电性量测对半导体双量子点的影响

电性量测对半导体双量子点的影响

ID:27664266

大小:946.00 KB

页数:23页

时间:2018-12-03

电性量测对半导体双量子点的影响_第1页
电性量测对半导体双量子点的影响_第2页
电性量测对半导体双量子点的影响_第3页
电性量测对半导体双量子点的影响_第4页
电性量测对半导体双量子点的影响_第5页
资源描述:

《电性量测对半导体双量子点的影响》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库

1、電性量測對半導體雙量子點的影響Zeno與反Zeno效應研究人員:唐英瓚(PhdStudent)NCTU.EPhys陳岳男博士(Dr.)NCTU.EPhysT.Brandes(Dr.)UMIST.Phys指導教授:褚德三老師(Dr.)NCTU.EPhys2006.4.8NCKU025mOutlinea.Zeno謬論:b.原子光學的量測c.半導體電性的量測1.介紹2.理論模型與計算方法b.MasterEquationa.模型(Hamiltonian)3.分析與討論4.結論025m由傳統時變薛丁格方程式可以推導,在t時刻,粒子被發現停留在初態的機率是對於

2、t<<1/r時,泰勒級數展開為但很多實驗顯示在衰減初期並未看到線性衰減的行為,相對的,系統衰減多以時間的二次項出現;也就是說能夠利用自然對數作為低維系統的計算方法必須修正。解釋初始時間非線性的行為可由量子力學出發而對演化的因子求期望就可直接得到二次項的關係Introduction-1025m二次項的係數反應了擾動的貢獻但是在時間裡,密集的觀察演化,可得到;當量測是連續不斷的,這時候,發現粒子的機率將為沒有衰減!1.Zeno謬論(paradox):Introduction-1025m當時間不大時,扎眼的次數(頻率)等同對系統的刺激,間接改變 系統原有

3、的衰減率,也就是說看著一壺水在燒比沒看還來的晚煮沸.量測行為A.GKofman,G.KurizkiNatureV405(2000)2.原子光學的量測理論Introduction-205m連續不斷projection,系統期望值為各別說明了環境對系統的擾動與量測頻率對核心函數的影響。Introduction-31mRelationbetweenconventionalanddynamicalformalismsinthequantumZenoeffectCREST,JapanScienceandTechnologyAgency,4-1-8Honcho

4、,Kawaguchi,Saitama332-0012,JapanandDepartmentofMaterialsEngineeringScience,OsakaUniversity,Toyonaka,Osaka560-8531,Japan(Received5January2005;published25March2005)Themeasurement-modifieddecayrateiscalculatedintwodistinctformalisms,i.e.,theconventionalformalismandthedynamicalfor

5、malism.Therelationbetweenthetwoformalismsisclarified,byrecastingthedecayratesobtainedbythetwoformalismsintoaunifiedform.Itisshownthatthedynamicalformalismreproducestheconventionalresultsonlyundertheconditionthattheapparatusdetectsthedecayedstateswithanidenticalresponsetime.Kaz

6、ukiKoshinoZeno-Likedevice2.ModelandMethod-105m2.Model與方法-32m2.Model與方法-21m考慮強的電子聲子交互作用,採用費曼準粒子方法將 系統重新正則化,傳輸算符重新改寫為2.Model與方法-405mMasterEquation的計算2.Model與方法-505mRule基本上,在沒有聲子的考量下,單量子點被連續量測的解為在t>>的情況下,系統表現對數的衰減 相反的,在初始態中,求得:利用量測也說明了薛丁格方程對短時間預期結果(不存在正比t的關係)所以世界上存在著Zeno效應,而且確實可以

7、經由量測改變自發性衰減率2.Model與方法-61mResultandDiscussion-405mResultandDiscussion-305mResultandDiscussion-11m圖一:[上],一個由Fujisawa與Tarucha利用閘極規範的單量子傳輸器(SET)。在AlGaAs/GaAs超晶格接合面下處100nm自然形成二維電子氣,將閘極(GL,GC,GR)加入負電壓,最大調控電壓落差在0.1meV。[下],物理空間中的雙量子點俯視圖。首先,電子經由窄通道(80nm)連接來源端與接收端,黑色線表金屬閘,彼此寬約40nm。在左邊規

8、範的量子點約15顆電子而右邊約25顆電子。左端充電的能量約4meV與1meV(ScienceOct.1998V282)In

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。