EUV技术量产进入最后冲刺阶段.doc

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1、EUV技术量产进入最后冲刺阶段　　尽管极紫外光(EUV)步进机的大量生产面临复杂的问题以及紧迫的时间，专家们仍然抱持乐观态度...　　随着工程师们竞相解决错综复杂的相关问题，酝酿了20年的新世代微影工具终于来到大量问世前的最后一个阶段──尽管极紫外光(EUV)步进机的大量生产面临复杂的问题以及紧迫的时间，专家们仍然抱持乐观态度。　　　　好消息是，半导体产业界正众志成城、积极推动技术进展；如比利时研究机构Imec的技术与系统执行副总裁AnSteegen所言：「在过去，可能会有一家公司率先采用最新的半导体技术，但现在几乎所有的逻辑制程技术供应商都跳进来、咬紧牙关努力并勇于承担风险。」　　I

2、mec是荷兰EUV微影设备大厂ASML的长期合作伙伴，他们与晶圆代工厂、半导体供应商携手，现在的目标是解决该种有尺寸有一个房间大小、将用以制造新一代芯片的设备剩下的最后几个主要问题；Steegen在Imec年度技术论坛接受EETimes采访时指出，这很像是在2008年问世的FinFET电晶体，是很重大但充满挑战的半导体性能提升关键。　　她表示：「人们比较过下世代节点的最糟情况以及旧节点的最佳情况，现在各方都同意FinFET是具备超高性能的元件；我学到的教训是要对所有事情抱持怀疑态度…未来的半导体制程技术还有足够进步空间，让SoC设计工程师能得到他们想要的。」　　而在笔者于Imec总部排

3、队等着喝咖啡时与一位有32年工作资历的EUV开发老将闲聊时，他简单表示：「现在有很多压力…但我们正在取得进展。」　　确实，三星(Samsung)的晶圆代工部门赶着在今年底于7nm制程导入EUV，该公司的目标是超越最大竞争对手台积电(TSMC)，后者正利用现有的浸润式微影设备进行7nm设计案的投片；台积电与另一家晶圆代工大厂GlobalFoundries也不落人后，他们打算在明年以EUV量产强化版的7nm制程。　　Imec预期，DRAM制造商会在D14+节点采用EUV技术──应该会在2021年记忆体半间距(halfpitches)来到20nm以下时。　　目前Imec有两个技术开发重点，有

4、助于舒缓边缘粗糙度(line-edgeroughness)的问题，并消除所谓的随机效应(stochastics)、随机误差(randomerrors)等造成触点漏失(createmissing)、触点断续(kissingcontacts)的缺陷。那些误差在今年稍早于对下一代5nm节点十分关键的15nm临界尺寸首度被发现，但研究人员表示他们也在7nm看到一样的问题。　　Steegen预期将会有混合式解决方案出现，这种方案会采用扫描机设定、光阻剂材料以及后期处理等方法的结合，以接续断裂的线路、将粗糙部分抹平或是填补漏失的触点。　　晶圆代工业者可以提供更高剂量的EUV光源──例如80mill

5、ijoules/cm2──以扩大制程容许范围(processwindow)，但这会让生产速度减慢；Steegen表示：「第一次实作时的最高剂量决定权在于各家晶圆代工厂。」　　　　工程师正在利用一系列的光罩调整、步进机设定、光阻剂选择以及后期处理方法，来解决EUV的随机误差问题　　混合式解决方案以及放宽的设计规则　　Imec正在开发能预测并定位随机误差可能在设计中出现的地方，以提供制程容许范围的视野；但寻找缺陷往往非常仰赖快速的电子束检测系统(e-beaminspectionsystems)。　　随着制程节点来到单纳米尺寸，研究人员开始将缺陷归因于为小细节；举例来说，一次EUV曝光中的光

6、子数量，会影响化学放大光阻剂(chemicallyamplifiedresists)，而其他种类的光阻剂性能也会因为所嵌入的金属分子定向(orientation)而有所变化。　　对此Steegen表示：「并非所有的光阻剂作用都一样，它们因为不同基层而表现出的作用也会很独特…我们仍在经历一些基础性的学习。」　　为了简化制程世代转移，GlobalFoundries采取分阶段EUV策略，在相对较宽松的7nm节点只采用5层金属；该公司技术长GaryPatton在Imec技术论坛上接受采访时表示：「我们能够以较低剂量运作并达到良好的生产量。」　　Patton透露，GlobalFoundries将

7、于今年稍晚采用浸润式微影进行首次7nm设计投片，是一款AMD处理器；接着是一款IBM处理器，然后有数款ASIC。　　GlobalFoundries将7nm节点的间距与SRAM单元制作得跟台积电的很类似，让芯片设计业者如AMD能够同时利用两家晶圆代工厂；他表示，AMD「的需求会高于我们拥有的产能，所以我们对(AMD也委托台积电生产)这件事没有意见。」　　不过，GlobalFoundries在开发10nm节点的同时会跳过5nm节点，该公司认为前者会