敏度温度漂移。因此，必须采川逼皇补偿措施。9、压

3、阻器件的零点温度漂移是由于4个扩散电阻值及它们的逼度M不一致而造成的，一般用串、并联电阻法来补偿。10、压阻器件的灵敏度温度漂移是巾压區里数随温度变化而引起的。补偿灵敏度温漂，可以采用在电源回路中串联的方法。11、利用导电材料的电阻率随本身温度而变化的温度电阻效应制成的传感器，称为热电阻式传感器。12、电位计传感器也称变阻器忒传感器,其工作原理是通过改变电位计触头位賈，实现将位移变化转换为电阻的变化。13、在应用中电各式传感器有三种基本类型，即变极距型或称变间隙（5）型、变面积（S）型和变介电常数O）型。而它们的电极形状又有平返形、圆柱形和球平面形三种。14、界栅传感器是在窒厘g型

4、电界传感器的基础上发展的一种新型传感器，它分为长容栅和圆容栅两种。15、电容式传感器是将被测量的变化转换成虫签量变化的一种传感器。16、变极距式电容传感器的电容变化W:AC与极距的变化量△§2间不是线性关系。但当△5<<6（即量程远小于极板间初始距离）时，可以认为AC与△5之间是缝性的。这种类型的传感器一般川来测量邀企查化的量。17、变介电常数型电容传感器大多用来测量电介质的厘度、位簦、液位，还可根据极间介质的介电常数随温度、湿度改变而改变来测呈温度、湿度等。18、为了改善变极距式电容传感器的非线性，可以采用差动形式,并使输出为两电容之差。这种形式不仅可以改善非线性，灵敏度也提高了

5、一倍。19、变面积型和变介电常数型（测淖除外）电容传感器具有很好的线性，但它们的结论都是在忽略了边缘效应下得到的。20、电容式传感器具有以下优点.•①温度稳定性好;②结构简中.，适应性强；③动态响应g;④可以实现非接触测量,具有平均效应。21、电矜式传感器的主要缺点是：①输出阻抗高，负载能力差；②寄生电容影响大;③毺出特性非线性。22、边缘效应不仅使电容传感器的麗敏廑降低，而且产生非线性，因此应尽量消除和减小边缘效应。23、当自感式传感器结构和材料确定后，电感L为气隙截而积S及空气隙长度S的函数。S固定，川‘构成变气隙型传感器。5固定，可构成变面积型传感器。24、变气隙型电感传感器

6、灵敏度直，非线性严重，量程较小。变面积型电感传感器的灵敏度比空气隙型的低,线性性赶，量程较大。螺管型屯感传感器的灵敏度比变面积型的还低，呈程i，线性性较好。25、差动电感传感器的结构要求是：两个磁导体的几何尺、?完全相同，材料性能完全相同，两个线圈的电气参数和几何尺寸也完全相同。26、差动式的与单线圈的电感传感器相比，具有线性g、灵敏度提高一倍和测量精度高的优点。27、交流电桥的平衡条件是Z1Z3=Z2Z4。28、零位误差是指输入为雯时，输出不为零。减小零位误差的方法是减小电源中的谐波成佥，还可以采用补偿电路进行补偿。29、根据电磁场的理论，润流的大小与导体的电阻率P、导磁率U、导

7、体厚度t及线圈与导体之间的距离X、线圈的激磁频率＜0等参数科关。改变线圈和导体之间的距离，可以做成测量位移、厚度、振动的传感器；改变导体的电阻率，可以做成测量表妞温度、检测材质的传感器；改变导体的昱磁率，可以做成测量应力、硬度的传感器，同时改变X，P和U,可以对导体进行探伤。30、低频透射式涡流传感器的测量原理是：当发射线圈和接收线圈之间放入金属板后，引起接收线圈感应电势E2的变化，金属板的厚度S越大，E2就越小。通常，测薄导体吋，激励频率较髙，测厚导体时激励频率应较